当前位置:存储企业动态 → 正文

三星否认投资200亿美元提高3D NAND产量

责任编辑:editor004 作者:木秀林 |来源:企业网D1Net  2016-06-16 11:24:12 本文摘自:网易科技报道

undefined

6月15日消息,据路透社报道,《韩国经济新闻》称,三星电子计划明年底前投资25万亿韩元(约合213亿美元)提高3D NAND闪存芯片产量。对此三星电子予以否认。

全球最大的内存芯片公司三星电子在提交的监管文件中称,媒体对其芯片投资计划的报道是不准确的,还未决定具体的投资计划。

《韩国经济新闻》报道,三星电子的计划是为了垄断内存芯片市场,让东芝、美光科技、英特尔和中国的XMC等无法追赶。原先三星在DRAM内存市场也采取同样的方法巩固地位,结束了30年的“斗鸡比赛”。

6月14日业内消息称,三星电子计划在韩国华城工厂第17号生产线上建设一条3D NAND闪存生产线,此前还宣布将第16号生产线改造为3D NAND生产线。到今年底,该公司的生产能力可达到10万块晶圆片/月。

另外,三星电子已经决定在年底前将完工的韩国平泽工厂生产3D NAND闪存(第一阶段产量可达10万块晶圆片/月)。三星电子还将扩建中国西安工厂,使每月产量达到4万块晶圆片。

关键字:三星电子NAND闪存

本文摘自:网易科技报道

x 三星否认投资200亿美元提高3D NAND产量 扫一扫
分享本文到朋友圈
当前位置:存储企业动态 → 正文

三星否认投资200亿美元提高3D NAND产量

责任编辑:editor004 作者:木秀林 |来源:企业网D1Net  2016-06-16 11:24:12 本文摘自:网易科技报道

undefined

6月15日消息,据路透社报道,《韩国经济新闻》称,三星电子计划明年底前投资25万亿韩元(约合213亿美元)提高3D NAND闪存芯片产量。对此三星电子予以否认。

全球最大的内存芯片公司三星电子在提交的监管文件中称,媒体对其芯片投资计划的报道是不准确的,还未决定具体的投资计划。

《韩国经济新闻》报道,三星电子的计划是为了垄断内存芯片市场,让东芝、美光科技、英特尔和中国的XMC等无法追赶。原先三星在DRAM内存市场也采取同样的方法巩固地位,结束了30年的“斗鸡比赛”。

6月14日业内消息称,三星电子计划在韩国华城工厂第17号生产线上建设一条3D NAND闪存生产线,此前还宣布将第16号生产线改造为3D NAND生产线。到今年底,该公司的生产能力可达到10万块晶圆片/月。

另外,三星电子已经决定在年底前将完工的韩国平泽工厂生产3D NAND闪存(第一阶段产量可达10万块晶圆片/月)。三星电子还将扩建中国西安工厂,使每月产量达到4万块晶圆片。

关键字:三星电子NAND闪存

本文摘自:网易科技报道

电子周刊
回到顶部

关于我们联系我们版权声明隐私条款广告服务友情链接投稿中心招贤纳士

企业网版权所有 ©2010-2024 京ICP备09108050号-6 京公网安备 11010502049343号

^