责任编辑：editor006 | 2017-12-05 16:17:22 本文摘自：快科技
Western Digital（西部数据）今天推出了新一代iNAND嵌入式闪存芯片产品，分别支持UFS和eMMC两种标准类型，但均基于SanDisk的64层3D堆叠技术。其中，iNAND 8521支持UFS2.1，第五代智能SLC技术（小容量SLC做缓存），号称连续写入速度比当下的iNAND 7232(eMMC 5.1)提升了1倍（600MB/s），随机读取更是快了10倍，号称专为5G网络时代而生。
而iNAND 7550支持eMMC5.1标准，性价比更高，连续写入速度260MB/s，随机读取20K、写入15K。
西数表示，iNAND 8521和iNAND 7550已经开始交付OEM厂商试样，容量是256GB。
SanDiks加入UFS2.1阵营，三星、东芝、SK海力士的有了新的对手，当然对于手机厂商和消费者来说，供货更稳定也会加速普及。
按照Counterpoint Research研究员Neil Shah的说法，到明年底，全球所有手机的ROM平均容量将超越60GB。
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责任编辑：editor006 | 2017-12-05 16:17:22 本文摘自：快科技
Western Digital（西部数据）今天推出了新一代iNAND嵌入式闪存芯片产品，分别支持UFS和eMMC两种标准类型，但均基于SanDisk的64层3D堆叠技术。其中，iNAND 8521支持UFS2.1，第五代智能SLC技术（小容量SLC做缓存），号称连续写入速度比当下的iNAND 7232(eMMC 5.1)提升了1倍（600MB/s），随机读取更是快了10倍，号称专为5G网络时代而生。
而iNAND 7550支持eMMC5.1标准，性价比更高，连续写入速度260MB/s，随机读取20K、写入15K。
西数表示，iNAND 8521和iNAND 7550已经开始交付OEM厂商试样，容量是256GB。
SanDiks加入UFS2.1阵营，三星、东芝、SK海力士的有了新的对手，当然对于手机厂商和消费者来说，供货更稳定也会加速普及。
按照Counterpoint Research研究员Neil Shah的说法，到明年底，全球所有手机的ROM平均容量将超越60GB。
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