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1月26日，台湾南部科学工业园区(STSP)，台积电的Fab 18晶圆厂一期工程顺利奠基。台积电计划2019年第一季度完成新工厂的建设，并开始设备迁入，2019年第二季度试产，2020年初投入5nm的批量生产。
随着闸极越做越小，制程线宽不断升级，由10年前的90nm，65nm一直升级到现在的14 16nm，10nm甚至7nm，摩尔定律都在有条不紊着指挥半导体行业前进的路线。在使用EUV后，线宽的微缩，制程的升级对于缺陷和微粒污染的容忍度将大幅度降低。
随着闸极越做越小，制程线宽不断升级，由10年前的90nm，65nm一直升级到现在的14 16nm，10nm甚至7nm，摩尔定律都在有条不紊着指挥半导体行业前进的路线。在使用EUV后，线宽的微缩，制程的升级对于缺陷和微粒污染的容忍度将大幅度降低。
根据外电报导，18日三星官方正式宣布已完成了8纳米LPP制程技术的验证，不久之后可量产。未来三星自行研发的处理器，以及部分高通ARM架构处理器，或许会采用最新的8纳米LPP制程技术。
根据Semiconductor Engineering报导，EUV微影技术被视为晶圆制造产业的“救世主”，多家业者均希望靠该技术有效突破线宽瓶颈。关注电子行业精彩资讯，关注华强资讯官方微信，精华内容抢鲜读，还有机会获赠全年杂志
台积电今天宣布，计划联合ARM、Xilinx、Cadence，共同打造全球首个基于7nm工艺的芯片。更确切地说，这四家半导体大厂将采用台积电7nm FinFET工艺，制造一款CCIX(缓存一致性互联加速器)测试芯片，2018年第一季度完成流片。
这个测试芯片是用来展现CCIX的各项功能，正面多核心高效能ARM CPU能通过互联架构与芯片外的FPGA加速器同步工作，同时台积电也用它来测试自己的7nm工艺
三星是最早在移动SoC领域推出10nm工艺的，甚至早于台积电和英特尔，不过另外两家已经开始针对未来7nm工艺开始运作了，不同的厂商都在关注更低尺寸的工艺制程。
Intel/台积电命根子！FinFET工艺详解：7nm是物理极限
台积电在去年的IEDM上发布7nm技术节点的晶体管样品，虽然说台积电的7nm工艺在技术节点与英特尔的10nm非常相似，但台积电已经大有赶超英特尔之势。7nm制程的FinFET工艺最快要到明年才能面世，7nm也是FinFET工艺的极限，再往下的节点只能看EUV光刻机。
半导体进入7nm节点，最核心的技术之一就是EUV（极紫外）光刻，然而，设备仅仅来自荷兰ASML（阿斯麦）一家。好消息是，在7月中旬的半导体设备展上，ASML宣布，公司已经达成了最重要且长期难以突破的里程碑：250瓦的EUV光源。
作为半导体行业领头羊的三星和Intel均表示，7nm的阻碍前所未有的大，所需要的EUV（极紫外光刻）光刻机商用问题十分严重。
据外媒报道，英特尔在14nm支撑上已经推三代产品，至于10nm工艺也仅仅表示在今年进行试验性生产。为什么会这样呢，对此三星和英特尔的专家纷纷坦言，只要是受困于EUV（极紫外光刻）推进的困难。
半导体制造工艺是集成电路产业的核心，未来摩尔定律是否还能主宰产业发展就得看半导体工艺是否能在10nm以下的工艺继续突破了，而在这个问题上
TSMC在FinFET工艺量产上落后于Intel、三星，不过他们在10nm及之后的工艺上很自信，2020年就会量产5nm工艺，还会用上EUV光刻工艺。TSMC表示今年底之前还会有更多客户的10nm芯片流片，该工艺将在2017年Q1季度量产。
英特尔已规画在7纳米制程开始采用EUV技术，若是可以达到量产经济规模，则英特尔可望在7纳米世代重新回到摩尔定律的循环。据了解，台积电很有可能会在5纳米世代采用InGaAs的三五族半导体材料，来维持摩尔定律的有效性。
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