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研究人员表示,中国将自主建设DRAM存储器工厂

责任编辑:editor007 |来源:企业网D1Net  2017-12-22 21:54:54 本文摘自:The Register

业内研究人员表示,中国目前有三家厂商正在建设的闪存与存储器工厂,旨在确保自身能够在NAND与DRAM方面实现自给自足。

一篇名为《中国半导体行业分析》的TrendForce报告对此这样解释道,这些正在建造闪存与存储器工厂的厂商实际上是得到了来自于该行业与国家的资金支持。此外,该份报告补充称,中国方面试图在2013—2015年期间完成其对美国半导体公司的收购或入股,而该尝试终以失败结尾。在此之后,中国方面则立即开始进行另一方案——自主建设晶圆代工厂。

 

研究人员表示,中国将自主建设DRAM存储器工厂

 

TrendForce统计了三家中国晶圆代工厂集团的概况

清华紫光子公司YMTC(扬子存储器技术公司)主要致力于研究3D NAND。首先,该公司将开发诸如存储卡与USB驱动器等低端产品;此外,相关研究人员表示,该公司的技术还无法与目前SSD市场上成熟的全球供应商匹敌。而当其分层技术达到64与96层时,将正式宣布进入SSD市场。

YMTC方面正在武汉东湖新技术开发区建造闪存厂。随着YMTC的入驻,尽管XMC目前正在中国试验NAND晶圆生产,但其将转向研究NOR Flash,而将3D NAND让位于YMTC。

Innotron公司的研究领域在于增加移动端的DRAM容量。据TrendForcers方面的报告显示,这是一个关注低功耗且竞争尤为激烈的领域。由于中国品牌占全球智能手机出货量的40%以上,并且在中国政府的津贴与扶持政策的帮助下,Innotron方面当然能够凭借其LPDDR4内存在该领域取得不错的成绩。

JHICC公司则是专注于为消费电子市场制造专用的DRAM。与Innotron方面相同,该公司也获得了中国政府的经费支持,预计将增加生产设备并可能将于明年进军国际市场。

要想获得成功,这三家中国本土DRAM与NAND供应商所面临的挑战即是击败该领域内的国际竞争对手。而如果这种胜利在未来的三到五年得以实现,那么彼时的三星、SK海力士、东芝/西部数据、美光/英特尔等公司不仅将失去该市场领域的收入份额,同时还将面临中国市场份额的巨大损失。

关键字:研究人员 存储器

本文摘自:The Register

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