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重塑半导体市场版图 SK海力士攀3D NAND王座

责任编辑:editor005 作者: 尹丽梅 |来源:企业网D1Net  2017-07-11 15:23:31 本文摘自:中国家电网

随着世界走向“第四次工业革命”,全球半导体行业正经历一场非常规的市场繁荣。

世界经济论坛将物理、数字与生物系统之间界限的模糊定义为一种技术融合,第四次工业革命不仅使数十亿人的连接有了可能,还实现了众多物体之间的连接。

这一巨大变化的核心在于3D NAND闪存芯片技术的开发。3D NAND闪存芯片的结构常常被比作高层公寓,能连接所有如智能手机、平板电脑等移动设备,还能存储海量数据。

对于主要芯片供应商而言,目前处于发展初期阶段的3D NAND闪存市场充满了机会,尤其是在未来5年,其需求每年至少增长40%。

微信图片_20170710233834

SK海力士

3D NAND闪存市场的后来者正在吸引着人们的注意,因为它们正在从美国英特尔公司以及韩国三星电子等传统芯片供应商那里寻求夺取市场领导权的机会。

SK海力士最近正引起全球的热切关注,因为其扩产72层NAND闪存芯片这一重大计划的落地,以及它获得东芝这一日本竞争对手的部分股权,使它越来越逼近3D NAND闪存市场的头把交椅。

根据市场研究机构IHS Markit的数据,截至2017年第一季度,三星在全球NAND闪存市场的份额为36.7%,紧随其后的是东芝,其份额为17.2%,西部数据份额为15.5%,SK海力士拥有11.4%的份额。

总部位于韩国京畿道利川市的SK海力士,于2015年开始开发3D NAND闪存芯片,比三星大约晚了两年。

然而,考虑到其目前3D NAND闪存技术发展的步伐以及其大规模生产能力,这个韩国第二大芯片制造商(SK 海力士)认为它的胜算非常大。

“谁抢先技术一步谁就能赢,”一位资深半导体行业官员表示。“SK海力士拥有量产72层256G 3D闪存芯片的技术,这也是迄今为止世界上最先进的技术。而在存储芯片的质量上,SK海力士也与三星并驾齐驱。”

据悉,开发下一代3D NAND闪存芯片的关键技术被称为“String tacking”,它可以将多个3D NAND闪存芯片连接起来。例如,巨大的研发资源正在被投入到将两个48层的芯片堆叠在一起,从而创造出一种96层芯片的开发中来。而据了解,芯片层数越高储存容量越大。

据报道,SK海力士已全面推出72层3D NAND芯片,这是业内迄今为止(量产)层数最高的闪存芯片。

考虑到目前制造3D NAND芯片的工具通常只能生产64层的3D NAND芯片,SK海力士能生产72层3D NAND芯片实属了不起。

尽管东芝与西部数据公司最近宣布了其已成功开发出行业内首个96层3D NAND闪存技术,但业内人士称,目前还不太清楚这一技术是否能在不久的将来大规模生产。可能它还将需要几个月或一年以上的时间。

“由于SK海力士公司的声誉是建立在制造能力而非营销能力之上的,因此技术创新是我们未来发展的首要任务。”一位业内人士表示。

“根据工程师们的说法,以他们目前的技术,达到200层堆叠是可能的,并且我们相信3D NAND闪存芯片将会迎来技术突破。”

微信图片_20170710233842

 

SK海力士正计划在其位于韩国忠清北道清州市的第二大生产基地建造一个3D NAND产品的新生产线,预计将于本月举行动土仪式。按计划,这条新生产线将于2019年运营。

为对垒SK海力士,三星上周开始运营其位于韩国京畿道平泽市的一条一流64层V-NAND闪存芯片新生产线。这个时机让三星很好地利用了自2016年第二季度以来的NAND芯片的供应紧张局势。

"市场长达几个季度供应不足,预计今年下半年芯片市场可能会有所缓解,因为多数供应商新晶圆产能的投产,以及所有供应商均增加64/72层3D NAND闪存芯片的产能,使2017年第三季度的芯片市场可能会出现轻微的供应过剩局面。”IHS分析师沃尔特·康(Walter Coon)在接受《韩国先驱报》电子邮件采访时表示。

“由于新生产力以及3D技术的转换,NAND的位元成长率(Bit Growth)预计今年下半年将出现大幅增长,未来两个季度将实现13.5%和13.2%的增长,并使年度总位元成长率在2017年达到35.5%,”他表示。

“三星、SK海力士等其他厂商的增加的晶圆产能,以及64层3D NAND闪存芯片产能的提升,应该会有助于缓解闪存芯片市场供应不足的问题。”

事实上,受供应不足影响,DRAM和NAND芯片的市场价格不断上涨,使SK海力士今年第一季度的营业利润达到了2.5万亿韩元。

根据市场研究公司集邦科技的数据,过去5个季度,NAND闪存芯片的合同价格持续上涨,月增长率约为9%。

预计该公司将再次打破这一纪录,第二季度营运利润将达到3.04万亿韩元。

“(我们)对SK海力士的年度获利预估非常乐观,预计其年底前将跳升至11.7万亿美元,”未来资产大宇(Mirae Asset Daewoo)分析师Do Hyun-woo表示。“如果和东芝的交易进展顺利,SK海力士的发展前景将更加乐观。”

SK海力士是由美国私人股本基金贝恩资本与日本国有金融机构牵头收购东芝NAND闪存业务的财团成员之一。它通过提供价值3万亿韩元的贷款来加入这个财团,以支付收购价格的15%。该财团是东芝的首选投标人。(编译自韩国先驱报网)

关键字:海力士NAND闪存

本文摘自:中国家电网

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重塑半导体市场版图 SK海力士攀3D NAND王座

责任编辑:editor005 作者: 尹丽梅 |来源:企业网D1Net  2017-07-11 15:23:31 本文摘自:中国家电网

随着世界走向“第四次工业革命”,全球半导体行业正经历一场非常规的市场繁荣。

世界经济论坛将物理、数字与生物系统之间界限的模糊定义为一种技术融合,第四次工业革命不仅使数十亿人的连接有了可能,还实现了众多物体之间的连接。

这一巨大变化的核心在于3D NAND闪存芯片技术的开发。3D NAND闪存芯片的结构常常被比作高层公寓,能连接所有如智能手机、平板电脑等移动设备,还能存储海量数据。

对于主要芯片供应商而言,目前处于发展初期阶段的3D NAND闪存市场充满了机会,尤其是在未来5年,其需求每年至少增长40%。

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SK海力士

3D NAND闪存市场的后来者正在吸引着人们的注意,因为它们正在从美国英特尔公司以及韩国三星电子等传统芯片供应商那里寻求夺取市场领导权的机会。

SK海力士最近正引起全球的热切关注,因为其扩产72层NAND闪存芯片这一重大计划的落地,以及它获得东芝这一日本竞争对手的部分股权,使它越来越逼近3D NAND闪存市场的头把交椅。

根据市场研究机构IHS Markit的数据,截至2017年第一季度,三星在全球NAND闪存市场的份额为36.7%,紧随其后的是东芝,其份额为17.2%,西部数据份额为15.5%,SK海力士拥有11.4%的份额。

总部位于韩国京畿道利川市的SK海力士,于2015年开始开发3D NAND闪存芯片,比三星大约晚了两年。

然而,考虑到其目前3D NAND闪存技术发展的步伐以及其大规模生产能力,这个韩国第二大芯片制造商(SK 海力士)认为它的胜算非常大。

“谁抢先技术一步谁就能赢,”一位资深半导体行业官员表示。“SK海力士拥有量产72层256G 3D闪存芯片的技术,这也是迄今为止世界上最先进的技术。而在存储芯片的质量上,SK海力士也与三星并驾齐驱。”

据悉,开发下一代3D NAND闪存芯片的关键技术被称为“String tacking”,它可以将多个3D NAND闪存芯片连接起来。例如,巨大的研发资源正在被投入到将两个48层的芯片堆叠在一起,从而创造出一种96层芯片的开发中来。而据了解,芯片层数越高储存容量越大。

据报道,SK海力士已全面推出72层3D NAND芯片,这是业内迄今为止(量产)层数最高的闪存芯片。

考虑到目前制造3D NAND芯片的工具通常只能生产64层的3D NAND芯片,SK海力士能生产72层3D NAND芯片实属了不起。

尽管东芝与西部数据公司最近宣布了其已成功开发出行业内首个96层3D NAND闪存技术,但业内人士称,目前还不太清楚这一技术是否能在不久的将来大规模生产。可能它还将需要几个月或一年以上的时间。

“由于SK海力士公司的声誉是建立在制造能力而非营销能力之上的,因此技术创新是我们未来发展的首要任务。”一位业内人士表示。

“根据工程师们的说法,以他们目前的技术,达到200层堆叠是可能的,并且我们相信3D NAND闪存芯片将会迎来技术突破。”

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SK海力士正计划在其位于韩国忠清北道清州市的第二大生产基地建造一个3D NAND产品的新生产线,预计将于本月举行动土仪式。按计划,这条新生产线将于2019年运营。

为对垒SK海力士,三星上周开始运营其位于韩国京畿道平泽市的一条一流64层V-NAND闪存芯片新生产线。这个时机让三星很好地利用了自2016年第二季度以来的NAND芯片的供应紧张局势。

"市场长达几个季度供应不足,预计今年下半年芯片市场可能会有所缓解,因为多数供应商新晶圆产能的投产,以及所有供应商均增加64/72层3D NAND闪存芯片的产能,使2017年第三季度的芯片市场可能会出现轻微的供应过剩局面。”IHS分析师沃尔特·康(Walter Coon)在接受《韩国先驱报》电子邮件采访时表示。

“由于新生产力以及3D技术的转换,NAND的位元成长率(Bit Growth)预计今年下半年将出现大幅增长,未来两个季度将实现13.5%和13.2%的增长,并使年度总位元成长率在2017年达到35.5%,”他表示。

“三星、SK海力士等其他厂商的增加的晶圆产能,以及64层3D NAND闪存芯片产能的提升,应该会有助于缓解闪存芯片市场供应不足的问题。”

事实上,受供应不足影响,DRAM和NAND芯片的市场价格不断上涨,使SK海力士今年第一季度的营业利润达到了2.5万亿韩元。

根据市场研究公司集邦科技的数据,过去5个季度,NAND闪存芯片的合同价格持续上涨,月增长率约为9%。

预计该公司将再次打破这一纪录,第二季度营运利润将达到3.04万亿韩元。

“(我们)对SK海力士的年度获利预估非常乐观,预计其年底前将跳升至11.7万亿美元,”未来资产大宇(Mirae Asset Daewoo)分析师Do Hyun-woo表示。“如果和东芝的交易进展顺利,SK海力士的发展前景将更加乐观。”

SK海力士是由美国私人股本基金贝恩资本与日本国有金融机构牵头收购东芝NAND闪存业务的财团成员之一。它通过提供价值3万亿韩元的贷款来加入这个财团,以支付收购价格的15%。该财团是东芝的首选投标人。(编译自韩国先驱报网)

关键字:海力士NAND闪存

本文摘自:中国家电网

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