责任编辑：xdong | 2012-07-07 10:59:15 本文摘自：中关村在线
三星电子日前宣布，成功试样业界首个16GB DDR4内存模组，此次试样产品以RDIMM形式推出，主要面向企业级服务器市场。
“通 过推出这些新一代高密度DDR4内存模组，三星与业界重量级CPU和服务器厂商的合作关系得到进一步深化，有助于共同打造下一代绿色IT系统，”三星执行 副总裁、内存销售和市场总监Wanhoo Hong表示。三星也将在未来推出基于DDR4 DRAM的20nm级别内存芯片。
目前，三星采用30nm级别制程工艺，上个月试样的产品包括单条6GB、16GB DDR4，并将它们提供给主要的CPU和控制器厂商。
三星DDR4内存(图片来自国外)
据悉，DDR4内存对比DDR3的优势更加明显：带宽方面最多可达DDR3-1600的两倍，即3200Mbit/s;工作电压方面，DDR4也比三星此前的DDR3L内存要低，从1.35V降至1.2V，使得整体功耗最多可减少约40%。
三星表示将与OEM客户以及主要CPU/内存控制器制造商紧密合作扩展高存储密度DDR4内存模块的市场，零售产品预计将于明年大规模量产上市。而在制程进化到20nm级别之后，DDR4内存的单条容量可提升至32GB。
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责任编辑：xdong | 2012-07-07 10:59:15 本文摘自：中关村在线
三星电子日前宣布，成功试样业界首个16GB DDR4内存模组，此次试样产品以RDIMM形式推出，主要面向企业级服务器市场。
“通 过推出这些新一代高密度DDR4内存模组，三星与业界重量级CPU和服务器厂商的合作关系得到进一步深化，有助于共同打造下一代绿色IT系统，”三星执行 副总裁、内存销售和市场总监Wanhoo Hong表示。三星也将在未来推出基于DDR4 DRAM的20nm级别内存芯片。
目前，三星采用30nm级别制程工艺，上个月试样的产品包括单条6GB、16GB DDR4，并将它们提供给主要的CPU和控制器厂商。
三星DDR4内存(图片来自国外)
据悉，DDR4内存对比DDR3的优势更加明显：带宽方面最多可达DDR3-1600的两倍，即3200Mbit/s;工作电压方面，DDR4也比三星此前的DDR3L内存要低，从1.35V降至1.2V，使得整体功耗最多可减少约40%。
三星表示将与OEM客户以及主要CPU/内存控制器制造商紧密合作扩展高存储密度DDR4内存模块的市场，零售产品预计将于明年大规模量产上市。而在制程进化到20nm级别之后，DDR4内存的单条容量可提升至32GB。
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