全球存储器龙头大厂针对3D NAND Flash开始全力强化其战力，包括韩系龙头的三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、日系东芝(Toshiba)、美系美光(Micron)、英特尔(Intel)等，3D NAND可望在2017年下半放量生产，熟悉后段封测业者表示，估计2017年第3季NAND Flash供需紧绷市况可望稍微缓解，价格涨势回稳，而进入3D NAND时代后，存储器封测业者中，又以力成最为受惠。

由于2017年存储器大厂从2D NAND转换到3D NAND，良率有所考验，2D NAND既有产能则被占据，加上市场上需求不坠，供给减少需求续增，造成整体NAND Flash价格上涨、供需紧张局面，不过半导体相关业者已经表示估计韩系业者在2017年下半陆续量产，三星以64层3D NAND、SK海力士更以72层3D NAND力求领先业界。

而与台系存储器相关供应体系业者合作关系良好的美系美光，预计投入研发生产64层3D NAND，2017年第2季开始量产，2017年下半更可望放量生产，日系东芝也锁定64层3D NAND Flash产品大力投入。

而观察几大存储器原厂动向，台系大厂力成将成为后段封测代工的大赢家，2017年下半营运备受市场期待。主因系东芝持续扩大3D NAND产能，力成获认证通过，第1季开始接单量产。美系大厂英特尔大连厂2016年底量产3D NAND，2017年下半会再量产新一代3D XPoint存储器(NVM非挥发性存储器，效能大胜于NAND Flash，目前英特尔仅推出第一款采用3D Xpoint之固态硬碟)，力成仍有机会成为主要后段封测代工厂，加上美光的3D NAND订单，力成2017年逐季成长备受期待。董事长蔡笃恭日前也直接表示，第2季优于第1季，力成主力客户都直接为半导体业者，也不会受到缺货涨价等问题影响太多。

对于封测业者来说，高阶产品测试时间拉长，有利于封测业者营运，另外，影响封测业者营运增温也必须端看订单数量，3D NAND或是英特尔3D Xpoint产品，具有相当难度，拉长测试时间对于力成等后段业者有利。

熟悉存储器业者表示，估计2017年上半不管是DRAM、NAND Flash缺货涨价态势还会持续，但是缺货也造成二线业者营运有压力，预计市场到了第3季随着国际大厂陆续放量生产3D NAND，整体NAND Flash涨价态势稍微趋缓，产业供需紧张可望稍微调整脚步。