惠普着手开发全新类别的存储与内存技术已有多年，这项称之为“忆阻器”(Memristor)的新技术，有望以某种形式的堆栈式内存来取代DRAM和NAND。尽管其算不上秘密、也算不上受欢迎，但惠普依然选择了与SanDisk携手打造一些基于忆阻器的存储设备，并将之推向数据中心和其它企业。惠普的目标很简单，那就是为商业客户开发高端产品。
未来几年，惠普忆阻器与三星/英特尔之间还有一场硬仗要打。
惠普的忆阻器技术将与英特尔的3D XPoint和三星的3D NAND展开直接竞争，其旨在打破传统内存（RAM）与存储之间的隔阂，速度可达NAND闪存存储的1000倍，但是没有传统的RAM那么快。
好的一面是，与断电就丢数据的RAM不同，忆阻器和3D XPoint更类似，因为它在断电的情况下仍然可以保持数据，这这点与传统的闪存也很像。通过结合双方的优点，可以更好地实现性能和成本（能源/环保）方面的均衡。
惠普与SanDisk倾向于把新式忆阻器数据存储内存叫做“存储级内存”（Storage Class Memory），毕竟它是专为数据中心而打造的。但是在3D XPoint面前，它能否赢得客户的心，目前还是个未知数。
尽管惠普揭晓忆阻器的时间更早，但其进步的速度还是赶不上英特尔，且“事实标准”向来都更容易落到更强势的那一家。
早在今年的开发者论坛（IDF 2015）上，英特尔就已经展示过首款3D XPoint SSD。该设备拥有6GB/s的带宽，并且兼容DDR4和PCIe 3.0 x4插槽。
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