责任编辑：editor007 作者：李超 | 2016-11-17 18:25:31 本文摘自：ZD至顶网
尼古拉斯公司总经理Aaron Rakers在本届SC16大会上造访了希捷公司展台，并注意到希捷方面提出其HAMR（即热辅助磁记录）技术领先西部数据与东芝一年的说法。
据了解，希捷计划于2018年推出的HAMR驱动器预计将为一块16 TB存储容量的3.5英寸产品，其中包含8块存储碟片与16个磁头。其很可能将采用氦气填充式外壳设计。
希捷公司认为，其完全有能力凭借着HAMR驱动器将每GB使用成本降低至0.02美元以下，这一成本水平即使与QLC（即四层单元）闪存配合3D NAND制程相比仍然具备优势，后者的存储成本将高于每GB 0.09美元。
目前的SAS SSD产品每GB存储成本约为0.55美元，而3D TLC（即三层单元）闪存的存储成本则在每GB 0.20到0.30美元之间。
希捷公司认为，NVMe闪存驱动器一直要到PCIe gen 4.0时代才会全面起飞，其能够在速度上达到gen 3 PCIe的两倍，且预计将在2017-2018年推出。
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责任编辑：editor007 作者：李超 | 2016-11-17 18:25:31 本文摘自：ZD至顶网
尼古拉斯公司总经理Aaron Rakers在本届SC16大会上造访了希捷公司展台，并注意到希捷方面提出其HAMR（即热辅助磁记录）技术领先西部数据与东芝一年的说法。
据了解，希捷计划于2018年推出的HAMR驱动器预计将为一块16 TB存储容量的3.5英寸产品，其中包含8块存储碟片与16个磁头。其很可能将采用氦气填充式外壳设计。
希捷公司认为，其完全有能力凭借着HAMR驱动器将每GB使用成本降低至0.02美元以下，这一成本水平即使与QLC（即四层单元）闪存配合3D NAND制程相比仍然具备优势，后者的存储成本将高于每GB 0.09美元。
目前的SAS SSD产品每GB存储成本约为0.55美元，而3D TLC（即三层单元）闪存的存储成本则在每GB 0.20到0.30美元之间。
希捷公司认为，NVMe闪存驱动器一直要到PCIe gen 4.0时代才会全面起飞，其能够在速度上达到gen 3 PCIe的两倍，且预计将在2017-2018年推出。
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