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旧金山国际电子设备会议(IEDM)消息:国际电子设备会议(IEDM)第一天的会场里人头涌涌,来自TSMC和IBM的研究人员 在会上做了关于7-nm工艺流程技术的发言报告
涉嫌侵犯FinFET专利,韩国科技院把三星、高通及GF告上法庭
除了智能手机知名之外,三星还是全球重要的半导体公司,在2016年TOP20半导体公司中营收排名第二,仅次于Intel,领先于TSMC台积电。
TSMC在FinFET工艺量产上落后于Intel、三星,不过他们在10nm及之后的工艺上很自信,2020年就会量产5nm工艺,还会用上EUV光刻工艺。TSMC表示今年底之前还会有更多客户的10nm芯片流片,该工艺将在2017年Q1季度量产。
三星、TSMC、Intel争抢7nm首发,AMD的“GF”也要领先
2016年半导体的主流工艺是14 16nm FinFET工艺,主要有Intel、TSMC及三星 GlobalFoundries(格罗方德)三大阵营,下一个节点是10nm,三方都会在明年量产
虽然TSMC在10nm及7nm工艺节点宣传上一路狂奔,号称独吞苹果今年的A10处理器订单,明年的A11订单也能拿下大部分份额。
ARM和TSMC今天宣布,两家公司将共同开展7nm FinFET芯片的设计工作。较低的门槛意味着即便门是关闭的也会泄漏大量的电流,所以会消耗电池,释放太多的热能。
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