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三星宣布将大规模生产128GB内存芯片

责任编辑:editor007 |来源:企业网D1Net  2015-12-01 20:49:47 本文摘自:环球网

据科技资讯网站Techtimes11月30日报道,三星去年8 月就宣布推出全球第一款采用3D立体硅穿孔封装技术打造的内存芯片,单条 DDR4 内存条容量高达 64GB。三星近日宣布,将批量生产128GB 内存芯片,容量比去年翻了一倍。

“我们很高兴批量生产高速度运行、低功耗的128GB立体硅穿孔封装技术DRAM内存,这将促进我们全球IT客户和合作伙伴推出新一代的企业解决方案,”三星电子内存销售及营销的副总裁Joo Sun Choi称。

据悉,在这个小小的内存芯片中,三星内置了 144 个芯片,形成了 36×4GB DRAM 封装,每个封装中有 4×8Gb 芯片,所以采用 128GB 的容量。而且该内存芯片采用了三星最先进的 20毫微米工艺制造,数据传输速度高达 2400Mbps。它的作用是,代替使用互连引线接合,像在常规芯片封装芯片堆叠的是,在芯片管芯是第一精细研磨,然后用细孔穿孔电极由穿过孔垂直连接。这提升信号传输并配上模块的特殊设计,当它优化模块的功耗和性能。

三星正研究20毫微米的8GB内存芯片,接下来数据传输速度将逐步提升到3200Mbps和2667Mbps。另外,三星还会把硅穿孔技术应用到高带宽内存中。

这是一个什么样的概念?这或许意味着在条件允许的情况下,就算你玩的是目前市面上所需配置最高的游戏,不论是单机还是网络游戏,十开都不会卡!这绝对不是夸大其词,毕竟,8GB 配置的笔记本电脑目前就基本已经可以支持玩所有的大型游戏了。

当然,这样一个 RAM 内存芯片的价格自然不会便宜,虽然三星没有给出具体价格,但是他们也表示,这款 RAM 内存芯片的价格绝对不会低于一台普通的笔记本电脑。

关键字:内存芯片芯片堆叠

本文摘自:环球网

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三星宣布将大规模生产128GB内存芯片

责任编辑:editor007 |来源:企业网D1Net  2015-12-01 20:49:47 本文摘自:环球网

据科技资讯网站Techtimes11月30日报道,三星去年8 月就宣布推出全球第一款采用3D立体硅穿孔封装技术打造的内存芯片,单条 DDR4 内存条容量高达 64GB。三星近日宣布,将批量生产128GB 内存芯片,容量比去年翻了一倍。

“我们很高兴批量生产高速度运行、低功耗的128GB立体硅穿孔封装技术DRAM内存,这将促进我们全球IT客户和合作伙伴推出新一代的企业解决方案,”三星电子内存销售及营销的副总裁Joo Sun Choi称。

据悉,在这个小小的内存芯片中,三星内置了 144 个芯片,形成了 36×4GB DRAM 封装,每个封装中有 4×8Gb 芯片,所以采用 128GB 的容量。而且该内存芯片采用了三星最先进的 20毫微米工艺制造,数据传输速度高达 2400Mbps。它的作用是,代替使用互连引线接合,像在常规芯片封装芯片堆叠的是,在芯片管芯是第一精细研磨,然后用细孔穿孔电极由穿过孔垂直连接。这提升信号传输并配上模块的特殊设计,当它优化模块的功耗和性能。

三星正研究20毫微米的8GB内存芯片,接下来数据传输速度将逐步提升到3200Mbps和2667Mbps。另外,三星还会把硅穿孔技术应用到高带宽内存中。

这是一个什么样的概念?这或许意味着在条件允许的情况下,就算你玩的是目前市面上所需配置最高的游戏,不论是单机还是网络游戏,十开都不会卡!这绝对不是夸大其词,毕竟,8GB 配置的笔记本电脑目前就基本已经可以支持玩所有的大型游戏了。

当然,这样一个 RAM 内存芯片的价格自然不会便宜,虽然三星没有给出具体价格,但是他们也表示,这款 RAM 内存芯片的价格绝对不会低于一台普通的笔记本电脑。

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