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拼了!花500亿研究存储芯片,力争年底研发成功

责任编辑:zsheng |来源:企业网D1Net  2018-08-12 16:27:20 本文摘自:澄泓财经

一、国产存储器重要突破

7月16日,合肥长鑫发布首个中国自主研发的8Gb LPDDR4 DRAM芯片,并计划将于2018年年底推出工程样品,这是国产DRAM产业的一个里程碑。

同时,从关键事件节点来看,兆易创新原董事长朱一明,宣布辞去兆易创新CEO,从原王宁国手上正式接任合肥长鑫存储及睿力CEO。

此人事变动似乎也宣告,合肥长鑫存储及睿力从王宁国核心团队为主导的建厂草创期,进入以设计研发量产为主导,迈入下一个阶段。

从现有的国内存储器芯片生产企业来看,DRAM基地主要是合肥长鑫,合肥长鑫现在的合作方是兆易创新,2017年10月份兆易创新宣布斥资180亿元进军DRAM市场,与合肥市产业投资控股有限公司合作,目标是研发19纳米工艺的DRAM内存,预计在2018年12月31日前研发成功,即实现产品良率(测试电性良好的芯片占整个晶圆的比例)不低于10%。这一时间节点值得重点关注,研究君也会保持跟踪。

合肥长鑫的DRAM项目投资超过72亿美元(495亿人民币),项目建设三期工程,目前建设的是一期工程12英寸晶圆厂,建成后月产能为12.5万片晶圆,有媒体报道这个产能将占到全球DRAM内存产能的8%。

根据计划,合肥长鑫将于2018年年底推出8Gb LPDDR4工程样品,2019年三季度推出8Gb LPDDR4,到2019年年底,产能将达到2万片一个月。从2020年开始,公司则开始规划二厂,2021年则完成17纳米技术的研发。

二、存储芯片乃半导体咽喉

存储设备分为磁盘和存储芯片(Memory)。磁盘,是指利用磁能方式存储信息,存储过程中需要磁性盘片的机械运动,日常生活中非常常见的电脑硬盘、移动硬盘就属于此类;存储芯片(Memory)则是以半导体为材料的存储介质,我们平日常用的U 盘、PC内存、SSD(固态硬盘)等是Memory 的范围。

 

 

在分类上,以断电后存储数据是否丢失为标准,存储芯片(Memory)可分2类:一类是非易失性存储器(Non-Volatile Memory),这一类Memory 断电后数据能够存储,主要以NAND Flash为代表,常见于U 盘和SSD(固态硬盘);另一类是易失性存储器(VolatileMemory),这一类Memory 断电后数据不能储存,主要以DRAM为代表, 常用于电脑、手机内存。

除了NAND Flash 和DRAM,Memory 还包含其他门类,例如Nor Flash、SRAM等。但从产值构成来分析,NAND Flash 和DRAM 是构成Memory 产业的核心构成,分别占据Memory 产值的37%和57%。

DRAM因为其应用的广泛性和重要性,是电子产品必不可少的一种重要半导体元件。也是原器件领域的一个重要组成部分。根据IHS Markit的数据,2017年全球动态随机存取存储器(DRAM)的市场规模为722亿美元,较2016年的415亿美元增长了74%。更重要的一点的是,从2016年开始,DRAM的价格多次提高,2017年的价格涨幅更是高达40%。让一些终端厂商,尤其是国内的厂商叫苦不堪。

DRAM全球高端垄断、国产DRAM是空白!在2017年的DRAM市场,三星电子以44.5%的市场份额稳居市场第一,SK海力士则以27.9%的市场份额紧追其后。美光科技(22.9%)、南亚科技(2.2%)、华邦电子(0.8%)分列其后。这几家几乎囊括了全球所有的DRAM供应。

市场规模较小的NOR Flash,格局稍显分散,美光(占比25%)、Cypress(收购了飞梭半导体)、旺宏、三星、华邦、兆易创新、宜扬科技等7家占据了90%以上份额。其中,兆易创新(603986)目前国内稀缺,全球市占率在10%左右。

存储器芯片具有广阔的应用场景和重要的战略地位。随着各种应用程序的越来越复杂,各种新兴场景的不断落地应用,例如:人工智能、物联网、大数据、5G等,需要存储的数据也越来越庞大。

目前,信息数据已经不仅仅是数字,而是一种资产。DRAM需求在未来几年会迅速增长。国内作为主要的制造大国,对其需求有增无减。多方面的因素综合,迫使中国去打造自主可控的DRAM企业。

据统计,中国消耗了全球20%的DRAM及25%的NAND,2017年中国进口存储器889.21亿美元,同比2016年的637.14亿美元增长了39.56%。

国内存储芯片(Memory)的战略计划,第一步是自建大规模的NAND Flash产能,尤其是发力新型3D NAND闪存技术,第二步逐渐进军技术难度相对较大、垄断更为严重的DRAM市场。这次投片的合肥长鑫将扮演国产DRAM的重要角色!

三、存储芯片相关个股分析

存储芯片(Memory )的上下游,其实就是整个大IC(集成电路)的产业链条:设计、制造、封测。因此,对应的也有两种生产模式:IDM模式、fabless模式。

DRAM巨头海力士、美光等是IDM模式,设计和制造全自家包办,兆易创新是fabless模式。A股涉及存储芯片的公司包括:兆易创新、太极实业、北方华创、长川科技等。

 

 

1.DRAM

存储特征:断电后数据不能存储。

应用领域:主要是PC、手机、服务器的内存,分别占比30%、35%、15%。物联网领域的DRAM的应用也在渗透,占15%左右。

量价特征:目前主要是供给和需求决定DRAM的价格走势,而非技术升级。DRAM技术更新不明显,DDR3作为主流技术已经存续超过5年,技术提升带来的成本下降,没有NAND Flash那么明显。

市场空间与技术趋势:1)2015年全球市场约410亿美元;2)Trend Force预计2015年中国市场消耗DRAM高达120亿美元,占全球比重23.2%,预计导2018年,中国DRAM市场容量将达到210美元规模,占全球比重达到29%;

3)存储芯片(尤其是DRAM)持续紧缺,随着PC操作系统由32位转向64位,对于内存的需求大大增加,往往要从4GB升级至8GB乃至16GB,此外手机需求也是最大利好。

竞争格局:1)3家垄断:三星、SK海力士、美光,合计占据全球95%以上份额,三家市占率约4:3:2。

巨头技术水平:三星已经大规模采用20nm制程,毛利率也达到40%;SK海力士采用25nm制程,毛利率也达到了40%;美光制程水平较靠后,以30nm为主,毛利率为25%左右。

2)国内企业在DRAM领域的市占率几乎为0。

国内企业(含A股)

1)太极实业:A股最纯正的Memory封测标的,2009年与DRAM巨头海力士合资成立海太半导体,专门承接DRAM芯片封测。

2)深科技:2015年收购金士顿(KINSTON)核心封测厂商沛顿科技100%股权;2016年4月导入DDR4项目,截至今年6月底,出货量已经突破150万条。

3)晶方科技:2015年2月收购智端达科技,后者是原DRAM巨头奇梦达科技位于苏州工业园的封装测试和模组工厂。

4)紫光国芯:2015年8月收购西安华芯51%股权,该公司申请DRAM专利为国内之最,但目前无实质产能。

2.NAND Flash

存储特征:断电后数据能够存储,可大容量存储。

应用领域:闪存卡、U盘、SSD(固态硬盘)

量价特征:除供需外,3D NAND技术采用更为先进制程和架构设计,单位材料可以存储更多信息,也可有效减少成本,导致NAND Flash价格走低。

市场空间与技术趋势:1)2015年全球市场约300亿美元;2)SSD(固态硬盘)替代传统机械硬盘(HHD)的趋势不可阻挡,尤其是3D NAND闪存技术将提振SSD(固态硬盘)需求,在PC端、企业服务器领域渗透率提高将导致SSD出货量大增。NAND Flash已经取代手机基带/AP 和CPU,成为半导体产业创新驱动和产值的最大领域。

竞争格局:1)4分天下:三星市占率连续保持在35%上下;东芝与闪迪(SanDisk)合占30%左右;再就是美光、海力士。以上四家市占率达到令人咋舌的99%。

2)中金公司预计,紫光国芯在NAND市场份额将占中国总需求的50%左右,即300亿人民币。

国内企业(含A股)

1)紫光国芯:大股东紫光集团2015年控股西部数据,而西部数据又以约190亿美元收购闪迪(SanDisk);大额定增中,600亿元拟投入存储芯片工厂,预计可新增12万片/月产能,将贡献营业收入354亿元,年均利润为87.2亿元,满产时间在4年后。

2)武汉新芯(长江存储):主要产品为3D NAND,拟投入1600亿元,存储厂预计于2018年完工,2019年量产,首批产能为4万片,预计到2020年形成月产能30万片,到2030年每月产能100万片。

3)华天科技:2015年与武汉新芯签订战略合作协议,将部分承接后者的Memory封测订单。

3.NOR Flash

存储特征:断电后数据能够存储,主要用于存储代码。属于小容量型。

应用领域:手机、USB KEY、机顶盒等的代码闪存应用。

量价特征:下游需求

市场空间:2015年全球市场约30亿美元。

竞争格局:1)空间小、格局分散,巨头逐步退出小容量、毛利较低的NOR Flash市场;2)美光(占比25%)、Cypress(收购了飞梭半导体)、旺宏、三星、华邦、兆易创新、宜扬科技等7家瓜分份额。

国内企业(含A股)

1)兆易创新:国内NOR Flash绝对龙头,目前全球市占率10%左右。

四、重点关注个股

针对此次合肥长鑫的DRAM投片,我们主要看好三只相关个股:

1.直接合作方

兆易创新:(1)国内稀缺的存储芯片龙头,Nor flash国内第一;(2)2017年8-9月,大股东增持,国家集成电路大(更多半导体相关个股的深度研究报告,请关注“澄泓财经”wei 信号,回复关键字“半导体”,即可查看详情。)基金入股11%;(3)入股晶圆制造龙头中芯国际,进一步夯实战略联盟;(4)2018年3月收购思立微,打造存储-微处理-传感交互一体式解决方案;

(5)兆易创新和合肥长鑫DRAM合作非常顺利!2017年10月,兆易创新宣布,与合肥长鑫进行19nm存储器的12英寸晶圆存储器(含DRAM等)研发项目合作。目标在 2018 年12 月 31 日前研发成功,即实现产品良率(测试电性良好的芯片占整个晶圆的比例)不低于 10%。此次合肥长鑫的重要突破,也利好兆易创新的DRAM战略!

2.存储芯片设备厂商

1)北方华创:(1)北方华创是由七星电子和北方微电子战略重组而成,是半导体设备龙头。公司主营业务包括半导体装备、真空装备、新能源锂电装备及精密元器件四大业务;(2)中国大陆地区是全球第三大半导体设备市场,但国内半导体设备自给率不足15%,进口替代空间巨大;

(3)公司于2018年1月完成收购美国Akrion公司,形成涵盖应用于集成电路、先进封装、功率器件、微机电系统和半导体照明等泛半导体领域的8-12英寸批式和单片清洗机产品线;(4)公司的真空装备、锂电装备以及精密元器件业务齐头并进,稳定发展。

2)长川科技:(1)长川科技作为国产测试设备龙头企业,一直致力于测试机和分选机的研发。2013年以来,公司承担了国家科技重大02专项中两项课题的研发工作,并获国家产业基金入股7.5%,充分展现其核心技术优势。

(2)公司集成电路测试机和分选机产品已获得长电科技、华天科技、通富微电、士兰微、华润微电子、日月光等多个一流集成电路企业的使用和认可。(3)从产品质量上看,公司测试机、分选机产品的主要性能指标已达国内领先、接近国外先进技术水平;从盈利能力上看,长川科技的毛利率和净利率均高于国外设备巨头。

关键字:研发芯片存储研究

本文摘自:澄泓财经

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拼了!花500亿研究存储芯片,力争年底研发成功

责任编辑:zsheng |来源:企业网D1Net  2018-08-12 16:27:20 本文摘自:澄泓财经

一、国产存储器重要突破

7月16日,合肥长鑫发布首个中国自主研发的8Gb LPDDR4 DRAM芯片,并计划将于2018年年底推出工程样品,这是国产DRAM产业的一个里程碑。

同时,从关键事件节点来看,兆易创新原董事长朱一明,宣布辞去兆易创新CEO,从原王宁国手上正式接任合肥长鑫存储及睿力CEO。

此人事变动似乎也宣告,合肥长鑫存储及睿力从王宁国核心团队为主导的建厂草创期,进入以设计研发量产为主导,迈入下一个阶段。

从现有的国内存储器芯片生产企业来看,DRAM基地主要是合肥长鑫,合肥长鑫现在的合作方是兆易创新,2017年10月份兆易创新宣布斥资180亿元进军DRAM市场,与合肥市产业投资控股有限公司合作,目标是研发19纳米工艺的DRAM内存,预计在2018年12月31日前研发成功,即实现产品良率(测试电性良好的芯片占整个晶圆的比例)不低于10%。这一时间节点值得重点关注,研究君也会保持跟踪。

合肥长鑫的DRAM项目投资超过72亿美元(495亿人民币),项目建设三期工程,目前建设的是一期工程12英寸晶圆厂,建成后月产能为12.5万片晶圆,有媒体报道这个产能将占到全球DRAM内存产能的8%。

根据计划,合肥长鑫将于2018年年底推出8Gb LPDDR4工程样品,2019年三季度推出8Gb LPDDR4,到2019年年底,产能将达到2万片一个月。从2020年开始,公司则开始规划二厂,2021年则完成17纳米技术的研发。

二、存储芯片乃半导体咽喉

存储设备分为磁盘和存储芯片(Memory)。磁盘,是指利用磁能方式存储信息,存储过程中需要磁性盘片的机械运动,日常生活中非常常见的电脑硬盘、移动硬盘就属于此类;存储芯片(Memory)则是以半导体为材料的存储介质,我们平日常用的U 盘、PC内存、SSD(固态硬盘)等是Memory 的范围。

 

 

在分类上,以断电后存储数据是否丢失为标准,存储芯片(Memory)可分2类:一类是非易失性存储器(Non-Volatile Memory),这一类Memory 断电后数据能够存储,主要以NAND Flash为代表,常见于U 盘和SSD(固态硬盘);另一类是易失性存储器(VolatileMemory),这一类Memory 断电后数据不能储存,主要以DRAM为代表, 常用于电脑、手机内存。

除了NAND Flash 和DRAM,Memory 还包含其他门类,例如Nor Flash、SRAM等。但从产值构成来分析,NAND Flash 和DRAM 是构成Memory 产业的核心构成,分别占据Memory 产值的37%和57%。

DRAM因为其应用的广泛性和重要性,是电子产品必不可少的一种重要半导体元件。也是原器件领域的一个重要组成部分。根据IHS Markit的数据,2017年全球动态随机存取存储器(DRAM)的市场规模为722亿美元,较2016年的415亿美元增长了74%。更重要的一点的是,从2016年开始,DRAM的价格多次提高,2017年的价格涨幅更是高达40%。让一些终端厂商,尤其是国内的厂商叫苦不堪。

DRAM全球高端垄断、国产DRAM是空白!在2017年的DRAM市场,三星电子以44.5%的市场份额稳居市场第一,SK海力士则以27.9%的市场份额紧追其后。美光科技(22.9%)、南亚科技(2.2%)、华邦电子(0.8%)分列其后。这几家几乎囊括了全球所有的DRAM供应。

市场规模较小的NOR Flash,格局稍显分散,美光(占比25%)、Cypress(收购了飞梭半导体)、旺宏、三星、华邦、兆易创新、宜扬科技等7家占据了90%以上份额。其中,兆易创新(603986)目前国内稀缺,全球市占率在10%左右。

存储器芯片具有广阔的应用场景和重要的战略地位。随着各种应用程序的越来越复杂,各种新兴场景的不断落地应用,例如:人工智能、物联网、大数据、5G等,需要存储的数据也越来越庞大。

目前,信息数据已经不仅仅是数字,而是一种资产。DRAM需求在未来几年会迅速增长。国内作为主要的制造大国,对其需求有增无减。多方面的因素综合,迫使中国去打造自主可控的DRAM企业。

据统计,中国消耗了全球20%的DRAM及25%的NAND,2017年中国进口存储器889.21亿美元,同比2016年的637.14亿美元增长了39.56%。

国内存储芯片(Memory)的战略计划,第一步是自建大规模的NAND Flash产能,尤其是发力新型3D NAND闪存技术,第二步逐渐进军技术难度相对较大、垄断更为严重的DRAM市场。这次投片的合肥长鑫将扮演国产DRAM的重要角色!

三、存储芯片相关个股分析

存储芯片(Memory )的上下游,其实就是整个大IC(集成电路)的产业链条:设计、制造、封测。因此,对应的也有两种生产模式:IDM模式、fabless模式。

DRAM巨头海力士、美光等是IDM模式,设计和制造全自家包办,兆易创新是fabless模式。A股涉及存储芯片的公司包括:兆易创新、太极实业、北方华创、长川科技等。

 

 

1.DRAM

存储特征:断电后数据不能存储。

应用领域:主要是PC、手机、服务器的内存,分别占比30%、35%、15%。物联网领域的DRAM的应用也在渗透,占15%左右。

量价特征:目前主要是供给和需求决定DRAM的价格走势,而非技术升级。DRAM技术更新不明显,DDR3作为主流技术已经存续超过5年,技术提升带来的成本下降,没有NAND Flash那么明显。

市场空间与技术趋势:1)2015年全球市场约410亿美元;2)Trend Force预计2015年中国市场消耗DRAM高达120亿美元,占全球比重23.2%,预计导2018年,中国DRAM市场容量将达到210美元规模,占全球比重达到29%;

3)存储芯片(尤其是DRAM)持续紧缺,随着PC操作系统由32位转向64位,对于内存的需求大大增加,往往要从4GB升级至8GB乃至16GB,此外手机需求也是最大利好。

竞争格局:1)3家垄断:三星、SK海力士、美光,合计占据全球95%以上份额,三家市占率约4:3:2。

巨头技术水平:三星已经大规模采用20nm制程,毛利率也达到40%;SK海力士采用25nm制程,毛利率也达到了40%;美光制程水平较靠后,以30nm为主,毛利率为25%左右。

2)国内企业在DRAM领域的市占率几乎为0。

国内企业(含A股)

1)太极实业:A股最纯正的Memory封测标的,2009年与DRAM巨头海力士合资成立海太半导体,专门承接DRAM芯片封测。

2)深科技:2015年收购金士顿(KINSTON)核心封测厂商沛顿科技100%股权;2016年4月导入DDR4项目,截至今年6月底,出货量已经突破150万条。

3)晶方科技:2015年2月收购智端达科技,后者是原DRAM巨头奇梦达科技位于苏州工业园的封装测试和模组工厂。

4)紫光国芯:2015年8月收购西安华芯51%股权,该公司申请DRAM专利为国内之最,但目前无实质产能。

2.NAND Flash

存储特征:断电后数据能够存储,可大容量存储。

应用领域:闪存卡、U盘、SSD(固态硬盘)

量价特征:除供需外,3D NAND技术采用更为先进制程和架构设计,单位材料可以存储更多信息,也可有效减少成本,导致NAND Flash价格走低。

市场空间与技术趋势:1)2015年全球市场约300亿美元;2)SSD(固态硬盘)替代传统机械硬盘(HHD)的趋势不可阻挡,尤其是3D NAND闪存技术将提振SSD(固态硬盘)需求,在PC端、企业服务器领域渗透率提高将导致SSD出货量大增。NAND Flash已经取代手机基带/AP 和CPU,成为半导体产业创新驱动和产值的最大领域。

竞争格局:1)4分天下:三星市占率连续保持在35%上下;东芝与闪迪(SanDisk)合占30%左右;再就是美光、海力士。以上四家市占率达到令人咋舌的99%。

2)中金公司预计,紫光国芯在NAND市场份额将占中国总需求的50%左右,即300亿人民币。

国内企业(含A股)

1)紫光国芯:大股东紫光集团2015年控股西部数据,而西部数据又以约190亿美元收购闪迪(SanDisk);大额定增中,600亿元拟投入存储芯片工厂,预计可新增12万片/月产能,将贡献营业收入354亿元,年均利润为87.2亿元,满产时间在4年后。

2)武汉新芯(长江存储):主要产品为3D NAND,拟投入1600亿元,存储厂预计于2018年完工,2019年量产,首批产能为4万片,预计到2020年形成月产能30万片,到2030年每月产能100万片。

3)华天科技:2015年与武汉新芯签订战略合作协议,将部分承接后者的Memory封测订单。

3.NOR Flash

存储特征:断电后数据能够存储,主要用于存储代码。属于小容量型。

应用领域:手机、USB KEY、机顶盒等的代码闪存应用。

量价特征:下游需求

市场空间:2015年全球市场约30亿美元。

竞争格局:1)空间小、格局分散,巨头逐步退出小容量、毛利较低的NOR Flash市场;2)美光(占比25%)、Cypress(收购了飞梭半导体)、旺宏、三星、华邦、兆易创新、宜扬科技等7家瓜分份额。

国内企业(含A股)

1)兆易创新:国内NOR Flash绝对龙头,目前全球市占率10%左右。

四、重点关注个股

针对此次合肥长鑫的DRAM投片,我们主要看好三只相关个股:

1.直接合作方

兆易创新:(1)国内稀缺的存储芯片龙头,Nor flash国内第一;(2)2017年8-9月,大股东增持,国家集成电路大(更多半导体相关个股的深度研究报告,请关注“澄泓财经”wei 信号,回复关键字“半导体”,即可查看详情。)基金入股11%;(3)入股晶圆制造龙头中芯国际,进一步夯实战略联盟;(4)2018年3月收购思立微,打造存储-微处理-传感交互一体式解决方案;

(5)兆易创新和合肥长鑫DRAM合作非常顺利!2017年10月,兆易创新宣布,与合肥长鑫进行19nm存储器的12英寸晶圆存储器(含DRAM等)研发项目合作。目标在 2018 年12 月 31 日前研发成功,即实现产品良率(测试电性良好的芯片占整个晶圆的比例)不低于 10%。此次合肥长鑫的重要突破,也利好兆易创新的DRAM战略!

2.存储芯片设备厂商

1)北方华创:(1)北方华创是由七星电子和北方微电子战略重组而成,是半导体设备龙头。公司主营业务包括半导体装备、真空装备、新能源锂电装备及精密元器件四大业务;(2)中国大陆地区是全球第三大半导体设备市场,但国内半导体设备自给率不足15%,进口替代空间巨大;

(3)公司于2018年1月完成收购美国Akrion公司,形成涵盖应用于集成电路、先进封装、功率器件、微机电系统和半导体照明等泛半导体领域的8-12英寸批式和单片清洗机产品线;(4)公司的真空装备、锂电装备以及精密元器件业务齐头并进,稳定发展。

2)长川科技:(1)长川科技作为国产测试设备龙头企业,一直致力于测试机和分选机的研发。2013年以来,公司承担了国家科技重大02专项中两项课题的研发工作,并获国家产业基金入股7.5%,充分展现其核心技术优势。

(2)公司集成电路测试机和分选机产品已获得长电科技、华天科技、通富微电、士兰微、华润微电子、日月光等多个一流集成电路企业的使用和认可。(3)从产品质量上看,公司测试机、分选机产品的主要性能指标已达国内领先、接近国外先进技术水平;从盈利能力上看,长川科技的毛利率和净利率均高于国外设备巨头。

关键字:研发芯片存储研究

本文摘自:澄泓财经

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