责任编辑：editor007 | 2015-08-21 17:56:38 本文摘自：中国信息产业网-人民邮电报
东芝推出全球首款48层3D堆叠式结构闪存，该闪存采用了一种在硅基板上垂直堆叠闪存存储单元的结构，相比平面NAND闪存（存储单元位于硅基板上），极大地提高了密度，其容量可达256Gb（32GB），同时采用了行业领先的三阶存储单元（TLC）技术。这款全新闪存适用于各种产品应用，包括消费级固态硬盘（SSD）、智能手机、平板电脑和内存卡以及面向数据中心的企业级SSD。据悉，样品将于9月开始发货。
东芝于1987年在世界上最早开发出NAND闪存，此次推出的新产品所采用的48层3D堆叠工艺，除了可以提高闪存的容量，同时还能提高可写入/擦除次数及写入速度。目前，这一产品在东芝四日市工厂开始生产，预计于2016年上半年完工的新工厂也将生产该产品。
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责任编辑：editor007 | 2015-08-21 17:56:38 本文摘自：中国信息产业网-人民邮电报
东芝推出全球首款48层3D堆叠式结构闪存，该闪存采用了一种在硅基板上垂直堆叠闪存存储单元的结构，相比平面NAND闪存（存储单元位于硅基板上），极大地提高了密度，其容量可达256Gb（32GB），同时采用了行业领先的三阶存储单元（TLC）技术。这款全新闪存适用于各种产品应用，包括消费级固态硬盘（SSD）、智能手机、平板电脑和内存卡以及面向数据中心的企业级SSD。据悉，样品将于9月开始发货。
东芝于1987年在世界上最早开发出NAND闪存，此次推出的新产品所采用的48层3D堆叠工艺，除了可以提高闪存的容量，同时还能提高可写入/擦除次数及写入速度。目前，这一产品在东芝四日市工厂开始生产，预计于2016年上半年完工的新工厂也将生产该产品。
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