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中国三大存储器厂商建厂神速,明年上半年迎“装机大战”

责任编辑:editor005 |来源:企业网D1Net  2017-07-11 15:23:07 本文摘自:集微网

SEMI(国际半导体产业协会)“全球晶圆厂预测”最新报告指出,2017年中国总计有14座晶圆厂正在兴建,并将于2018年开始装机。2018年中国晶圆设备支出总金额将逾100亿美元,成长超过55%,全年支出金额位居全球第二。总计2017年中国将有48座晶圆厂有设备投资,支出金额达67亿美元。展望2018年,SEMI预估中国将有49座晶圆厂有设备投资,支出金额约100亿美元。

目前国内三大存储器厂商正处于紧锣密鼓的施工阶段,预计2018上半年陆续进入设备安装阶段,新一轮的设备入厂调试安装大戏即将上演。

武汉:长江存储

2016年7月26日,长江存储科技有限责任公司正式成立,武汉新芯将成为长江存储的全资子公司,而紫光集团则是参与长江存储的二期出资。注册地位于武汉东湖开发区关东科技工业园的长江存储,公司注册资本189亿元。

2016年12月30日,由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设的国家存储器基地项目,在武汉东湖高新区正式动工建设。该项目总投资240亿美元,主要生产存储器芯片,总占地面积1968亩。

这一项目即将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑,其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。项目一期计划2018年建成投产,2020年完成整个项目,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。

目前,长江存储32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试,达到预期要求。预计2018年实现量产,并于2019年实现产能满载。

今年6月,长江存储的厂址区域正在加速打桩工作中。预计2018年4月将实现设备安装,第一阶段每月的产能大约在50,000片,大规模生产的产品将是长江存储64层的3D NAND产品。

相信,2018年第一家具有中国自主知识产权的 3D NAND 即将诞生。如果说2017年是东芝的天下,2018年必将在中国存储器行业划下浓重的一笔。

合肥长鑫

总投资额达72亿美元的合肥长鑫12寸存储晶圆厂,以生产 19nm DRAM 产品为主,预计2019年底将实现达 12.5万片的月产能。

据悉,该厂的生产设备安装时间预计在2018年第一季度,目前已开始与晶圆供应商进行商谈,以确保 2018 年内获得稳定的晶圆供应。在晶圆厂建设完成之后,月产能预计将高达 12.5 万片,其规模将与韩国 SK Hynix 现在的产能差不多,比福建晋华的存储器产能更高,仅次于紫光在武汉的 12 寸晶圆厂月产能 20 万片的规模。

据了解,长鑫目前已网罗SK海力士、华亚科及台厂DRAM设计公司相关人员,构成陆日台的存储器研发团队,预定2017年人才储备达到千人规模、2018年上看2,000人。

目前可见,合肥长鑫的施工速度要比长江存储的速度快一些,厂房正在加速建设中,预计9月完成。从产品的原型设计,到试量产仍需要一年多的时间,加上产能的提升,预计2019年2月才能实现大规模量产,2019年底有望实现12.5万片的月产能。

福建晋华存储项目

目前进度最快的是福建晋华存储器生产线项目,在近6万平方米的施工现场,钢筋密度最大、施工难度最高、用工量最繁复的主厂房,正进行钢结构吊装,目前也已完成一半的工程量,最快今(2017)年10月,主厂房将顺利封顶。

据悉,今年4月~6月晋华已计划推出R&D迷你产线,以实现每月 5000 片的产能,无论从产品进度和施工作业来看,晋华存储器项目的速度都是最快。

福建省晋华集成电路有限公司(简称晋华公司)是由福建省电子信息集团、晋江能源投资集团有限公司等共同出资的集成电路生产企业,是中国国家基金积极布局的战略项目。

目前一期总投资370亿元,已纳入国家十三五集成电路重大项目清单,并得到第一笔 30 亿元国家专项资金支持,将通过引进台湾和全球技术、人才、资源,打造中国第一个自主技术的内存制造项目及 12 吋晶圆厂,争取 3-5 年内在国内主板上市。

2016年5月联电宣布与晋华集成电路公司签约合作,由联电负责开发DRAM制程相关技术。福建省晋华12寸新厂初期将导入32纳米制程,预期在2018年9月开始试产,投入DRAM及相关产品的研发生产与销售,预计2019年到2020年期间将月产能扩大至3万片。

中芯国际、华力微、淮安德科码纷纷建厂

2016年10月,中芯国际投资近百亿美元在上海开启新的12寸集成电路生产线,可覆盖14nm至10/7nm工艺节点,满产后规模可达每月7万片,供应给新一代移动通讯和智能终端机领域。其天津8寸厂开启了扩建项目,目前月产能在4.5万片,预计全部达产后中芯天津月产能将达15万片8英寸晶圆。在深圳中芯国际也将启动一条12寸产线,定位主流成熟技术,预计2017年底投产,预期产能将达每月4万片晶圆。

2016年11月,华力微二期12寸新生产线建设项目正式启动,将在浦东新区康桥工业区南区建设一条月产能4万片,工艺为28-20-14纳米的12英寸集成电路芯片生产线,主要从事逻辑芯片生产,重点服务国内设计企业先进芯片的制造需求。该项目预计2018年底完成工艺串线、试生产,形成 1 万片生产能力,2022年前实现达产。

2017年6月,淮安德科码开启12英吋半导体芯片晶圆厂项目,总投资150亿元,一期为年产24万片,预计9月开始生产设备的安装。

关键字:装机海力士晋华

本文摘自:集微网

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中国三大存储器厂商建厂神速,明年上半年迎“装机大战”

责任编辑:editor005 |来源:企业网D1Net  2017-07-11 15:23:07 本文摘自:集微网

SEMI(国际半导体产业协会)“全球晶圆厂预测”最新报告指出,2017年中国总计有14座晶圆厂正在兴建,并将于2018年开始装机。2018年中国晶圆设备支出总金额将逾100亿美元,成长超过55%,全年支出金额位居全球第二。总计2017年中国将有48座晶圆厂有设备投资,支出金额达67亿美元。展望2018年,SEMI预估中国将有49座晶圆厂有设备投资,支出金额约100亿美元。

目前国内三大存储器厂商正处于紧锣密鼓的施工阶段,预计2018上半年陆续进入设备安装阶段,新一轮的设备入厂调试安装大戏即将上演。

武汉:长江存储

2016年7月26日,长江存储科技有限责任公司正式成立,武汉新芯将成为长江存储的全资子公司,而紫光集团则是参与长江存储的二期出资。注册地位于武汉东湖开发区关东科技工业园的长江存储,公司注册资本189亿元。

2016年12月30日,由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设的国家存储器基地项目,在武汉东湖高新区正式动工建设。该项目总投资240亿美元,主要生产存储器芯片,总占地面积1968亩。

这一项目即将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑,其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。项目一期计划2018年建成投产,2020年完成整个项目,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。

目前,长江存储32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试,达到预期要求。预计2018年实现量产,并于2019年实现产能满载。

今年6月,长江存储的厂址区域正在加速打桩工作中。预计2018年4月将实现设备安装,第一阶段每月的产能大约在50,000片,大规模生产的产品将是长江存储64层的3D NAND产品。

相信,2018年第一家具有中国自主知识产权的 3D NAND 即将诞生。如果说2017年是东芝的天下,2018年必将在中国存储器行业划下浓重的一笔。

合肥长鑫

总投资额达72亿美元的合肥长鑫12寸存储晶圆厂,以生产 19nm DRAM 产品为主,预计2019年底将实现达 12.5万片的月产能。

据悉,该厂的生产设备安装时间预计在2018年第一季度,目前已开始与晶圆供应商进行商谈,以确保 2018 年内获得稳定的晶圆供应。在晶圆厂建设完成之后,月产能预计将高达 12.5 万片,其规模将与韩国 SK Hynix 现在的产能差不多,比福建晋华的存储器产能更高,仅次于紫光在武汉的 12 寸晶圆厂月产能 20 万片的规模。

据了解,长鑫目前已网罗SK海力士、华亚科及台厂DRAM设计公司相关人员,构成陆日台的存储器研发团队,预定2017年人才储备达到千人规模、2018年上看2,000人。

目前可见,合肥长鑫的施工速度要比长江存储的速度快一些,厂房正在加速建设中,预计9月完成。从产品的原型设计,到试量产仍需要一年多的时间,加上产能的提升,预计2019年2月才能实现大规模量产,2019年底有望实现12.5万片的月产能。

福建晋华存储项目

目前进度最快的是福建晋华存储器生产线项目,在近6万平方米的施工现场,钢筋密度最大、施工难度最高、用工量最繁复的主厂房,正进行钢结构吊装,目前也已完成一半的工程量,最快今(2017)年10月,主厂房将顺利封顶。

据悉,今年4月~6月晋华已计划推出R&D迷你产线,以实现每月 5000 片的产能,无论从产品进度和施工作业来看,晋华存储器项目的速度都是最快。

福建省晋华集成电路有限公司(简称晋华公司)是由福建省电子信息集团、晋江能源投资集团有限公司等共同出资的集成电路生产企业,是中国国家基金积极布局的战略项目。

目前一期总投资370亿元,已纳入国家十三五集成电路重大项目清单,并得到第一笔 30 亿元国家专项资金支持,将通过引进台湾和全球技术、人才、资源,打造中国第一个自主技术的内存制造项目及 12 吋晶圆厂,争取 3-5 年内在国内主板上市。

2016年5月联电宣布与晋华集成电路公司签约合作,由联电负责开发DRAM制程相关技术。福建省晋华12寸新厂初期将导入32纳米制程,预期在2018年9月开始试产,投入DRAM及相关产品的研发生产与销售,预计2019年到2020年期间将月产能扩大至3万片。

中芯国际、华力微、淮安德科码纷纷建厂

2016年10月,中芯国际投资近百亿美元在上海开启新的12寸集成电路生产线,可覆盖14nm至10/7nm工艺节点,满产后规模可达每月7万片,供应给新一代移动通讯和智能终端机领域。其天津8寸厂开启了扩建项目,目前月产能在4.5万片,预计全部达产后中芯天津月产能将达15万片8英寸晶圆。在深圳中芯国际也将启动一条12寸产线,定位主流成熟技术,预计2017年底投产,预期产能将达每月4万片晶圆。

2016年11月,华力微二期12寸新生产线建设项目正式启动,将在浦东新区康桥工业区南区建设一条月产能4万片,工艺为28-20-14纳米的12英寸集成电路芯片生产线,主要从事逻辑芯片生产,重点服务国内设计企业先进芯片的制造需求。该项目预计2018年底完成工艺串线、试生产,形成 1 万片生产能力,2022年前实现达产。

2017年6月,淮安德科码开启12英吋半导体芯片晶圆厂项目,总投资150亿元,一期为年产24万片,预计9月开始生产设备的安装。

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