首先我们看到中芯国际在8日发布新一轮财报，其中有一条显示公司表示已成功上量28纳米技术产品组合，在2017年四季度收入占比贡献达到11.3%，较三季度的8.8%显著提升。这也意味着国产化芯片迎来新的发展机遇。

再看看中国芯片具体发展状况，这方面在台湾或者韩国技术都比较先进，比如联发科和台积电，前者降低了安卓手机的价格门槛，而后者则是iPhone产业链上最重要的成员之一，而他们最重要的生存手段就是半导体芯片设计制造能力，而这或许也是台湾科技最后的自尊。

那么随着中芯国际28nm产品成功上量，我们和诸如三星、联发科、台积电还有多大差距呢?其实台积电、三星等将都开始研发或已经量产7nm工艺制程，尤其是在2017年开始，台积电就进行7nm芯片的风险试产，2018年将正式量产。而三星也一样，三星方面表示，有望在今年开始测试7纳米FinFET工艺制程，目标是实现2018年年初能够量产7纳米工艺。

这说明中芯国际与当前最先进的芯片制造工艺还有一段不小的差距。但是不得不说过呃逆半导体行业也在摸索中前进，比如突破3D NAND闪存，这方面主要是长江存储科技在做，而在芯片制造工艺方面，国内比Intel、三星、TSMC落后的更多，这方面追赶还得看SMIC中芯国际。

所谓的28nm技术是台积电弄出来的，因为按照惯例，新一代晶体管的制程是上一代晶体管的0.7倍左右，所以我们可以看到英特尔的制造工艺是65nm45nm32nm22nm14nm10nm这样的，台积电当年为了营销目的，开发了原本适用于nand闪存的28nm制造工艺，实际上和英特尔的32nm是同一代产品。

从这里看来，我们的差距很大。28nm距离目前三星的顶级工艺差了整整三代，这几乎需要五年的时间去追赶。芯片制造工艺需要大量的资金，还需要技术的积累，显然，我国并没有这样的技术积累。