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解析三星/美光/ST/IBM在相变存储器领域的布局

责任编辑:editor005 |来源:企业网D1Net  2016-08-08 15:34:46 本文摘自:中国产业信息网

编者按:存储器广泛应用于计算机、消费电子、网络存储、物联网、国家安全等重要领域,是一种重要的、基础性的产品。

2015年国内集成电路市场超10000亿,其中存储器的市场总额(包括逻辑芯片中的存储器)超过6100亿元,市场空间巨大。

存储器领域的基本类型

存储器芯片领域,主要分为两类:易失性和非易失性。易失性:断电以后,存储器内的信息就流失了,例如 DRAM,电脑中的内存条。非易失性:断电以后,存储器内的信息仍然存在,主要是闪存(Nand FLASH 和 NOR FLASH),NOR 主要应用于代码存储介质中,而 NAND 则用于数据存储。在整个存储器芯片里面,主要有的三种产品是:DRAM、NOR FLASH 和 Nand FLASH。

DRAM市场上主要由三星、海力士和美光三大巨头垄断,占比达到 90%以上。从 Nand FLASH 市场来讲,2016 年第一季度,三星占了 35.1%,所占市场份额很大。整个存储器芯片里面,三星所占市场份额是最大的,目前在市场上主导地位的是闪存(flash memory)。当工艺线宽小于 16nm 的时候,传统闪存面临着一定的物理极限。主要的问题:1、可靠性问题。工艺线宽尺寸小于 16nm 时,厚度逐渐下降,可靠性存在问题,可靠性限制了存储器单层的厚度。2、当然那还有构造问题。3、擦写速度慢。4、有效的擦写次数。

三星

2008年基于90nm工艺制备512Mb相变存储器芯片; 2011年基于58nm工艺制备1Gb相变存储器芯片;2012 年基于 20nm 工艺制备 8Gb 相变存储器芯片;2014 年发布相变存储器的产业报告。

三星在相变存储器领域的布局

2009 年基于 45nm 工艺制备1Gb 相变存储器芯片; 2011 年发布第一款基于相变存储器的 SSD;2013 年基于 45nm 工艺 1Gb 相变存储器芯片实现量产;2015 年联合 Intel发布 3D Xpoint。

美光在相变存储器领域的布局

  意法半导体

2009 年联合恒亿共同发布 90nm 工艺 4Mb 嵌入式相变存储器芯片;2010 年,发布了通过材料改性工程 N-GeTe 实现更好的热稳定性及数据保持;2013 年,发布了通过材料改性工程 N-Ge-GST实现 SET与高低组保持的性能平衡。

意法半导体在相变存储器领域的布局

  IBM

2011 年 IBM发布了多值的相变存储器操作算法,然后推出了基于 MIEC 材料选通的多层crosspoint存储器。 2014年IBM发布了6位多值存储电阻漂移的算法解决办法, 2016年发布多值相变存储器,进入 90nm 工艺。

IBM在相变存储器领域的布局

  国际其他产家,包括英特尔、台积电等都有在其中做过相关工作。

国际其他厂商在相变存储器领域的布局

关键字:存储器芯片IBM

本文摘自:中国产业信息网

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解析三星/美光/ST/IBM在相变存储器领域的布局

责任编辑:editor005 |来源:企业网D1Net  2016-08-08 15:34:46 本文摘自:中国产业信息网

编者按:存储器广泛应用于计算机、消费电子、网络存储、物联网、国家安全等重要领域,是一种重要的、基础性的产品。

2015年国内集成电路市场超10000亿,其中存储器的市场总额(包括逻辑芯片中的存储器)超过6100亿元,市场空间巨大。

存储器领域的基本类型

存储器芯片领域,主要分为两类:易失性和非易失性。易失性:断电以后,存储器内的信息就流失了,例如 DRAM,电脑中的内存条。非易失性:断电以后,存储器内的信息仍然存在,主要是闪存(Nand FLASH 和 NOR FLASH),NOR 主要应用于代码存储介质中,而 NAND 则用于数据存储。在整个存储器芯片里面,主要有的三种产品是:DRAM、NOR FLASH 和 Nand FLASH。

DRAM市场上主要由三星、海力士和美光三大巨头垄断,占比达到 90%以上。从 Nand FLASH 市场来讲,2016 年第一季度,三星占了 35.1%,所占市场份额很大。整个存储器芯片里面,三星所占市场份额是最大的,目前在市场上主导地位的是闪存(flash memory)。当工艺线宽小于 16nm 的时候,传统闪存面临着一定的物理极限。主要的问题:1、可靠性问题。工艺线宽尺寸小于 16nm 时,厚度逐渐下降,可靠性存在问题,可靠性限制了存储器单层的厚度。2、当然那还有构造问题。3、擦写速度慢。4、有效的擦写次数。

三星

2008年基于90nm工艺制备512Mb相变存储器芯片; 2011年基于58nm工艺制备1Gb相变存储器芯片;2012 年基于 20nm 工艺制备 8Gb 相变存储器芯片;2014 年发布相变存储器的产业报告。

三星在相变存储器领域的布局

2009 年基于 45nm 工艺制备1Gb 相变存储器芯片; 2011 年发布第一款基于相变存储器的 SSD;2013 年基于 45nm 工艺 1Gb 相变存储器芯片实现量产;2015 年联合 Intel发布 3D Xpoint。

美光在相变存储器领域的布局

  意法半导体

2009 年联合恒亿共同发布 90nm 工艺 4Mb 嵌入式相变存储器芯片;2010 年,发布了通过材料改性工程 N-GeTe 实现更好的热稳定性及数据保持;2013 年,发布了通过材料改性工程 N-Ge-GST实现 SET与高低组保持的性能平衡。

意法半导体在相变存储器领域的布局

  IBM

2011 年 IBM发布了多值的相变存储器操作算法,然后推出了基于 MIEC 材料选通的多层crosspoint存储器。 2014年IBM发布了6位多值存储电阻漂移的算法解决办法, 2016年发布多值相变存储器,进入 90nm 工艺。

IBM在相变存储器领域的布局

  国际其他产家,包括英特尔、台积电等都有在其中做过相关工作。

国际其他厂商在相变存储器领域的布局

关键字:存储器芯片IBM

本文摘自:中国产业信息网

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