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这两年，DRAM芯片厂商们颇为风光。
中兴事件再起，美国发布“晋华禁令”，这次遭殃的是存储芯片DRAM
中兴事件再次上演了，这次轮到了福建晋华。
存储企业通常都会同时经营Flash闪存和DRAM芯片两类市场，在今年Flash闪存价格节节下滑，DRAM的相对坚挺为企业保证了盈利空间。
内存模组大厂威刚(3260)董事长陈立白指出，先前虽预期今年DRAM可能会缺到第三季，但现在预期今年DRAM仍会缺货一整年。
紫光国芯周一在全景网投资者互动平台上回答投资者提问时介绍，DDR4与DDR3相比，单条容量有很大提高，可以实现较高的容量。针对投资者关于公司DDR4存储器芯片相比DDR3优势的询问，紫光国芯作出上述回应。
本周，据韩联社报道，三星电子宣布开始使用第二代10nm工艺生产出了8Gb DDR4颗粒，这是继第一代10nm工艺生产后时隔两年的时间，技术上的再一次迭代。
IC Insights分析，DRAM的供需缺口是全面性的，特别是服务器使用的高效能DRAM与智能型手机等行动装置所使用的低功耗、高密度DRAM
DRAM 与 NAND Flash 市场今年都处于供不应求状态，产品价格同步高涨，只是业界普遍预期，明年 DRAM 与 NAND Flash 市况恐将不同调。
这两年内存价格的一路飙升让人感到刻骨铭心，而就在2017年第四季度，内存价格开始稳定并有所回落，DRAM内存芯片的行业价格也下跌了5％
南亚科总经理李培瑛16日表示，今年上半年DRAM价格持续看涨，但涨幅会收敛些，下半年则仍待观察三星、SK海力士二大韩厂实际增产内容才能做明确分析。目前来看，韩国二大厂都表明将依市场需求增产，分析DRAM产业到明年都可维持健康稳定。
韩国继续统治全球DRAM和NAND芯片市场 中国竞争极为有限
据外电报道，市场调研公司IHS Markit周四发布报告称，韩国芯片巨头今年第三季度在DRAM和NAND闪存市场继续保持着统治优势。
据外媒报道，经过50年的发展，半导体市场仍然显得非常活跃，它在今年有望增长20%。如果它们不增加预算，提高产能，那么它们就可能面临市场份额萎缩、成本增加并最终被淘汰出局的后果。
2019 年，中国三大存储阵营的技术开发成果将见真章，包括长江存储的下一代的 64 层 3D NAND 芯片、联电扶植的福建晋华集成的 2x 纳米技术，以及合肥睿力的 19 纳米 DRAM 技术。
由于需求太强劲，此波DRAM价格从去年下半年以来每季都调涨，加计下季持续涨价，报价连续七季走扬，堪称DRAM史上时间最长的多头行情。
南亚科重返PC DRAM市场 首颗20纳米8Gb DDR4 DRAM通过认证
南亚科先前虽已取得美光20纳米授权，但仅限于生产DDR3 DRAM，南亚科因而走自主研发之路，自行研发20纳米制程 DDR4 DRAM，跻身有自主能力生产主流DRAM产品的大厂之列。
今年存储器供给吃紧，推升价格持续走扬，研调机构ICInsights预期第四季DRAM销售金额将创历史新高。天下无不散的宴席，历史经验显示存储器产业大幅扩张后，随着产能明显增加、价格开始失去支撑，在不久的未来，存储器产业可能走下坡，不排除大幅拉回。
三星电子今天宣布，开始量产业界首款、采用第二代10nm工艺（1y-nm）级别的DRAM芯片。对于普通消费者来说，此举还意味着，1x-nm以及更老的工艺的内存成本和最终价格将有望下探。
三星称，和第一代10纳米级工艺相比，第二代工艺的产能提高30%，有助于公司满足全球客户不断飙升的DRAM芯片需求。
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