SanDisk已经利用其15纳米技术打造出业界最为小巧的NAND制作工艺，这意味着该公司能够在同一块硅晶片上切割出更多闪存芯片——产品成本也将因此而降低。

该公司将这项技术称为“1Z”，这一名称显然延续自指代20纳米以下工艺的“1X”以及15纳米到20纳米之间的“1Y”。事实上这些以字母为后缀的命名成果彼此之间的界限较为模糊，而且美光对于1Y及1Z的定义很可能与SanDisk及其合作伙伴东芝存在较大差别。

东芝与SanDisk已经开始生产19纳米闪存（1X）芯片，并将此作为上代24纳米芯片产品的替代方案。英特尔与美光则正在潜心打造20纳米设备。美光的16纳米工艺正处于开发当中，并于去年开始小规模提供样片。我们认为三星同样也在以19纳米工艺制造新产品，而且开发19纳米以下工艺也只是时间问题。

SanDisk指出，该公司将从今年下半年开始提高2bit每单元（即MLC）与3bit每单元（即TLC）闪存芯片的生产规模。公司存储技术高级副总裁Siva Sivaram博士解释称，这项技术将创造出“全球体积最小且最具成本效益的128Gb芯片。”Sandisk方面还表示，15纳米工艺的推广“不会影响到任何存储性能或者可靠性因素”;这项技术将被广泛应用在该公司的各条产品线当中，从便携式SD卡到企业SSD尽皆包含在内。

我们相信作为SanDisk公司的闪存代工合作伙伴，东芝也将以同样的节奏推广15纳米工艺;而以Violin Memory为代表的各大SanDisk客户也将能够利用这些经过“瘦身”的闪存组件帮助自家存储设备实现更为出色的功能表现。