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三星3D NAND闪存要堆100层 碾压竞争对手

责任编辑:editor004 |来源:企业网D1Net  2016-08-14 19:43:19 本文摘自:快科技

  三星3D NAND闪存要堆100层

东芝、美光近来积极布局3D立体堆叠的NAND闪存架构,东芝已经做到64层,让这方面的领导者三星感到压力山大,日前也宣布了自己的第四代V-NAND,同样达到64层,存储密度比现在提高30%,硬盘最大容量可以做到惊人的32TB。

据韩国媒体报道,基于第四代V-NAND闪存的三星固态硬盘将在今年第四季度上市,但具体产品不详——860 EVO?

三星2013年全球第一家量产了3D NAND,第一代24层,第二代增加到32层,当前的第三代为48层。

统筹三星半导体部门的金奇南社长还透露:“预计在不久的将来,三星将会推出100层以上堆叠的1TB等级的闪存产品。”

关键字:NAND闪存竞争对手

本文摘自:快科技

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三星3D NAND闪存要堆100层 碾压竞争对手

责任编辑:editor004 |来源:企业网D1Net  2016-08-14 19:43:19 本文摘自:快科技

  三星3D NAND闪存要堆100层

东芝、美光近来积极布局3D立体堆叠的NAND闪存架构,东芝已经做到64层,让这方面的领导者三星感到压力山大,日前也宣布了自己的第四代V-NAND,同样达到64层,存储密度比现在提高30%,硬盘最大容量可以做到惊人的32TB。

据韩国媒体报道,基于第四代V-NAND闪存的三星固态硬盘将在今年第四季度上市,但具体产品不详——860 EVO?

三星2013年全球第一家量产了3D NAND,第一代24层,第二代增加到32层,当前的第三代为48层。

统筹三星半导体部门的金奇南社长还透露:“预计在不久的将来,三星将会推出100层以上堆叠的1TB等级的闪存产品。”

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