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国内集成电路ALD设备进驻上海集成电路研发中心

责任编辑:editor005 |来源:企业网D1Net  2017-12-11 14:21:30 本文摘自:中证网

近日,由北方华创下属子公司北方华创微电子自主研发的国内首台12英寸原子层沉积(AtomicLayer Deposition,ALD)设备进驻上海集成电路研发中心。北方华创微电子为国产高端装备在先进集成电路芯片生产线的应用再添新秀。

国内集成电路ALD设备进驻上海集成电路研发中心

ALD设备是先进集成电路制造工艺中必不可少的薄膜沉积设备,ALD工艺具有工艺温度低、薄膜厚度控制精确及台阶覆盖率高等优点。在集成电路特征线宽发展到28纳米节点后,ALD工艺应用日益广泛。北方华创微电子自2014年开始布局ALD设备的开发计划,历时四年,成功推出中国首台应用于集成电路领域的量产型单片ALD设备——PolarisA630,应用于沉积集成电路器件中的高介电常数和金属栅极薄膜材料,设备的核心技术指标达到国际先进水平。

此次,北方华创微电子Polaris A630ALD设备以参与公开竞标方式,成功进驻上海集成电路研发中心有限公司,同时中标的产品还有北方华创微电子集成电路AlPad工艺的eVictor A1030物理气相沉积系统。至此,北方华创微电子已有硅刻蚀机、单片退火设备、Hardmask PVD、AlPad PVD、单片清洗机、立式炉、ALD等集成电路设备应用于28-14纳米工艺制程,扩展了国产高端装备在集成电路先进制程的配套应用范围。

关键字:物理气相沉积 研发中心

本文摘自:中证网

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