IMTF，也就是英特尔美光闪存技术，属于英特尔与美光两家企业之间的合作产物。这项3D MLC NAND技术将被用于在未来两年内构建容量高达10TB的SSD产品。

所谓3D闪存芯片，是指将多个普通或者2D平面存储单元以彼此累加的方式堆叠起来以构成多层结构。

这条消息来自前天——也就是11月20号——英特尔公司投资方所发布的网络播客内容，其中还提到英特尔公司非易失性存储解决方案部门副总裁兼总经理Rob Crooke就开发进度做出如下说明：

包含32个平面层
不同层之间约有40亿个柱状互连通道负责数据传输
采用MLC（即2 bit每单元）NAND的情况下可提供256Gbit存储容量——也就是32GB
采用TLC（即3 bit每单元）NAND的情况下可提供348Gbit——也就是48GB

具体制程工艺信息尚未披露，但估计是在3X水平——即30纳米到39纳米。除此之外，目前尚未确定英特尔是否会真正着手将3D芯片制造付诸实施。如果没有特殊情况，那么应该是由IMTF的Lehi——即犹他州代工厂负责制造。

IMTF NAND芯片

我们可以期待着美光采取并推出基于同一技术基础的产品。

Crooke预计在未来两年内将出现10TB SSD，这意味着（我们假设）具体时间点应该在2016年年底或者2017年年初，同时承诺带来极具颠覆性的低成本——这意味着（我们再次大胆假设）每GB价格将与磁盘驱动器保持基本一致。

他同时表示，届时市场上还有可能出现基于这一技术的容量为1TB、厚度却仅为2毫米的移动设备闪存产品，这将极大提高平板设备与智能手机的存储容量。

其它专注于3D闪存开发项目的厂商还包括海力士、三星以及SanDisk，其中三星的技术成果最为先进。

三星的V-NAND已经被应用在3.2TB SM1715 NVMe服务器闪存卡当中。其845DC PRO SSD是一款包含24层结构的V-NAND产品，采用40纳米制程工艺并拥有128GB芯片。

SSD850 PRO则是另一款具备32层结构的三星V-NAND产品，顺带一提，它为客户提供长达十年的质保服务。这款产品采用86Gbit芯片，若采用此次公布的新技术、那么TLC芯片将使其拥有128Gbit容量。

就目前来看，英特尔公司在存储容量方面具备显著的竞争优势（至少从理论层面上看）。预计三星方面将在未来一年将3D NAND技术推向下一个世代，届时存储容量可能得到进一步提升。

海力士公司也指出，其将从今年年底开始大规模启动3D NAND生产计划。

SanDisk公司采用的是其独特的P-BiCS机制，即利用垂直比特串而非2D平面层结构。采用该项技术的产品可能会在明年与广大用户见面。

总而言之，我们可以期待随着3D NAND生产逐步走向主流，SSD与闪存卡设备将持续迎来不断增长的容量指标。