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5G毫米波收发器和波束形成器将崛起

责任编辑:zsheng |来源:企业网D1Net  2018-09-18 12:20:42 本文摘自:中国信息产业网

Strategy Analytics近期发布的研究报告《5G 毫米波系统,RF前端元件和过程技术预测2018-2024》指出,对5G毫米波系统至关重要的收发器和波束形成组件将在五年内每年出货量达到数亿部。

Strategy Analytics射频和无线元件研究服务总监兼报告作者Christopher Taylor表示,“每个5G毫米波智能手机,基站和客户端系统将使用多个收发器,波束形成器和天线元件来实现天线增益,容量和覆盖范围。 系统制造商将根据所需的发射功率,链路预算和系统中的天线元件数量,混合使用化合物半导体,SiGe-BiCMOS和CMOS。 化合物半导体和SiGe-BiCMOS具有更高的Fmax,可获得更好的设计裕度和效率,但CMOS的低成本和更高集成能力将使其在5G毫米波每年RF元件出货量方面领先。“

Strategy Analytics高级半导体应用服务总监Eric Higham表示,“性能要求基础设施将使用更多的SiGe-BiCMOS用于射频而不是用户设备,但其中大部分也将最终转向CMOS。 化合物半导体将在那些电气效率和系统功耗至关重要的毫米波基础设施系统中发挥作用。 使用不同半导体工艺技术的5G毫米波基础设施系统的射频芯片供应商包括Anokiwave,英飞凌,高通和Qorvo。”

关键字:收发器毫米波

本文摘自:中国信息产业网

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责任编辑:zsheng |来源:企业网D1Net  2018-09-18 12:20:42 本文摘自:中国信息产业网

Strategy Analytics近期发布的研究报告《5G 毫米波系统,RF前端元件和过程技术预测2018-2024》指出,对5G毫米波系统至关重要的收发器和波束形成组件将在五年内每年出货量达到数亿部。

Strategy Analytics射频和无线元件研究服务总监兼报告作者Christopher Taylor表示,“每个5G毫米波智能手机,基站和客户端系统将使用多个收发器,波束形成器和天线元件来实现天线增益,容量和覆盖范围。 系统制造商将根据所需的发射功率,链路预算和系统中的天线元件数量,混合使用化合物半导体,SiGe-BiCMOS和CMOS。 化合物半导体和SiGe-BiCMOS具有更高的Fmax,可获得更好的设计裕度和效率,但CMOS的低成本和更高集成能力将使其在5G毫米波每年RF元件出货量方面领先。“

Strategy Analytics高级半导体应用服务总监Eric Higham表示,“性能要求基础设施将使用更多的SiGe-BiCMOS用于射频而不是用户设备,但其中大部分也将最终转向CMOS。 化合物半导体将在那些电气效率和系统功耗至关重要的毫米波基础设施系统中发挥作用。 使用不同半导体工艺技术的5G毫米波基础设施系统的射频芯片供应商包括Anokiwave,英飞凌,高通和Qorvo。”

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