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IR车用MOSFET提高30%电流,减少50%引线电阻

责任编辑:FLORA |来源:企业网D1Net  2011-05-30 08:39:04 原创文章 企业网D1Net

国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出采用新型 WideLead TO-262 封装的车用 MOSFET 系列,与传统的 TO-262封装相比,可减少 50% 引线电阻,并提高 30% 电流。

这款新型车用 MOSFET 系列适合需要低导通电阻 (Rds(on)) 的通用大负荷/高功率通孔应用,内燃机 (ICE) 汽车电动助力转向系统和电池开关,以及各类微型和全混合动力汽车。新器件采用 IR 先进的硅和封装技术,在显着提高性能的同时可与现有的设计标准相匹配。

在标准 TO-262 通孔封装中,除了 MOSFET 导通电阻,源极和漏极引线电阻可增至1mΩ。新 WideLead TO-262 通孔封装可将引线电阻降至不到 0.5 mΩ,大大减少了引线中的传导损耗和热量,在特定的工作温度下,比传统的 TO-262 封装的电流承载能力高30%。根据评估,在直流电为 40A 和 60A 的条件下,WideLead 引线温度比标准 TO-262分别低 30% 和 39%。此外,随着其它封装技术的提高,WideLead 比标准 TO-262 封装中的同等 MOSFET 少传输 20% 导通电阻。

所有 IR 车用 MOSFET 产品都遵循 IR 要求零缺陷的汽车质量理念,并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动晶圆级目视检查。

新器件符合 AEC-Q101 标准,是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的。它环保、无铅,也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

产品规格

器件编号 封装 V(BR)DSS (V) 10VGS时的

最大导通电阻 (mΩ) TC 为 25°C时的ID 最大值 (A) 10VGS 时的

QG 典型值(nC)

AUIRF1324WL TO-262WL 24 1.3 240 120

AUIRF3004WL TO-262WL 40 1.4 240 160 

关键字:MOSFET

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IR车用MOSFET提高30%电流,减少50%引线电阻

责任编辑:FLORA |来源:企业网D1Net  2011-05-30 08:39:04 原创文章 企业网D1Net

国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出采用新型 WideLead TO-262 封装的车用 MOSFET 系列,与传统的 TO-262封装相比,可减少 50% 引线电阻,并提高 30% 电流。

这款新型车用 MOSFET 系列适合需要低导通电阻 (Rds(on)) 的通用大负荷/高功率通孔应用,内燃机 (ICE) 汽车电动助力转向系统和电池开关,以及各类微型和全混合动力汽车。新器件采用 IR 先进的硅和封装技术,在显着提高性能的同时可与现有的设计标准相匹配。

在标准 TO-262 通孔封装中,除了 MOSFET 导通电阻,源极和漏极引线电阻可增至1mΩ。新 WideLead TO-262 通孔封装可将引线电阻降至不到 0.5 mΩ,大大减少了引线中的传导损耗和热量,在特定的工作温度下,比传统的 TO-262 封装的电流承载能力高30%。根据评估,在直流电为 40A 和 60A 的条件下,WideLead 引线温度比标准 TO-262分别低 30% 和 39%。此外,随着其它封装技术的提高,WideLead 比标准 TO-262 封装中的同等 MOSFET 少传输 20% 导通电阻。

所有 IR 车用 MOSFET 产品都遵循 IR 要求零缺陷的汽车质量理念,并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动晶圆级目视检查。

新器件符合 AEC-Q101 标准,是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的。它环保、无铅,也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

产品规格

器件编号 封装 V(BR)DSS (V) 10VGS时的

最大导通电阻 (mΩ) TC 为 25°C时的ID 最大值 (A) 10VGS 时的

QG 典型值(nC)

AUIRF1324WL TO-262WL 24 1.3 240 120

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