英特尔此次以55亿美元的大手笔增资转产，究竟将采用何种技术？对于这一关键环节，英特尔方面迄今并未宣布，引发业界、特别是大连市有关方面的关注和猜想，这也将成为英特尔大连工厂未来技术路线图的焦点所在。

大连市半导体协会会长唐忠德在接受记者采访时分析认为，英特尔大连工厂在大手笔实施增资转产后，一定是采用目前国内最顶尖的技术，有可能比国内目前的技术水平领先一——二代，但仍将比国际最先进水平落后至少二代。这是符合瓦圣纳协议的相关限制规定的。（这是冷战时代的产物，即对在传统武器和双重用途的货物和技术输出控制的国际协定。）这个判断既符合此产品的性能特点，也符合瓦圣纳协议的限制条款。

根据分析，要在大连生产这样一种3D存储器产品，其对工艺水平和技术要求非常高。从近年英特尔的技术发展路线图分析，可以得出一个基本的判断。2010年，英特尔与美光曾宣布，推出25纳米的新存储器工艺技术。2011年，英特尔与美光再次宣布，采用最先进的20纳米工艺技术。2013年，英特尔宣布采用14纳米技术；2015年末，英特尔可能将采用10纳米技术。同时，7纳米技术和5纳米技术已进入研发阶段。由此判断，英特尔大连工厂未来的存储器生产，将采用节点技术，可能的技术水平介于20~28纳米之间。据预计，如果采用22纳米技术，则意味着该产品仍将与国际主流技术相差2代左右。这个判断符合瓦圣纳协议的限制条款。据预计，英特尔大连工厂最早将于2016年底投产，届时，世界主流的工艺技术水平恰好将达到10纳米，而10纳米到20纳米之间相差两代。

根据推测，英特尔大连工厂的晶圆尺寸仍将采用300毫米，12英寸规格。目前中国集成电路产业工艺技术水平最高的是中芯国际，采用的是28纳米技术，英特尔大连工厂未来采用的工艺技术水平至少将领先国内一代以上。

另外，由于英特尔大连工厂已于2010年正式投产，此次实施大规模的增资转产，只是需要更换生产线上的很多设备，而不是另起炉灶，所以再次投产的时间将并不漫长，最快到明年底，预计英特尔大连工厂就将以一个全新的面貌再次进入投产阶段。