当前位置:数据中心存储 → 正文

数据中心用上3D TLC NAND 英特尔发布两款企业级固态硬盘

责任编辑:editor007 |来源:企业网D1Net  2017-05-03 20:10:19 本文摘自:雷锋网

今日,英特尔宣布了两款应用于数据中心的固态硬盘:P4500和P4600,这是自推出首款NVMe SSD以来,其企业级PCIe SSD产品阵容最为重要的更新。率先推出的系列将包含容量为1TB、2TB、4TB的半高半长的插卡式及U.2接口2.5寸形态的产品。

根据英特尔官方的介绍,P4500和P4600是英特尔P3600和P3700系列的后继产品。P4500和P4600通过全新的SSD控制器和3D NAND闪存带来了一系列的性能提升,例如,比上一代快3.3倍的写入速度。

目前大多数英特尔PCIe SSD仍然使用的是20nm MLC NAND闪存,尽管P3500使用英特尔3D MLC替代了P3520,但是P4x00系列产品将使用的是英特尔的32层3D TLC NAND闪存。与英特尔20nm MLC的128Gb(16GB)相比,每芯片容量为384Gb(48GB)。因此,两款全新的产品在容量上有了大幅提升往哪给:P3x00产品的容量从400GB提高到2TB,新的P4500和P4600从 1TB,最初提供高达4TB,预计到年底将有8TB型号。

事实上,自从SLC被市场淘汰后,企业级SSD在过去几年中大都使用的是MLC NAND,但是从目前的市场可以看出,MLC NAND已经在向3D TLC NAND转型。3D NAND拥有很多优势,例如增加耐用性和降低功耗,但最重要的是,它提供了更低的定价和更高的密度。DC P4600和P4500是首款采用英特尔384Gb芯片的32位TLC NAND。

据了解,这两款新产品整合了英特尔的NAND、控制器、固件以及组件,而其控制器具有12个通道(每通道4个CE),用于连接闪存,虽然低于上一代控制器的18个通道,但仍远远高于客户端/面向消费者的NVMe控制器的通道数;此外,在速度方面也有大幅的提升:读取高达3280MB/s,写入为2100MB/s,4K随机读取702.5K IOPS,写入257K IOPS。

英特尔还表示,新的控制器比前几代更具可扩展性,因此未来我们很有可能在同一个平台上看到更高的容量。

当然,在雷锋网看来,P4500和P4600最大的新功能还是完全支持NVMe管理接口标准,这一特性可以让配备IPMI的服务器通过BMC完全访问驱动器的SMART数据和固件更新,而无需考虑服务器上运行的操作系统如何。

值得注意的是,2015年10月,英特尔宣布投资建设大连Fab68工厂并转产3D NAND,而现在英特尔已经计划在中国大连扩建Fab68工厂以扩大3D NAND的供给,进而满足最终用户的存储需求。

via:anandtech

关键字:NAND闪存TLCPCIE

本文摘自:雷锋网

x 数据中心用上3D TLC NAND 英特尔发布两款企业级固态硬盘 扫一扫
分享本文到朋友圈
当前位置:数据中心存储 → 正文

数据中心用上3D TLC NAND 英特尔发布两款企业级固态硬盘

责任编辑:editor007 |来源:企业网D1Net  2017-05-03 20:10:19 本文摘自:雷锋网

今日,英特尔宣布了两款应用于数据中心的固态硬盘:P4500和P4600,这是自推出首款NVMe SSD以来,其企业级PCIe SSD产品阵容最为重要的更新。率先推出的系列将包含容量为1TB、2TB、4TB的半高半长的插卡式及U.2接口2.5寸形态的产品。

根据英特尔官方的介绍,P4500和P4600是英特尔P3600和P3700系列的后继产品。P4500和P4600通过全新的SSD控制器和3D NAND闪存带来了一系列的性能提升,例如,比上一代快3.3倍的写入速度。

目前大多数英特尔PCIe SSD仍然使用的是20nm MLC NAND闪存,尽管P3500使用英特尔3D MLC替代了P3520,但是P4x00系列产品将使用的是英特尔的32层3D TLC NAND闪存。与英特尔20nm MLC的128Gb(16GB)相比,每芯片容量为384Gb(48GB)。因此,两款全新的产品在容量上有了大幅提升往哪给:P3x00产品的容量从400GB提高到2TB,新的P4500和P4600从 1TB,最初提供高达4TB,预计到年底将有8TB型号。

事实上,自从SLC被市场淘汰后,企业级SSD在过去几年中大都使用的是MLC NAND,但是从目前的市场可以看出,MLC NAND已经在向3D TLC NAND转型。3D NAND拥有很多优势,例如增加耐用性和降低功耗,但最重要的是,它提供了更低的定价和更高的密度。DC P4600和P4500是首款采用英特尔384Gb芯片的32位TLC NAND。

据了解,这两款新产品整合了英特尔的NAND、控制器、固件以及组件,而其控制器具有12个通道(每通道4个CE),用于连接闪存,虽然低于上一代控制器的18个通道,但仍远远高于客户端/面向消费者的NVMe控制器的通道数;此外,在速度方面也有大幅的提升:读取高达3280MB/s,写入为2100MB/s,4K随机读取702.5K IOPS,写入257K IOPS。

英特尔还表示,新的控制器比前几代更具可扩展性,因此未来我们很有可能在同一个平台上看到更高的容量。

当然,在雷锋网看来,P4500和P4600最大的新功能还是完全支持NVMe管理接口标准,这一特性可以让配备IPMI的服务器通过BMC完全访问驱动器的SMART数据和固件更新,而无需考虑服务器上运行的操作系统如何。

值得注意的是,2015年10月,英特尔宣布投资建设大连Fab68工厂并转产3D NAND,而现在英特尔已经计划在中国大连扩建Fab68工厂以扩大3D NAND的供给,进而满足最终用户的存储需求。

via:anandtech

关键字:NAND闪存TLCPCIE

本文摘自:雷锋网

电子周刊
回到顶部

关于我们联系我们版权声明隐私条款广告服务友情链接投稿中心招贤纳士

企业网版权所有 ©2010-2024 京ICP备09108050号-6 京公网安备 11010502049343号

^