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2016年度中国半导体产业十大事件点评

责任编辑:editor007 作者:陈炳欣 赵晨 |来源:企业网D1Net  2017-01-06 17:37:04 本文摘自:赛迪网-中国电子报

2016年全球半导体行业继续上演深度调整与整合,超大规模的并购持续,市场经历小幅的衰退,企业苦苦寻找新的增长点。相对而言,中国半导体产业受国家利好政策的支持有着更好的表现,Foundry厂新产线投资不断,存储器建设初露端倪,新生设计公司大幅增长。即使是传统短板的设备与材料领域也获得一些进步,中国半导体产业正在加速追赶。新年伊始,《中国电子报》盘点“2016年中国半导体产业十大新闻事件”,总结梳理,展望未来。

1 大基金、紫光投资长江存储,中国进军存储器产业

2016年7月26日,长江存储科技有限责任公司宣布成立。公司注册资本分两期出资,一期由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北国芯产业投资基金合伙企业(有限合伙)和湖北省科技投资集团有限公司共同出资,并在武汉新芯的基础上建立长江存储。二期将由紫光集团和国家集成电路产业投资基金股份有限公司共同出资。

点评:中国发展存储器产业十分必要。除长江存储之外,福建晋华与联电签订技术合作协定,由联电协助其生产利基型DRAM;新建的12英寸厂房已经动工,初步产能规划每月6万片,估计2017年底完成技术开发,2018年9月试产。合肥长鑫公司将投入约500亿元,在合肥打造月产能12.5万片的12英寸晶圆厂生产存储器,另有消息称北京兆易创新也将加入。中国大陆存储器产业已经逐渐形成三股力量。

然而,全球存储产业高度集中,新力量进入并不容易。中国发展存储器产业既要面对国际大厂竞争,又要面临西方技术封锁。存储器的发展需要技术、人才等必要条件。中国集成电路产业除市场外,其他可以引以为傲的凤毛麟角。力量分散将不利于存储产业发展,未来希望减少内耗,集中资源。预计2018年几家企业有产能开出的时候将是重要的时间节点,需要重点观察。

2 中芯、华力密集建厂,中国IC制造业再度发力

在“国家集成电路产业发展投资基金”与地方政府的支持下,国内最大的两家晶圆代工企业中芯国际和华力微开始大举扩张产能。2016年10月13日,中芯国际投资近千亿元在上海开工新建一条12英寸生产线,制程为14纳米及以下,月产能7万片;另外,中芯国际还在深圳投资建设一条月产能4万片的12英寸生产线,在天津投资扩充原天津8英寸厂的产能,由4.5万片/月,扩大至15万片/月。华力微则宣布启动二期12英寸高工艺等级生产线建设项目,总投资达387亿元,规划月产能4万片。

点评:随着《国家集成电路产业发展推进纲要》的发布,中国IC产业获得新一轮高速发展。其中,又以晶圆制造为重点领域。根据SEMI的数据,目前处于规划或建设阶段、预计将于2017年~2020年间投产的62座半导体晶圆厂中,26座设于中国大陆,占全球总数的42%。中国集成电路企业在这个市场环境中想要继续运营发展,不断扩大投入是必然之举。但是,关键是要找到积累与扩张的平衡之道。积累与投资是在平衡中发展的,一家优秀的企业应当两边都能够兼顾。当然,在这一轮国际半导体发展变革期内,企业应当多考虑扩张,把局布好,把战略要地占住。

3 并购爱思强遭CFIUS阻挠,半导体“海淘”遇阻

2016年12月2日,中国福建宏芯投资基金收购德国半导体制造商爱思强(Aixtron)在美业务被禁。该禁令是基于美国CFIUS的评估,美方担心爱思强可用于军事用途的氮化镓(GaN)材料被中国所掌握。这并非孤例,CFIUS担忧中国企业通过并购获得敏感技术,多次阻挠中国IC企业的海外并购,如紫光入主西部数据流产、并购美光遇阻等。

点评:2016年国际半导体行业并购、扩容热度不减。截至目前,半导体行业并购交易规模已达1302亿美元。然而,2016年中国半导体企业对海外资产的收购热度却明显弱于去年。虽然中国企业(或资本)数度发起收购案,可成功案例并不多,主要原因与外部环境有关。

美国政府对中国半导体发展完全没有必要如此敏感。虽经努力发展,我国在核心关键的芯片上有所突破,但是力度仍不大。中国市场的自我供应与需求相比差距较大,短时间内不可能超过美国。半导体是一个开放的市场,中国的市场也是世界的市场,大家应携手共同推动全球集成电路产业的发展。

4 大基金两年投700亿元,扶持集成电路产业发展

自2014年8月成立以来,国家集成电路产业投资基金(简称大基金)已经投出约700亿元,扶持集成电路龙头企业的发展。大基金2016年把更大力度放在支持集成电路制造业和特色集成电路产业发展上,重点推进了存储器项目。大基金2016年在制造领域的投资比例由2015年的45%提升到60%。此外,大基金还投资了珠海艾派克、湖南国科、北斗星通、中兴微电子、硅谷数模等企业。大基金也重点支持特色半导体发展,主要方向是砷化镓、氮化镓,未来还有可能支持碳化硅领域。目前,大基金在这个领域已经投资了士兰微、三安光电。

点评:任何一项高科技产业的发展成熟都离不开创新链、产业链与金融链的合力推进,而且缺一不可。国家级集成电路产业投资基金成立,鼓励社会资本投入,有效激活了集成电路产业的金融链。2016年我国集成电路业界之所以能够掀起投资发展热潮,除了国际大背景外,国内资金瓶颈的解决也是功不可没的。据悉,2017年大基金将向设计领域加大倾斜力度。

5 北京君正收购豪威科技、思比科,IC并购转向国内

北京君正2016年12月15日称拟购买北京豪威100%股权、视信源100%股权、思比科40.4343%股权,合计126亿元。通过收购北京豪威及思比科,北京君正将快速进入CMOS图像传感器芯片领域。在完成上述收购后,北京君正这家以MIPS内核起家的设计公司将有机会扩展产品线,补上CMOS部分,有望扩大在可穿戴设备等方面的消费电子市场份额。

点评:2016年中国半导体资本市场的热度明显高于2015年,除国家集成电路产业投资基金持续投资,珠海艾派克、湖南国科、北斗星通、中兴微电子、硅谷数模等企业都得到资金注入外,还有北京兆易创新在上海、长沙景嘉微电子在深圳成功上市。在并购方面,最具代表性的是兆易创新对ISSI的收购,北京君正对豪威科技的收购。由于在海外受阻,中国半导体并购资本逐渐将目标转向了国内。这也算是“失之东隅,收之桑榆”之喜吧。

6 贵州华芯通成立,目标ARM架构服务器芯片

2016年1月17日,高通公司与贵州省相关部门以18.5亿元(约2.8亿美元)合资成立贵州华芯通半导体技术有限公司,进行服务器芯片的设计、开发与销售。2016年11月18日,华芯通宣布正式启用位于北京望京地区的北京研发中心。目前,公司已获得来自ARM v8-A架构授权和技术转移,将开发10纳米的服务器芯片。

点评:长期以来,我国在通用CPU领域一直受制于人。信息通信技术的深度融合以及云计算/大数据和SDN/NFV的快速发展,正在推动计算架构、网络架构、存储架构向通用化方向演进。这对互联网服务器CPU提出了全新的规格需求,同时也给我国发展CPU产业带来了新一轮的黄金发展机遇期。以互联网服务器CPU为切入点,实现在高端服务器及通用CPU领域的安全自主可控发展是当务之急。

7 手机芯片开启10nm时代,中国通信芯片走向高端

2016年,全球智能手机芯片市场的竞争越来越激烈,“寡头竞争”趋势已经十分明显。“寡头”间的碰撞则不断朝中高端市场延伸。高通采用10nm工艺的骁龙835发布,联发科、华为海思也将采用该工艺生产芯片,华为海思将推出采用10nm工艺的麒麟970,联发科的Helio X30也将采用10nm工艺。

点评:集成电路是信息技术产业发展的重要基础。近年来,在国家一系列产业政策的扶持推动下,中国IC产业取得了一定发展。2016年,中国集成电路销售收入预计达到1518.52亿元(约合228.35亿美元),相比2015年增长23.04%。然而,另一方面,整体技术水平不高、核心产品创新能力不足等问题依然存在,特别是在CPU、存储器等高端领域,芯片产品发展不力,产业结构存在着较为严重的缺位情况。目前,通信芯片是中国IC产业发展状况最好的部分,下一步需要解决中国高端芯片发展不足的问题。

8 中芯长电半导体规模量产,进入到14纳米产业链

2016年7月28日,中芯国际与长电科技合资成立的中芯长电半导体有限公司举行了14纳米凸块加工量产仪式。中芯长电半导体的12英寸28纳米凸块加工技术在2015年底已通过客户的产品验证,成为国内第一家、也是唯一一家可提供14纳米凸块加工中段硅片制造服务的公司。凸块加工是中段硅片制造的基本工艺之一,在强调高性能、低功耗、小尺寸的移动智能芯片中被广泛应用。

点评:随着移动智能时代的发展,集成电路芯片对性能、功耗、面积的要求越来越高,传统的芯片架构越来越力不从心,中段工艺在半导体制造产业链中已成为必不可少的关键环节。中芯长电半导体项目量产表明我国在半导体制造工艺上取得重大突破,意味着我国首次成功打通了移动智能通信芯片加工制造产业链的全部环节,为我国集成电路企业参与国际顶级阵营的竞争,奠定了坚实基础。

9 硅衬底LED项目获国家技术发明一等奖,核心专利实现突破

2016年1月8日,南昌大学硅衬底LED项目获得2015年度国家技术发明奖中唯一的一等奖。根据生长衬底不同,蓝光LED技术有三条主流技术路线:日本的蓝宝石衬底LED技术、美国的碳化硅衬底LED技术和中国的硅衬底LED技术,而前两条技术路线已经被欧、美、日等国占尽先机。经过多年的运作,五家国际大企业已经通过交叉授权等手段,在LED产业构筑了森严的专利壁垒。硅衬底LED技术实现了产业化,获授权发明专利68项,实现了核心部件的每一层都有专利保护。

点评:硅衬底LED技术从源头上避开了发达国家的技术壁垒,不仅从实验室走向了国际市场,更是已经具备了大规模产业化能力,成为提升我国LED照明产业国际地位和竞争力的关键。随着硅衬底LED技术和工艺的成熟,产业化进程也将随之加快,其产品有望向一系列性能更高、附加值更高的照明领域延伸。

10 2016年中国光伏装机31GW,继续领跑全球

太阳能行业咨询公司Mercom Capital发布了一份研究报告:预测2016年光伏装机量将高达76GW,而中国将以高达31GW的总装机量继续领跑全球光伏市场。这也是中国自2013年以来,连续四年获得光伏装机总量的第一名。该研究报告分析称,中国光伏抢装潮之后的需求放缓,导致市场出现供大于求的情况,致使组件价格大幅下跌,但低组件价格有助于2017年的需求恢复。预计2017年全球太阳能需求前景并不会像预期那样放缓,反而有所改观。

点评:2016年全球光伏装机量惊人的增长速度部分原因可以归功于中国在2016年上半年出现的光伏抢装潮和第四季度的强劲表现。有研究报告称,由于中国装机量出现了前所未有的热潮,国家能源局将太阳能安装目标从2020年的150GW减少到110GW,减少了27%。

关键字:中国半导体硅衬底

本文摘自:赛迪网-中国电子报

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2016年度中国半导体产业十大事件点评

责任编辑:editor007 作者:陈炳欣 赵晨 |来源:企业网D1Net  2017-01-06 17:37:04 本文摘自:赛迪网-中国电子报

2016年全球半导体行业继续上演深度调整与整合,超大规模的并购持续,市场经历小幅的衰退,企业苦苦寻找新的增长点。相对而言,中国半导体产业受国家利好政策的支持有着更好的表现,Foundry厂新产线投资不断,存储器建设初露端倪,新生设计公司大幅增长。即使是传统短板的设备与材料领域也获得一些进步,中国半导体产业正在加速追赶。新年伊始,《中国电子报》盘点“2016年中国半导体产业十大新闻事件”,总结梳理,展望未来。

1 大基金、紫光投资长江存储,中国进军存储器产业

2016年7月26日,长江存储科技有限责任公司宣布成立。公司注册资本分两期出资,一期由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北国芯产业投资基金合伙企业(有限合伙)和湖北省科技投资集团有限公司共同出资,并在武汉新芯的基础上建立长江存储。二期将由紫光集团和国家集成电路产业投资基金股份有限公司共同出资。

点评:中国发展存储器产业十分必要。除长江存储之外,福建晋华与联电签订技术合作协定,由联电协助其生产利基型DRAM;新建的12英寸厂房已经动工,初步产能规划每月6万片,估计2017年底完成技术开发,2018年9月试产。合肥长鑫公司将投入约500亿元,在合肥打造月产能12.5万片的12英寸晶圆厂生产存储器,另有消息称北京兆易创新也将加入。中国大陆存储器产业已经逐渐形成三股力量。

然而,全球存储产业高度集中,新力量进入并不容易。中国发展存储器产业既要面对国际大厂竞争,又要面临西方技术封锁。存储器的发展需要技术、人才等必要条件。中国集成电路产业除市场外,其他可以引以为傲的凤毛麟角。力量分散将不利于存储产业发展,未来希望减少内耗,集中资源。预计2018年几家企业有产能开出的时候将是重要的时间节点,需要重点观察。

2 中芯、华力密集建厂,中国IC制造业再度发力

在“国家集成电路产业发展投资基金”与地方政府的支持下,国内最大的两家晶圆代工企业中芯国际和华力微开始大举扩张产能。2016年10月13日,中芯国际投资近千亿元在上海开工新建一条12英寸生产线,制程为14纳米及以下,月产能7万片;另外,中芯国际还在深圳投资建设一条月产能4万片的12英寸生产线,在天津投资扩充原天津8英寸厂的产能,由4.5万片/月,扩大至15万片/月。华力微则宣布启动二期12英寸高工艺等级生产线建设项目,总投资达387亿元,规划月产能4万片。

点评:随着《国家集成电路产业发展推进纲要》的发布,中国IC产业获得新一轮高速发展。其中,又以晶圆制造为重点领域。根据SEMI的数据,目前处于规划或建设阶段、预计将于2017年~2020年间投产的62座半导体晶圆厂中,26座设于中国大陆,占全球总数的42%。中国集成电路企业在这个市场环境中想要继续运营发展,不断扩大投入是必然之举。但是,关键是要找到积累与扩张的平衡之道。积累与投资是在平衡中发展的,一家优秀的企业应当两边都能够兼顾。当然,在这一轮国际半导体发展变革期内,企业应当多考虑扩张,把局布好,把战略要地占住。

3 并购爱思强遭CFIUS阻挠,半导体“海淘”遇阻

2016年12月2日,中国福建宏芯投资基金收购德国半导体制造商爱思强(Aixtron)在美业务被禁。该禁令是基于美国CFIUS的评估,美方担心爱思强可用于军事用途的氮化镓(GaN)材料被中国所掌握。这并非孤例,CFIUS担忧中国企业通过并购获得敏感技术,多次阻挠中国IC企业的海外并购,如紫光入主西部数据流产、并购美光遇阻等。

点评:2016年国际半导体行业并购、扩容热度不减。截至目前,半导体行业并购交易规模已达1302亿美元。然而,2016年中国半导体企业对海外资产的收购热度却明显弱于去年。虽然中国企业(或资本)数度发起收购案,可成功案例并不多,主要原因与外部环境有关。

美国政府对中国半导体发展完全没有必要如此敏感。虽经努力发展,我国在核心关键的芯片上有所突破,但是力度仍不大。中国市场的自我供应与需求相比差距较大,短时间内不可能超过美国。半导体是一个开放的市场,中国的市场也是世界的市场,大家应携手共同推动全球集成电路产业的发展。

4 大基金两年投700亿元,扶持集成电路产业发展

自2014年8月成立以来,国家集成电路产业投资基金(简称大基金)已经投出约700亿元,扶持集成电路龙头企业的发展。大基金2016年把更大力度放在支持集成电路制造业和特色集成电路产业发展上,重点推进了存储器项目。大基金2016年在制造领域的投资比例由2015年的45%提升到60%。此外,大基金还投资了珠海艾派克、湖南国科、北斗星通、中兴微电子、硅谷数模等企业。大基金也重点支持特色半导体发展,主要方向是砷化镓、氮化镓,未来还有可能支持碳化硅领域。目前,大基金在这个领域已经投资了士兰微、三安光电。

点评:任何一项高科技产业的发展成熟都离不开创新链、产业链与金融链的合力推进,而且缺一不可。国家级集成电路产业投资基金成立,鼓励社会资本投入,有效激活了集成电路产业的金融链。2016年我国集成电路业界之所以能够掀起投资发展热潮,除了国际大背景外,国内资金瓶颈的解决也是功不可没的。据悉,2017年大基金将向设计领域加大倾斜力度。

5 北京君正收购豪威科技、思比科,IC并购转向国内

北京君正2016年12月15日称拟购买北京豪威100%股权、视信源100%股权、思比科40.4343%股权,合计126亿元。通过收购北京豪威及思比科,北京君正将快速进入CMOS图像传感器芯片领域。在完成上述收购后,北京君正这家以MIPS内核起家的设计公司将有机会扩展产品线,补上CMOS部分,有望扩大在可穿戴设备等方面的消费电子市场份额。

点评:2016年中国半导体资本市场的热度明显高于2015年,除国家集成电路产业投资基金持续投资,珠海艾派克、湖南国科、北斗星通、中兴微电子、硅谷数模等企业都得到资金注入外,还有北京兆易创新在上海、长沙景嘉微电子在深圳成功上市。在并购方面,最具代表性的是兆易创新对ISSI的收购,北京君正对豪威科技的收购。由于在海外受阻,中国半导体并购资本逐渐将目标转向了国内。这也算是“失之东隅,收之桑榆”之喜吧。

6 贵州华芯通成立,目标ARM架构服务器芯片

2016年1月17日,高通公司与贵州省相关部门以18.5亿元(约2.8亿美元)合资成立贵州华芯通半导体技术有限公司,进行服务器芯片的设计、开发与销售。2016年11月18日,华芯通宣布正式启用位于北京望京地区的北京研发中心。目前,公司已获得来自ARM v8-A架构授权和技术转移,将开发10纳米的服务器芯片。

点评:长期以来,我国在通用CPU领域一直受制于人。信息通信技术的深度融合以及云计算/大数据和SDN/NFV的快速发展,正在推动计算架构、网络架构、存储架构向通用化方向演进。这对互联网服务器CPU提出了全新的规格需求,同时也给我国发展CPU产业带来了新一轮的黄金发展机遇期。以互联网服务器CPU为切入点,实现在高端服务器及通用CPU领域的安全自主可控发展是当务之急。

7 手机芯片开启10nm时代,中国通信芯片走向高端

2016年,全球智能手机芯片市场的竞争越来越激烈,“寡头竞争”趋势已经十分明显。“寡头”间的碰撞则不断朝中高端市场延伸。高通采用10nm工艺的骁龙835发布,联发科、华为海思也将采用该工艺生产芯片,华为海思将推出采用10nm工艺的麒麟970,联发科的Helio X30也将采用10nm工艺。

点评:集成电路是信息技术产业发展的重要基础。近年来,在国家一系列产业政策的扶持推动下,中国IC产业取得了一定发展。2016年,中国集成电路销售收入预计达到1518.52亿元(约合228.35亿美元),相比2015年增长23.04%。然而,另一方面,整体技术水平不高、核心产品创新能力不足等问题依然存在,特别是在CPU、存储器等高端领域,芯片产品发展不力,产业结构存在着较为严重的缺位情况。目前,通信芯片是中国IC产业发展状况最好的部分,下一步需要解决中国高端芯片发展不足的问题。

8 中芯长电半导体规模量产,进入到14纳米产业链

2016年7月28日,中芯国际与长电科技合资成立的中芯长电半导体有限公司举行了14纳米凸块加工量产仪式。中芯长电半导体的12英寸28纳米凸块加工技术在2015年底已通过客户的产品验证,成为国内第一家、也是唯一一家可提供14纳米凸块加工中段硅片制造服务的公司。凸块加工是中段硅片制造的基本工艺之一,在强调高性能、低功耗、小尺寸的移动智能芯片中被广泛应用。

点评:随着移动智能时代的发展,集成电路芯片对性能、功耗、面积的要求越来越高,传统的芯片架构越来越力不从心,中段工艺在半导体制造产业链中已成为必不可少的关键环节。中芯长电半导体项目量产表明我国在半导体制造工艺上取得重大突破,意味着我国首次成功打通了移动智能通信芯片加工制造产业链的全部环节,为我国集成电路企业参与国际顶级阵营的竞争,奠定了坚实基础。

9 硅衬底LED项目获国家技术发明一等奖,核心专利实现突破

2016年1月8日,南昌大学硅衬底LED项目获得2015年度国家技术发明奖中唯一的一等奖。根据生长衬底不同,蓝光LED技术有三条主流技术路线:日本的蓝宝石衬底LED技术、美国的碳化硅衬底LED技术和中国的硅衬底LED技术,而前两条技术路线已经被欧、美、日等国占尽先机。经过多年的运作,五家国际大企业已经通过交叉授权等手段,在LED产业构筑了森严的专利壁垒。硅衬底LED技术实现了产业化,获授权发明专利68项,实现了核心部件的每一层都有专利保护。

点评:硅衬底LED技术从源头上避开了发达国家的技术壁垒,不仅从实验室走向了国际市场,更是已经具备了大规模产业化能力,成为提升我国LED照明产业国际地位和竞争力的关键。随着硅衬底LED技术和工艺的成熟,产业化进程也将随之加快,其产品有望向一系列性能更高、附加值更高的照明领域延伸。

10 2016年中国光伏装机31GW,继续领跑全球

太阳能行业咨询公司Mercom Capital发布了一份研究报告:预测2016年光伏装机量将高达76GW,而中国将以高达31GW的总装机量继续领跑全球光伏市场。这也是中国自2013年以来,连续四年获得光伏装机总量的第一名。该研究报告分析称,中国光伏抢装潮之后的需求放缓,导致市场出现供大于求的情况,致使组件价格大幅下跌,但低组件价格有助于2017年的需求恢复。预计2017年全球太阳能需求前景并不会像预期那样放缓,反而有所改观。

点评:2016年全球光伏装机量惊人的增长速度部分原因可以归功于中国在2016年上半年出现的光伏抢装潮和第四季度的强劲表现。有研究报告称,由于中国装机量出现了前所未有的热潮,国家能源局将太阳能安装目标从2020年的150GW减少到110GW,减少了27%。

关键字:中国半导体硅衬底

本文摘自:赛迪网-中国电子报

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