英特尔展示4大进展 ISSCC论文透露技术秘密

责任编辑：企业网 |来源：企业网D1Net 2010-08-06 11:28:33 原创文章企业网D1Net

翻开集成电路的发展史，多项重大技术突破和成果都在ISSCC 上首次发表，如CMOS 逻辑电路、RISC 处理器、NAND Flash、多核处理器……正因如此，这一源起1953年宾夕法尼亚大学的固态电子电路研讨会，逐渐成为全球集成电路与系统芯片研究者最关注的论坛之一。

在近期于旧金山举行的ISSCC 2008上，英特尔发表了14篇涵盖处理器、无线通信、存储、万亿次计算等领域的技术论文。这些成果将给信息技术发展带来哪些影响？本报记者电话连线英特尔院士张晓强，为读者深入解读。

处理器：深度进化中

处理器是英特尔的看家法宝，此次披露的是此前被广为关注的Silverthorne和Tukwila处理器的技术细节。前者是面向移动互联网设备的低功耗IA处理器，后者是面向高端，对抗RISC的下一代安腾处理器。

据张晓强介绍，英特尔3月3日发布的Silverthorne处理器采用了最新的45nm高K金属栅制造工艺，其系列处理器的功耗控制在2.5W以下。这种处理器专门面向英特尔称之为MID的第一代移动互联网设备开发，当然，也包括UMPC等类似的超便携设备。

英特尔为此设计了全新微架构。该架构与Core 2 Duo指令集完全兼容，基于双码、双发射的按序执行，拥有16级流水线。该微架构还将采用升级的功耗管理技术，如深度节能C6状态、无网格时钟分配、针对功耗优化的寄存器组、时钟门控、CMOS总线模式和分离式 I/O 电源等，通过众多技术改进，有效降低了动态和泄漏功耗。

与英特尔2006年推出的ULV单核处理器相比，Silverthorne处理器的TDP有望降低到它的1/10左右；与此同时，Silverthorne还能提供最高2GHz主频，以获得完整的互联网体验，运行主流应用软件，这就为移动互联网设备的快速发展铺平了道路。

Tukwila是一款基于65nm制造工艺、集成20亿晶体管的4核安腾处理器，其第一版产品预计于今年年底面世。安腾面向关键任务领域，在高度集成的情况下，Tukwila将性能提升至双核安腾9100 系列的两倍，RAS性能也更为先进。Tukwila的总体片上缓存达到30MB，比当前产品高出了10%；QuickPath 互连和集成内存控制器则带来了9倍的互连带宽和6倍的内存带宽，这些都直观地表现出安腾处理器的深度进化。

无线：集成与降耗

我们也了解到英特尔在低成本数字多无线接入取得的最新成果。目前的无线接入方式处在离散式阶段，如WLAN、WWAN分别设计，不仅成本高，而且体积庞大。张晓强介绍说，英特尔发布的多款放大器，在无线芯片上实现了更高的元件集成度，将离散式推进到集成式无线接入阶段。也就是在各种小型设备上，通过实现WLAN与WWAN的双标准单芯片集成，提升性能，并降低功耗。

在展示的数款放大器中，一款是面向802.11a/g/n应用的MIMO多波段收发器，它采用90nm CMOS工艺，可实现低功耗、小巧外形和低成本；还有一款是采用65nm CMOS工艺、用于多无线接入的E级CMOS功率放大器，可提供28.6dBm的功率输出。该功放的意义在于，实现远程通信(如WiMAX)需要功率1W左右的高功率放大器的支持，该器件就能为 WWAN提供近 1 W的无线射频输出，提供广阔的覆盖范围，同时还采用新型技术实现了高数据速率必需的精密调制功能。

此外，英特尔还展示了高频采样的模/数转换器，测量整个Wi-Fi波段中的每个波段，感知来自同一波段的其他无线信号的干扰，通过自我调节达到最佳功率性能比，并提供优化的信道选择。在信号强时，它可减少耗电量，以高能效方式支持Wi-Fi/WiMAX带宽。这些成果都是为了实现未来采用单芯片处理多种无线标准的愿景，届时，各项性能指标将获得更明显的提升，同时也通过缩减体积促进便携设备小型化。

b>存储：促密度攀升

相变存储器(PCM)是一项极富潜力的新型存储技术，英特尔为此保持着高投入，即将合资成立的Numonyx公司的技术方向之一就是PCM。通过联合开发，英特尔和意法半导体展示了在PCM方面取得的重大突破——首个可展示的采用PCM技术的多层单元(MLC)设备。

PCM原理简单说就是通过改变一种硫属化合物的状态来存储数据，它以比传统闪存更低的功耗实现快速读写，并实现更稳定的数据保存。过去的单层单元PCM只有两种状态来记录数据，此次采用独特算法，研究人员在硫属化合物的非晶态与晶态间创造了另两种状态，这样就有四种状态来记录数据，从每单元1比特转变为MLC，意义在于以更低的单位字节成本提高存储密度。

基于45nm高K金属栅极制造工艺，英特尔还开发出一款高性能、低功耗的SRAM。小型SRAM单元有利于在处理器内集成更大容量的缓存，该SRAM就支持比原来大50%的片上L2(6MB)缓存，用于英特尔第二代双核和四核处理器的快速批量生产。SRAM设计与高效的功率管理电路一起，使电路能更好地适应型号变化，并有助于提高生产成品率。

[NextPage]

万亿次：三层面并进

多核万亿次计算包括计算、存储和通信三个层面。从技术角度看，为支持新兴的数据密集型应用，万亿次计算的I/O带宽要扩展到100Gbps以上，这意味着每个通道应超过10Gbps。提升I/O通道速度要求精确时钟为传输和接收数据计时，不仅大量耗能，而且需要足够空间容纳滤波元件和复杂电路，以减轻噪音干扰。英特尔这次展示的一款试验芯片实现了每链接高达27Gbps的数据链路。它通过简化电路，省去了部分过滤元件，却能过滤时序噪音。据测算，在20Gbps速率上，该芯片实现了1.6mW/Gbps的高佳能效。

破除万亿次计算的内存带宽限制也十分值得关注。应用分析表明，未来万亿级计算是在多个内核上运行多线程，对内存带宽要求极高。当前情况是，片上SRAM速度高，但代价过于昂贵；DRAM密度虽高，但速度较慢，且受限于制造程序，不能片上集成。尽管通过3D堆叠，DRAM可以与处理器紧密结合，但仍与片上存储速度有一定差距。为此，英特尔设计了新型集成DRAM内存，为获得更快的片上内存并提高应用性能提供了新选择。该内存与其他动态内存一样需要定期刷新，能提供相当于片上SRAM两倍的内存密度和比DRAM快得多的速度，在2GHz频率时，其带宽可达128GB/s。

新知概览

ISSCC 2008是最新集成电路技术的发表平台，以下就是其中重要成果的典型代表。

多频带无线通信

2010年有望达到实用水平

东芝开发出使新一代手机等多频带无线通信产品降低成本、缩小体积的射频器件，力争2010年达到实用水平。未来，同一部手机支持多频带将成为主流，该器件就是为了实现通过一片电路支持多个频带。目前，对MEMS(微机电系统)部分的封装技术已开发完成。

3bit／单元NAND

数据写入速度可达8MB／s

SanDisk和东芝发布采用3bit／单元的NAND。值得注意的是，其写入传输速度为8MB／s。一般来说，将2bit／单元产品的现有电路技术应用于3bit／单元产品时，写入速度会降至3MB／s左右，而该新产品则将写入速度提高到了8MB／s。

时钟数据恢复电路

突破40Gb／s光通信瓶颈

NEC宣布开发出支持40Gb／s光通信的时钟数据恢复电路。通过该电路，将有望大幅提高40Gb／s光通信系统的接收性能和传输距离，此前光通信受复杂波形失真限制。另外，通过其自动调整功能，还可减轻装置的调整及维护负担，有利于降低系统成本。

新材料RFID