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中国第一条自主DDR4内存曝光:单条4GB

责任编辑:editor004 |来源:企业网D1Net  2017-12-23 21:37:42 本文摘自:快科技

虽然我国在各个科学技术领域都突飞猛进,达到或者超过了国际顶尖水平,但是半导体领域一直是个很大的短板,当然我们也在努力追赶,CPU处理器无论超算还是消费领域都有了突破,内存存储也在大踏步追赶。

尤其是这两年,内存持续价格持续飙升,三星、SK海力士、美光几家寡头牢牢掌握着话语权,更凸显了自主的必要。

现在,紫光终于打造出了中国第一款自主的PC DDR4内存条,DRAM颗粒完全自己研发。

从网上曝光的图片看,这条内存上有明显的紫光国芯(UnilC)标识,是个朴素的裸条设计,单条容量为4GB,更具体的规格参数看不太清楚。

西安紫光国芯半导体有限公司,是在原德国奇梦达科技(西安)有限公司2009年5月改制重建的基础上发展起来的,2003年作为德国英飞凌科技存储器事业部在西安成立。2006年英飞凌的存储事业部拆分上市成为奇梦达科技,奇梦达科技(西安)有限公司也随之成立,并开始作为一家独立的公司运营。

2009年,浪潮集团收购原德国奇梦达科技(西安)有限公司,进行改制重建,并更名为西安华芯半导体有限公司。2015年,紫光集团旗下紫光国芯股份有限公司收购西安华芯半导体有限公司,并更名为西安紫光国芯半导体有限公司。

西安紫光国芯的核心业务是存储器设计开发,自有品牌存储器产品量产销售,以及专用集成电路设计开发服务。同时还承担着国家科技重大专项“核高基”和国家高技术发展计划“863”等多个存储器领域的重大专项研究项目和课题。

今年1月份,紫光集团宣布投资2000亿元在南京建设半导体产业基地,一期建成后将是中国规模最大的芯片制造工厂,月产晶圆10万片。

去年7月,紫光还参与了长江存储的投资,后者计划总投资1600亿元,打造国产3D NAND闪存,还组建了500人的研发团队,攻关DRAM内存制造技术。

关键字:海力士 NAND闪存 存储器

本文摘自:快科技

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