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3D闪存立功！4bit QLC/5bit PLC固态盘齐来到：1元1GB
SLC的固态盘在如今的市面上已经是凤毛麟角，MLC也越来越少，TLC开始成为市场的绝对主流。错误率是Flash闪存一座不可避免的大山，通常的处理方式是主控中加入ECC校验技术，即在数据位中插入校验位。
1月15日，我们撰文谈到了3D NAND的出现让QLC闪存能够保证可控的错误率，商用从而成为可能。据TMHW报道，Marvell（美满电子）的新NVMe主控预览性能显示，4K读取达到670K IOPS，连续读取达到3500MB s。
8月底的闪存峰会上，主控大厂群联（Phison）公布了E12 S12新一代SSD主控的设计目标。其中，E12走PCIe通道，S12走SATA3通道，均支持3D堆叠的MLC TLC QLC闪存介质，具备智能纠错技术延长寿命。
虽然PC持续萎靡多年，但对着游戏PC市场的火热，SSD的闪存芯片需求的强势增长，所以，2017年导致整个存储芯片市场的需求是逆势上扬。除韩国本土，中国西安也是三星重要的闪存产地， 8月底三星宣布在西安投资70亿美元升级工厂，预计三年内投产。
如今SSD市场，主流SATA固态硬盘新品基本上都是采用TLC闪存，自2012年，第一款TLC NAND闪存的固态硬盘发布以来，TLC闪存一直面临这质疑。
2017年已经剩下不到一个月了，又到了辞旧迎新的时刻了，回首今年的存储产品市场，大家记印象深刻的就是各种涨价——内存价格一路狂飙，一年时间涨价三四倍还多。
据外媒报道，希捷在昨晚公布了截止9月29日的新一季财报，按照财务统计口径，归属于2018年第一财季。2017年第4财季，希捷预计出货3800万块机械硬盘，西数约3930万块，比起双雄巅峰时期的5000多万块差了很远，主要原因就是SSD的冲击。
再无MLC/SLC！今后只有TLC/QLC闪存固态盘：只能买它
今年，SSD和内存的价格双双占据高位，刚发布的Intel8代酷睿台式机处理器也价格挑涨，眼看DIY越来越成为“高富帅”的玩物。不仅如此，因为成本和价格问题，导致本来低阶的技术居然被抬升到了主流位置，比如QLC、TLC闪存，比如DDR3内存重新出山。
三星方面宣布其将推出4层单元闪存，即QLC NAND芯片。根据HIS Markit的统计报告显示，QLC闪存芯片预计应该于2018年第一季度推出，且其市场份额在2018年底之前将达到5 1%，2021年则可能达到30%。
近几年来SSD发展相对迅速，各种对HDD不利的言论层出不穷，甚至到2021年SSD的出货量可能还会超越HDD，SSD的市场形势确实是一片大好，不过它还要伴随HDD走很长的一段时间。
西部数据今天宣布成功开发了四比特单元的闪存颗粒（Four-Bits-Per-Cell，BiCS3 X4），也就是所谓的QLC，用于旗下的64层3D闪存产品。只是成本更低，容量更大，在存储颗粒“洛阳纸贵”的当下，更具有现实意义。
西部数据今天宣布成功开发了四比特单元的闪存颗粒（Four-Bits-Per-Cell，BiCS3 X4），也就是所谓的QLC，用于旗下的64层3D闪存产品。X4已经用于2D闪存的产品，在SSD小型化的当下，通过3D也就是向上发展，可以在有限的空间内集成更大的存储量。
在闪存研发领域，西部数据公司正在积极为其64层3D NAND配备4bits cell（四层单元，简称QLC）与bit成本伸缩（BiCS3）技术。与TLC（三层单元）闪存芯片相比，QLC闪存芯片具备3倍以上的单元数量以及两倍的数据存储密度。
在这个互联网时代，游戏、电影、照片等数据越来越大，硬盘容量将会面临着前所未有的挑战。注：每Cell单元存储数据越多，单位面积容量就越高，但同时导致不同电压状态越多，越难控制，导致颗粒稳定性越差，寿命低，利弊都有。
SLC、MLC及TLC这三种闪存芯片，大家都很清楚，但接下来QLC闪存芯片要开启它的逆袭之路，而西数已经率先做出表率。QLC闪存的电压更难控制，写入速度更低，可靠、稳定性及寿命比TLC更差。
东芝今日宣布其成功开发出了全球首款 4-bit 3D 闪存（QLC），有望带来更低的制造成本和更高的存储密度。QLC 进一步提升到了 16 级（4-bit），可将每格划分出 16 个单元，从而实现更大的存储容量。
东芝日前发布了全球首个基于QLC(四比特单元) BiCS架构的3D NAND闪存芯片，64层堆叠封装，单颗容量可以做到768Gb(32GB)，可以带来容量更大、成本更低的SSD产品。
东芝发布100 TB QLC闪存驱动器 或在未来几个月内正式上市
在此次闪存记忆体峰会上，东芝公司公布了一项四层单元（简称QLC）技术成果--其能够大大提升闪存产品的发展前景，并会在"不久的将来"实际交付。
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