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第二届国际第三代半导体创新创业大赛(西部赛区)在成都高新区成功举办

责任编辑:xfuesx |来源:企业网D1Net  2017-11-07 14:23:50 本文摘自:慧聪电子网

抢占全球战略竞争新高地 助力电子信息产业新发展

10月24日,记者从成都高新区获悉,第六届中国创新创业大赛之第二届国际第三代半导体创新创业大赛(西部赛区)〔以下简称“三代半大赛(西部赛区)”〕决赛暨颁奖典礼在成都高新区菁蓉国际广场举行。经过多场激烈角逐,7个具有高技术水平、特色突出的创新创业项目最终脱颖而出,将代表西部赛区出征在北京举办的第六届中国创新创业大赛之第二届国际第三代半导体创新创业大赛全球总决赛。

成都高新区创新创业服务中心副主任翁涛致辞

  成都高新区创新创业服务中心副主任翁涛致辞

科技部火炬中心原处长隋志强致辞

  科技部火炬中心原处长隋志强致辞

科技部高新司原处长刘兵致辞

  科技部高新司原处长刘兵致辞

第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山致辞

  第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山致辞

第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山致辞

  活动现场

本次大赛以“创新 集群 融合”为主题,全面汇聚国内顶尖半导体、电子信息各专业细分领域的研发机构、学者专家、资本方,是第三代半导体产业资源的一次整体化体现。成都高新区相关负责人表示,本次大赛的举行,搭建了一个项目展示、资源对接、技术探讨、资本整合的良好平台,聚集了一批优质第三代半导体企业和团队项目,促成创新创业成果与成都高新区的精准对接和优质项目落地,有助于形成第三代半导体上、中、下游完整的产业生态链,将推动成都高新区电子信息产业进一步发展。

第三代半导体材料抢占全球战略竞争新的制高点

第三代半导体材料,即以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AIN)为代表的宽禁带半导体材料。与第一代和第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有在许多运用领域无可比拟的优点,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高导热率、高电子密度、高迁移率等特点,可实现高压、高温、高频、高抗辐射能力,被誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”,以及光电子和微电子等产业的“新发动机”。

大赛组委会相关负责人表示,伴随着《“十三五”国家科技创新规划》“战略性先进电子材料”重点专项启动,第三代半导体材料与半导体照明在研究及发展方面迎来了重点性突破。“第三代半导体材料已然是提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑,是全球战略竞争新的制高点。”

2016年也被称为我国第三代半导体产业发展“元年”。同年,国家多部委出台了多项政策,对第三代半导体材料进行布局。据统计,2016年我国第三代半导体产业整体规模约为5228亿元,市场前景广阔可期。

作为全国首批国家级高新区、西部首个国家自主创新示范区、四川自由贸易试验区核心区,成都高新区已形成了集成电路、新型显示、软件与智能终端三大重点优势领域,已聚集29家世界500强企业,其中集成电路产业人才充沛,研发能力全国领先,是成都市集成电路产业的核心聚集区。

“电子信息产业是成都高新区类别最齐、规模最大、创新能力最强的支柱产业,2016年整体规模超过3250.4亿元,占全市65.2%。”成都高新区相关负责人说,在产业发展方面,成都高新区已经初步建立起覆盖设计、制造、封测、配套材料与装备的完整集成电路产业链条,聚集了格罗方德、英特尔、德州仪器、展讯等100余家集成电路企业。

此外,成都高新区在技术支撑方面,通过引进、共建、培育等多种方式,聚集了IC设计、失效分析、环境可靠性等9家集成电路公共技术平台,形成了全链条公共技术平台支撑体系,规模和技术居中西部领先水平。

7支优胜项目 代表西部赴京参加总决赛

自三代半大赛(西部赛区)启动以来,共有北京、上海、广东、福建、陕西、贵州、四川等地百余个项目参赛,分为企业组和团队组两大类进行比拼角逐。最终,30个项目进入决赛,涵盖LED、芯片、物联网、智能家居、VR等领域。

决赛阶段,经过数十位国内顶尖半导体、电子信息各专业细分领域的研发机构、专家学者的细致考量斟酌,以及复赛及决赛阶段的路演环节,最终成都晶砂科技有限公司荣获企业组冠军、相舆科技(上海)有限公司、成都启英泰伦科技有限公司、深圳鲲鹏无限科技有限公司获得企业组亚军,陕西金泽柏瑞积体电路有限公司、深圳大森智能科技有限公司获得企业组季军,普蔚锞团队在团队组中胜出。

入围第六届中国创新创业大赛之第二届国际第三代半导体创新创业大赛全球总决赛项目合影

入围第六届中国创新创业大赛之第二届国际第三代半导体创新创业大赛全球总决赛项目合影

第六届中国创新创业大赛之第二届国际第三代半导体创新创业大赛(西部赛区)优胜奖项目合影

第六届中国创新创业大赛之第二届国际第三代半导体创新创业大赛(西部赛区)优胜奖项目合影

按照赛程安排,决赛中胜出的7支参赛项目,将代表三代半大赛(西部赛区)出征即将在北京举办的第六届中国创新创业大赛之第二届国际第三代半导体创新创业大赛全球总决赛。

届时,进入总决赛的参赛项目将通过视频展示、现场演讲、回答导师提问、业务交流等环节对项目的优势和市场前景进行阐述和展示,最终的获奖企业及团队将在SSL国际论坛上接受颁奖,并获得大赛创扶资金支持,与多家投资机构进行对接,搭建交流互动的平台,以及推荐入驻孵化器等多项扶持政策。

500亿专业基金支持产业发展 成都高新区全力建设电子信息产业生态圈

成都高新区拥有第三代半导体发展的良好基础。“三代半大赛(西部赛区)选址成都高新区,也标志着成都高新区作为西部半导体产业重镇,正迎合当下第三代半导体产业发展趋势,助力西部第三代半导体产业发展。”成都高新区相关负责人说。

今年7月10日,成都高新区出台《关于支持电子信息产业发展的若干政策》,发布“加强招大引强、支持企业做大做强、构建现代化产业体系、加强人才金融支持”等政策支持条款。该政策指出,将设立不低于500亿元的专业基金,重点支持集成电路、新型显示、信息终端等优势领域,加快电子信息产业集群发展,实现产业聚集。

目前,在全国电子信息产业版图上,成都高新区已成为重要一极。2016年,成都高新区电子信息产业整体规模达3250.4亿元,占成都市65.2%,形成了集成电路、新型显示、信息终端、高端软件和信息服务四大重点领域,聚集了英特尔、格罗方德、戴尔、联想、德州仪器、富士康、华为、京东方等一批国际知名企业,拥有国家软件产业基地、国家软件出口基地等12个国家级基地授牌,是成都市建设世界软件名城的核心聚集区。

成都高新区相关负责人表示,下一步将依托格罗方德、京东方、西门子等龙头企业,围绕全球产业链、供应链、创新链、价值链、人才链,找准完善产业生态圈的关键突破口,实施强链、补链和扩链招商。通过大力引进行业龙头、研发机构、公共技术平台、领军人才、创新团队和关联配套项目,争抢国际行业标准话语权和全球资源分配主导权,吸引全球战略投资者,梯次构建政策集成、产业聚集、功能集中的产业生态圈、功能区和产业新城,打造具有国际影响力的第三代半导体产业体系,助推国家第三代半导体产业发展。

第六届中国创新创业大赛之第二届国际第三代半导体创新创业大赛(西部赛区)会后现场嘉宾合影

第六届中国创新创业大赛之第二届国际第三代半导体创新创业大赛(西部赛区)会后现场嘉宾合影

关键字:ZnO半导体照明启英创业大赛赛区

本文摘自:慧聪电子网

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第二届国际第三代半导体创新创业大赛(西部赛区)在成都高新区成功举办

责任编辑:xfuesx |来源:企业网D1Net  2017-11-07 14:23:50 本文摘自:慧聪电子网

抢占全球战略竞争新高地 助力电子信息产业新发展

10月24日,记者从成都高新区获悉,第六届中国创新创业大赛之第二届国际第三代半导体创新创业大赛(西部赛区)〔以下简称“三代半大赛(西部赛区)”〕决赛暨颁奖典礼在成都高新区菁蓉国际广场举行。经过多场激烈角逐,7个具有高技术水平、特色突出的创新创业项目最终脱颖而出,将代表西部赛区出征在北京举办的第六届中国创新创业大赛之第二届国际第三代半导体创新创业大赛全球总决赛。

成都高新区创新创业服务中心副主任翁涛致辞

  成都高新区创新创业服务中心副主任翁涛致辞

科技部火炬中心原处长隋志强致辞

  科技部火炬中心原处长隋志强致辞

科技部高新司原处长刘兵致辞

  科技部高新司原处长刘兵致辞

第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山致辞

  第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山致辞

第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山致辞

  活动现场

本次大赛以“创新 集群 融合”为主题,全面汇聚国内顶尖半导体、电子信息各专业细分领域的研发机构、学者专家、资本方,是第三代半导体产业资源的一次整体化体现。成都高新区相关负责人表示,本次大赛的举行,搭建了一个项目展示、资源对接、技术探讨、资本整合的良好平台,聚集了一批优质第三代半导体企业和团队项目,促成创新创业成果与成都高新区的精准对接和优质项目落地,有助于形成第三代半导体上、中、下游完整的产业生态链,将推动成都高新区电子信息产业进一步发展。

第三代半导体材料抢占全球战略竞争新的制高点

第三代半导体材料,即以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AIN)为代表的宽禁带半导体材料。与第一代和第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有在许多运用领域无可比拟的优点,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高导热率、高电子密度、高迁移率等特点,可实现高压、高温、高频、高抗辐射能力,被誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”,以及光电子和微电子等产业的“新发动机”。

大赛组委会相关负责人表示,伴随着《“十三五”国家科技创新规划》“战略性先进电子材料”重点专项启动,第三代半导体材料与半导体照明在研究及发展方面迎来了重点性突破。“第三代半导体材料已然是提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑,是全球战略竞争新的制高点。”

2016年也被称为我国第三代半导体产业发展“元年”。同年,国家多部委出台了多项政策,对第三代半导体材料进行布局。据统计,2016年我国第三代半导体产业整体规模约为5228亿元,市场前景广阔可期。

作为全国首批国家级高新区、西部首个国家自主创新示范区、四川自由贸易试验区核心区,成都高新区已形成了集成电路、新型显示、软件与智能终端三大重点优势领域,已聚集29家世界500强企业,其中集成电路产业人才充沛,研发能力全国领先,是成都市集成电路产业的核心聚集区。

“电子信息产业是成都高新区类别最齐、规模最大、创新能力最强的支柱产业,2016年整体规模超过3250.4亿元,占全市65.2%。”成都高新区相关负责人说,在产业发展方面,成都高新区已经初步建立起覆盖设计、制造、封测、配套材料与装备的完整集成电路产业链条,聚集了格罗方德、英特尔、德州仪器、展讯等100余家集成电路企业。

此外,成都高新区在技术支撑方面,通过引进、共建、培育等多种方式,聚集了IC设计、失效分析、环境可靠性等9家集成电路公共技术平台,形成了全链条公共技术平台支撑体系,规模和技术居中西部领先水平。

7支优胜项目 代表西部赴京参加总决赛

自三代半大赛(西部赛区)启动以来,共有北京、上海、广东、福建、陕西、贵州、四川等地百余个项目参赛,分为企业组和团队组两大类进行比拼角逐。最终,30个项目进入决赛,涵盖LED、芯片、物联网、智能家居、VR等领域。

决赛阶段,经过数十位国内顶尖半导体、电子信息各专业细分领域的研发机构、专家学者的细致考量斟酌,以及复赛及决赛阶段的路演环节,最终成都晶砂科技有限公司荣获企业组冠军、相舆科技(上海)有限公司、成都启英泰伦科技有限公司、深圳鲲鹏无限科技有限公司获得企业组亚军,陕西金泽柏瑞积体电路有限公司、深圳大森智能科技有限公司获得企业组季军,普蔚锞团队在团队组中胜出。

入围第六届中国创新创业大赛之第二届国际第三代半导体创新创业大赛全球总决赛项目合影

入围第六届中国创新创业大赛之第二届国际第三代半导体创新创业大赛全球总决赛项目合影

第六届中国创新创业大赛之第二届国际第三代半导体创新创业大赛(西部赛区)优胜奖项目合影

第六届中国创新创业大赛之第二届国际第三代半导体创新创业大赛(西部赛区)优胜奖项目合影

按照赛程安排,决赛中胜出的7支参赛项目,将代表三代半大赛(西部赛区)出征即将在北京举办的第六届中国创新创业大赛之第二届国际第三代半导体创新创业大赛全球总决赛。

届时,进入总决赛的参赛项目将通过视频展示、现场演讲、回答导师提问、业务交流等环节对项目的优势和市场前景进行阐述和展示,最终的获奖企业及团队将在SSL国际论坛上接受颁奖,并获得大赛创扶资金支持,与多家投资机构进行对接,搭建交流互动的平台,以及推荐入驻孵化器等多项扶持政策。

500亿专业基金支持产业发展 成都高新区全力建设电子信息产业生态圈

成都高新区拥有第三代半导体发展的良好基础。“三代半大赛(西部赛区)选址成都高新区,也标志着成都高新区作为西部半导体产业重镇,正迎合当下第三代半导体产业发展趋势,助力西部第三代半导体产业发展。”成都高新区相关负责人说。

今年7月10日,成都高新区出台《关于支持电子信息产业发展的若干政策》,发布“加强招大引强、支持企业做大做强、构建现代化产业体系、加强人才金融支持”等政策支持条款。该政策指出,将设立不低于500亿元的专业基金,重点支持集成电路、新型显示、信息终端等优势领域,加快电子信息产业集群发展,实现产业聚集。

目前,在全国电子信息产业版图上,成都高新区已成为重要一极。2016年,成都高新区电子信息产业整体规模达3250.4亿元,占成都市65.2%,形成了集成电路、新型显示、信息终端、高端软件和信息服务四大重点领域,聚集了英特尔、格罗方德、戴尔、联想、德州仪器、富士康、华为、京东方等一批国际知名企业,拥有国家软件产业基地、国家软件出口基地等12个国家级基地授牌,是成都市建设世界软件名城的核心聚集区。

成都高新区相关负责人表示,下一步将依托格罗方德、京东方、西门子等龙头企业,围绕全球产业链、供应链、创新链、价值链、人才链,找准完善产业生态圈的关键突破口,实施强链、补链和扩链招商。通过大力引进行业龙头、研发机构、公共技术平台、领军人才、创新团队和关联配套项目,争抢国际行业标准话语权和全球资源分配主导权,吸引全球战略投资者,梯次构建政策集成、产业聚集、功能集中的产业生态圈、功能区和产业新城,打造具有国际影响力的第三代半导体产业体系,助推国家第三代半导体产业发展。

第六届中国创新创业大赛之第二届国际第三代半导体创新创业大赛(西部赛区)会后现场嘉宾合影

第六届中国创新创业大赛之第二届国际第三代半导体创新创业大赛(西部赛区)会后现场嘉宾合影

关键字:ZnO半导体照明启英创业大赛赛区

本文摘自:慧聪电子网

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