英飞凌(Infineon)日前豪掷30亿美元购并国际整流器(IR)，创下该公司有史以来最高收购金额，藉此接收国际整流器先进的氮化镓(GaN)、绝缘闸双极性电晶体(IGBT)等功率半导体产品线、核心技术及销售通路，强化在各种功率半导体应用领域的市场地位。

英飞凌执行长ReinhardPloss表示，收购国际整流器是一个不可多得的机会；国际整流器公司的员工对于客户需求的丰富经验与应用的掌握度，将有助英飞凌从功率半导体至系统方案的战略性发展。两家公司的产品、技术、创新的整合，以及销售通路的实力，日后将会发挥巨大的潜力。

英飞凌将国际整流器纳入麾下，将是其扩张市场势力版图的关键一着。透过此收购案，英飞凌不仅能让旗下的功率半导体产品更具经济规模，并拥有更大的销售市场，日后亦能提供客户更广泛的创新产品和服务。

更重要的是，国际整流器拥有标榜低功耗和高效能的IGBT、智慧化功率模组(IntelligentPowerModule)、金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)、数位电源管理IC及GaN功率半导体的产品线和研发能量，与英飞凌的电源管理方案产品组合有极高的互补性。另外，双方合并后，也将进一步加速提高英飞凌在300毫米(mm)薄晶圆的产能。

其中，GaN功率半导体可提供较传统MOSFET更高的效率和切换速度，能迎合太阳能逆变器、电动车锂电池等高效能电子产品的性能诉求，早已是功率半导体厂群起攻之的市场，英飞凌当然亦不例外。

也因此，英飞凌购并国际整流器后，可望加速巩固在GaN分离元件和系统方案市场的地位，并持续增强此具备重要战略意义的技术平台能量。此外，本次交易亦将让英飞凌成为可提供完整矽、碳化矽(SiC)及GaN功率半导体元件和IC的功率半导体供应商。