2022年冬奥会还远 还是说说眼前的3D XPoint
责任编辑:editor04 作者:宋家雨 | 2015-07-31 21:48:21 本文摘自:存储在线
李炫辉表示,从这个来看,横的应该是绝缘层。纵向是Selector和Memory Cell,应该是存储,一个是NAND,一个RAM,和上次猜测的一样。
3D Xpoint和FlashTec NVRAM有近似之处。其中,NVRAM是将RAM和NAND结合在一起,设计上,通过增加一系列电容和控制连接的设计(请原谅,我非专业人士,描述未必准确)。作用是,当意外断电的发生时,利用电容供电,将RAM中的数据,高速传递给NAND保存,数据不丢失。大概这就是NVRAM的做法。好处是,内存RAM的高速,NAND的非易失性兼顾。这个描述和3D Xpoint是不是很像。3D Xpoint差别之处在于,RAM和NAND之间不是靠电容和控制,猜测应该利用所说的3D Xpoint的新材料,通过电位差(我又不专业了,意会吧)实现数据从RAM到NAND的高速传递,RAM和NAND可以做到Cell一级传递。总之,替代了NVRAM的高速互连方法。是不是如此,没有更多披露。专业的解读,不够专业的转述,供大家参考。如此一来,看来3D Xpoint首先针对内存(RAM),而不是NAND。所以,有脱离NAND,新一代存储主战场的嫌疑。但也不尽然,未来CPU的设计趋势之一,是将缓存外移,增加计算处理能力,计算和内存借助高速互连(3D Xpoint)实现,兼顾高速互联非易失存储。所以,3D Xpoint未来的角色定位如何,还是有很大的想象空间!