2019年2月22日 – 北京，西部数据公司(NASDAQ: WDC)发布新款嵌入式闪存盘，旨在从速度和容量方面更好地优化超高端智能手机及移动设备的功能，丰富5G时代环境下智能手机用户的移动体验。iNANDTM MC EU511采用公司先进的96层3D NAND技术，支持UFS 3.0 Gear 4/2 Lane规范。性能优越的第6代iNAND SmartSLC技术可实现高达750MB/s*的高速顺序写入性能，仅需3.6秒就可下载一部长达2小时的电影[footnoteRef:1]。

< 西部数据iNAND MC EU511 嵌入式闪存盘 >

5G的标准模式可为所有的移动和终端设备带来快传输、低延迟、低功耗和高网络容量等优势。 实现这些功能需要高速数据接口，如UFS 3.0，不仅可以改造智能手机，还可以改造数十亿互联物联网( IoT )设备。

西部数据公司Devices事业部高级总监Oded Sagee表示：“智能手机正在日益成为万物互联的中心。高速5G网络旨在实现比之前快100倍的数据传输速度，并在更多的设备上部署人工智能(AI)。人工智能(AI)由集成式神经处理单元(NPU)所驱动，允许我们访问大数据和快速数据，这将改变我们使用智能手机的方式。面对实时边缘计算的高需求，严格的数据捕获标准和访问模式将成为5G设备必须满足的基本条件。有了UFS 3.0嵌入式闪存盘，西部数据可以让用户按需、无缝、即时地体验5G应用的新威力。”

5G移动设备可以借由UFS 3.0闪存接口，为增强现实(AR)、虚拟现实(VR)和移动游戏等应用提供更高的性能和更低的延迟。此外，快速的网络将使消费者能够在移动设备上快速下载和查看超高分辨率照片和4K/ 8K媒体资源。

通过iNAND MC EU511 嵌入式闪存盘为构建5G设备做好准备

iNAND MC EU511嵌入式闪存盘凭借快于上一代产品接近两倍的顺序读性能以及高达750MB/s的高速顺序写入性能而领先于业界。随着随机读/写性能的提高以及容量从64GB到512GB的提升，iNAND MC EU511嵌入式闪存盘已为即将到来的5G革命做好了准备。目前西部数据公司正在与各OEM合作，送样测试iNAND MC EU511 嵌入式闪存盘解决方案。欲了解有关更多相关信息，请访问：Western Digital。

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* 1MB=1,000,000 字节。基于内部测试。