射频收发器关键字列表
意法半导体推出sub-1GHz射频收发器单片巴伦 让天线匹配/滤波电路近乎消失
意法半导体推出与其S2-LP 868-927MHz 低功耗射频收发器匹配的巴伦(又称“平衡不平衡转换器”)。在注重产品尺寸和成本控制的应用中,诸如,物联网传感器、智能表计、警报器、遥控器、楼宇自动化和工业控制系统等,该新产品有助于工程师节省电路板空间,克服与射频电路有关的设计挑战。
随着移动技术的发展,射频前端在整个手机射频当中变得越来越重要,而先进的移动技术又驱动射频前端的更高性能与复杂性。今年早些时候发布的Qualcomm骁龙660 630移动平台上,就引入了Qualcomm先进的射频前端技术,尤其值得关注的是TruSignal(天线增强技术)和包络追踪技术。
晶圆代工二哥联电暂不参与先进制程竞赛,专注提升28纳米和14纳米制程的竞争力。 针对暂缓参与10纳米以下先进制程竞赛,简山杰强调,现阶段采取务实策略,虽会开发新技术,但对新技术重新定义,不再是14纳米、10纳米、7纳米一路追。
晶圆代工二哥联电暂不参与先进制程竞赛,专注提升28纳米和14纳米制程的竞争力。 针对暂缓参与10纳米以下先进制程竞赛,简山杰强调,现阶段采取务实策略,虽会开发新技术,但对新技术重新定义,不再是14纳米、10纳米、7纳米一路追。
让我们来看看几种添加无线功能以增强系统有效性和对连接可靠性有极高要求的情况。确保这个信号链中所产生信息的质量和完整性是我们的核心设计原则,也是实现物联网真正潜力的基本要求。
高通推第二代千兆LTE基带芯片:采用10纳米工艺 峰值速率1.2Gbps
Qualcomm Incorporated(NASDAQ: QCOM)今日宣布,其子公司Qualcomm Technologies, Inc 已开始出样其第七代LTE多模调制解调器即第二代千兆级LTE解决方案——基于领先的10纳米FinFET制程工艺打造的Qualcomm骁龙 X20 LTE芯片组。
企业网版权所有©2010-2025 京ICP备09108050号-6京公网安备 11010502049343号