因为英特尔 14 纳米 x86 CPU 短缺可能持续到明年第一季度，而造成某些特定客户开始清除因之前担心涨价而多建 的库存，加上美国提高关税的不利影响，美光预期第四季度销售环比衰退 2-6%而低于市场预期。而我们认为比特币价格下跌造成的中低阶挖矿机需求不振，及新兴市场货币贬值造成的中低阶手机销售不佳，加上 3D NAND 转到 96 层及 DRAM 转到 19 纳米以下制程工艺的产能增加，我们预估明年内存 DRAM 和闪存 NAND 将会有 3-5%的供 过于求，价格下行趋势确立，而将造成 2019 年整体存储器芯片产业同比衰退 5-9%及全球半导体产业同比衰退 14%。

我们的预估比 DRAMeXchange 对 明 年 存 储 器芯 片 产 业 5%的 同比 成 长 预估 来 的 悲 观许 多， 但 DRAMeXchange 上周五也下修今年第四季度的 DRAM 合约价格预期，从 1-3%价格环比下跌下修到 5%的价格下 跌。虽然存储器价格下行趋势确立，但我们预估此次下行趋势应不超过 18 个月，英特尔 14 纳米 x86 CPU 短缺状 况应会于明年中之前改善，10 纳米 x86 CPU应于明年下半年量产， AMD 7 纳米 x86 CPU, 7 纳米挖矿机及智能手 机，5G 手机都将于明年出笼而对存储器半导体产生正面影响。

因此我们预估大多数的内闪存存储器半导体公司会 面对营业利润率从近 50%的高档下滑，但却不至于步入亏损，因此我们不预期主流存储器会将大量产能转入利基型 NOR 和 SLC NAND 闪存市场而造成其价格崩跌，NOR 和 SLC NAND 闪存领导厂商旺宏，华邦，兆易创新，武汉 新芯将持续将产品转为价格及获利较好的高密度 NOR 和 SLC NAND，而让相关厂商同比获利衰退幅度相对较小。 但此下行趋势对明年即将量产的中国主流存储器芯片大厂长江存储, 合肥长鑫，福建晋华当然是雪上加霜。

供给过剩，价格下行趋势确立：

因为英特尔 14 纳米 x86 CPU 产能短缺， 比特币价格下跌造成的中低阶挖矿机需求不振，及新兴市场货币贬值造成 的中低阶手机销售不佳，但加上 3D NAND 闪存转到 96 层及 DRAM 内存 转到 19 纳米以下制程工艺的产能增加，我们预估明年内存 DRAM (23-25% 供给 vs. 20%需求)和闪存 NAND (43-45% 供给 vs. 40%需求)将会有 3-5% 的供过于求，价格下行趋势确立，我们预期在未来 12 个月内，DRAM 内 存每位元现货价格 (bit price)同比将衰退超过 20%，NAND 闪存现货价格 同比将衰退超过 40%，而将造成 2019 年整体存储器芯片产业同比衰退5-9% 及全球半导体产业同比衰退 1-4%(但逻辑芯片将持续成长)。我们的预估 是比存储器产业研究机构 DRAMeXchange 对明年存储器芯片产业 5%的同 比成长预估(DRAM 7% 同比成长，NAND 同比零成长)来的悲观许多， 但 DRAMeXchange 上周五最新出炉的报告也因近期供过于求，而下修今 年第四季度的 DRAM 合约价格预期，从 1-3%价格环比下跌下修到 5%的 价格下跌。

季度存储器价格表

这次下行趋势有多糟?

虽然存储器价格下行趋势确立，但我们预估此次下 行趋势应不超过 18 个月，英特尔 14 纳米 x86 CPU 短缺状况应会于明年 中之前改善，10 纳米 x86 CPU 应于明年下半年量产， AMD 7 纳米 x86 CPU, 7 纳米挖矿机及智慧手机，5G 手机都将于明年出笼取代中低阶机种 及对存储器半导体产生正面影响。因此我们预估大多数的内闪存存储器半 导体公司会面对营业利润率从近 50%的高档下滑，但却不至于步入亏损。

季度营业利润率和自由现金流量销售比

对中国产业的影响?

虽然主流 DRAM 和 3D NAND 的下跌对 NOR，SLC (Single-Level Cell, 单层单元闪存) NAND 都会造成不良的影响，但只要这 次下行趋势不超过 18 个月，主流存储器芯片大厂不步入亏损，我们不预期 主流存储器会将大量产能转入利基型 NOR 和 SLC NAND 闪存市场而造成 其价格崩跌。目前我们维持之前的预估，NOR 和 SLC NAND 闪存领导厂 商旺宏，华邦，兆易创新，武汉新芯将持续将产品从价格及获利下行的中、 低密度 NOR 转为价格及获利较好的高密度 NOR 和 SLC NAND，而让相 关厂商同比获利衰退幅度相对较小。但此下行趋势对明年即将量产的中国 主流存储器芯片大厂长江存储 (3D NAND), 合肥长鑫(Mobile DRAM)，福 建晋华 (Niche DRAM)当然是雪上加霜。