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东芝美光存储“无作为” 助力三星抢下半导体第一宝座?

责任编辑:editor005 作者:包永刚 |来源:企业网D1Net  2017-07-12 15:05:26 本文摘自:华强电子网

 上周,三星电子发布了二季度财报的初步数据(完整财报本月底公布),数据显示三星二季度运营利润高达121亿美元(14万亿韩元),超出分析师的预计并创下公司的记录。此前,IC insights预估三星2017年销售额有可能超越英特尔成为全球最大的半导体厂商。那么,三星如何能超越Intel?

  手机业务作为三星利润的重要来源,去年,其旗舰手机Note7爆炸事件不仅给三星造成了巨大的营收损失,也为其声誉带来了负面影响。在经历了Note7事件之后,三星谨慎对待Galaxy S8来修复损失的声誉。不过,Note7事件带来的营收损失还得通过半导体等业务来弥补。

  虽然三星Q2财报要到本月底才对外公布,但从2016年Q4三星电子的获利情况来看,半导体业务获利4.9兆韩元,占集团获利的53.3%,由此不难看出半导体业务已经成为三星获利的重要来源。有分析师预测,三星2017年Q2半导体业务将贡献65亿美元的运营利润,移动设备业务将贡献33亿美元,显示面板业务可能贡献13亿美元。那么,三星半导体业务为何能带来如此丰厚的利润?

 

 

  在半导体领域,三星存储(DRAM和NAND Flash)的领先优势显而易见,TrendForce数据显示,今年1-3月,三星内存占到全球内存芯片整体营收的40.4%。IHS数据显示,2016年三星NAND Flash市场份额也达到35%,内存和闪存的市场份额皆全球第一。有观点认为,在最尖端的64层3D NAND Flash方面,三星量产时的成品率比份额居第2位的东芝高很多,某证券分析师表示,通过量产技术,三星与东芝拉开了约1年的差距。此外,三星还将加快新一代96层3D NAND Flash的开发。不过,能让三星超越销售疲软的英特尔的最大推动力还是因为缺货而持续上涨的内存价格。据分析机构预测,今年全年DRAM和NAND Flash价格都将持续上涨。

  除了价格的上涨,竞争对手的困境也让三星离登上半导体最大厂商的宝座更近一步。本月,存储巨头美光在原华亚科的桃园 N2 厂因纯化氮气设备故障造成氮气外泄,导致在线数万片DRAM晶圆遭到污染。

  虽然事后美光发声明称厂务系统确实出现问题,造成部分产线停工,但在公司的努力修复及解决问题下,已经恢复生产,并没有对产能造成冲击。不过另有报道称受污染的产线最快要3个月才能复工,此次受影响的工厂保守估计损失大约在6万片,将影响全球DRAM产能的5.5%,DRAM市场将继续雪上加霜。

  除了美光,东芝作为全球重要的存储芯片供应商,自身经营也陷入困境。在美国西屋核电项目出现问题之后,东芝就遭遇了严重的财务问题,东芝半导体部门出售的过程也一波三折。另据外媒报道,由于3D NAND芯片的良率较低,供应商在为2017年的iPhone准备存储芯片时似乎遇到了严峻的生产问题,SK 海力士和东芝的产能已经下降了30%,苹果可能已经转向三星来弥补产能不足。

  在竞争对手遭遇不同程度困境的时候,三星还积极提升对于半导体业务的投资稳固其领导地位。据路透社报道,三星电子在本月初宣布投资20.4万亿韩元(约合186亿美元)扩大其芯片业务计划,此项支出计划包括在2021年之前在平泽市的新NAND芯片厂投资14.4万亿韩元,还将在华城现有的厂区投资6万亿韩元来新建一条半导体生产线,不过没有说明时间安排和生产何种产品。除了韩国本土,三星还打算在中国西安的NAND生产基地增加一条生产线,以满足对用于长期数据存储芯片需求的增长。另外还将向美国得克萨斯州的大规模集成电路(LSI)工厂投资15亿美元。不难发现,这些投资除了能稳固三星在存储市场的优势,未来也将为三星带来可观的营收增长。

  整体而言,虽然三星手机部门一度占公司获利的75%,但随着存储和显示部门获利的增加,手机的获利贡献正在下跌。存储价格的上涨,友商的“无作为”无疑助推了三星的大规模投资,在这样多重的利好之下,三星超越英特尔成为全球半导体霸主是否已经指日可待?

关键字:东芝

本文摘自:华强电子网

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东芝美光存储“无作为” 助力三星抢下半导体第一宝座?

责任编辑:editor005 作者:包永刚 |来源:企业网D1Net  2017-07-12 15:05:26 本文摘自:华强电子网

 上周,三星电子发布了二季度财报的初步数据(完整财报本月底公布),数据显示三星二季度运营利润高达121亿美元(14万亿韩元),超出分析师的预计并创下公司的记录。此前,IC insights预估三星2017年销售额有可能超越英特尔成为全球最大的半导体厂商。那么,三星如何能超越Intel?

  手机业务作为三星利润的重要来源,去年,其旗舰手机Note7爆炸事件不仅给三星造成了巨大的营收损失,也为其声誉带来了负面影响。在经历了Note7事件之后,三星谨慎对待Galaxy S8来修复损失的声誉。不过,Note7事件带来的营收损失还得通过半导体等业务来弥补。

  虽然三星Q2财报要到本月底才对外公布,但从2016年Q4三星电子的获利情况来看,半导体业务获利4.9兆韩元,占集团获利的53.3%,由此不难看出半导体业务已经成为三星获利的重要来源。有分析师预测,三星2017年Q2半导体业务将贡献65亿美元的运营利润,移动设备业务将贡献33亿美元,显示面板业务可能贡献13亿美元。那么,三星半导体业务为何能带来如此丰厚的利润?

 

 

  在半导体领域,三星存储(DRAM和NAND Flash)的领先优势显而易见,TrendForce数据显示,今年1-3月,三星内存占到全球内存芯片整体营收的40.4%。IHS数据显示,2016年三星NAND Flash市场份额也达到35%,内存和闪存的市场份额皆全球第一。有观点认为,在最尖端的64层3D NAND Flash方面,三星量产时的成品率比份额居第2位的东芝高很多,某证券分析师表示,通过量产技术,三星与东芝拉开了约1年的差距。此外,三星还将加快新一代96层3D NAND Flash的开发。不过,能让三星超越销售疲软的英特尔的最大推动力还是因为缺货而持续上涨的内存价格。据分析机构预测,今年全年DRAM和NAND Flash价格都将持续上涨。

  除了价格的上涨,竞争对手的困境也让三星离登上半导体最大厂商的宝座更近一步。本月,存储巨头美光在原华亚科的桃园 N2 厂因纯化氮气设备故障造成氮气外泄,导致在线数万片DRAM晶圆遭到污染。

  虽然事后美光发声明称厂务系统确实出现问题,造成部分产线停工,但在公司的努力修复及解决问题下,已经恢复生产,并没有对产能造成冲击。不过另有报道称受污染的产线最快要3个月才能复工,此次受影响的工厂保守估计损失大约在6万片,将影响全球DRAM产能的5.5%,DRAM市场将继续雪上加霜。

  除了美光,东芝作为全球重要的存储芯片供应商,自身经营也陷入困境。在美国西屋核电项目出现问题之后,东芝就遭遇了严重的财务问题,东芝半导体部门出售的过程也一波三折。另据外媒报道,由于3D NAND芯片的良率较低,供应商在为2017年的iPhone准备存储芯片时似乎遇到了严峻的生产问题,SK 海力士和东芝的产能已经下降了30%,苹果可能已经转向三星来弥补产能不足。

  在竞争对手遭遇不同程度困境的时候,三星还积极提升对于半导体业务的投资稳固其领导地位。据路透社报道,三星电子在本月初宣布投资20.4万亿韩元(约合186亿美元)扩大其芯片业务计划,此项支出计划包括在2021年之前在平泽市的新NAND芯片厂投资14.4万亿韩元,还将在华城现有的厂区投资6万亿韩元来新建一条半导体生产线,不过没有说明时间安排和生产何种产品。除了韩国本土,三星还打算在中国西安的NAND生产基地增加一条生产线,以满足对用于长期数据存储芯片需求的增长。另外还将向美国得克萨斯州的大规模集成电路(LSI)工厂投资15亿美元。不难发现,这些投资除了能稳固三星在存储市场的优势,未来也将为三星带来可观的营收增长。

  整体而言,虽然三星手机部门一度占公司获利的75%,但随着存储和显示部门获利的增加,手机的获利贡献正在下跌。存储价格的上涨,友商的“无作为”无疑助推了三星的大规模投资,在这样多重的利好之下,三星超越英特尔成为全球半导体霸主是否已经指日可待?

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