8月13日消息 高通公司高级副总裁彼德·卡尔森近日透露称，高通的TD-LTE芯片将在今年进行试验，而明年将正式投入商用。

    “高通的TD-LTE芯片方案主要有电源管理、基带芯片和射频芯片三方面组成，基带芯片MDM9200是已支持LTE FDD/TDD、HSPA+以及EDGE等多种制式的融合芯片。” 彼德·卡尔森表示，高通高集成芯片组不仅能够帮助运营商从3G平滑演进到4G，同时也能够帮助OEM厂商设计，同时利用相同的设计平台，解决开发设计成本。

    彼德·卡尔森介绍到，目前推出的MDM9200芯片是高通部署LTE芯片的第一阶段，而在下一阶段高通将分两步进行，第一步是提出集成芯片MSM8960，语音服务通过2G或3G来实现，而数据则通过LTE实现；后期演进的MSM8960芯片则将实现语音与数据均可通过LTE来实现。

    今年6月初，高通公司在11家竞标者参与到印度BWA宽带无线接入频谱拍卖中并获胜，高通的目标很明确，即通过BWA频段布局3G及LTE，而印度2.3GHz频段的特点和印度民众对宽带服务的需求与高通的TD-LTE恰好契合在一起。与此同时，近日高通宣布与Global Holding和Tulip两家印度公司组建合资公司，根据印度政府的要求共建LTE网络，之后从合资公司中撤出。