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存储器价格持续上扬,SK 海力士 2017 年首季营收获利均创新高

责任编辑:editor005 |来源:企业网D1Net  2017-04-25 14:47:55 本文摘自:Technews科技新报

韩国存储器大厂 SK 海力士 (SK Hynix) 于 25 日一早公布 2017 年第 1 季的财报。由于受惠全球存储器芯片需求畅旺,市场供不应求,存储器价格持续上扬的影响下,营收来到 6.28 万亿韩元,较 2016 年同期增加 72%,优于市场预期的 6 万亿韩元。营业利益也来到 2.46 万亿韩元,也较 2016 年同期大增 339.2%,优于分析师预估的 2.4 万亿韩元。

根据财报指出,SK 海力士 2017 年的第 1 季净利为 1.89 万亿韩元,相较 2016 年同期的 4,480 亿韩元大幅成长,也优于分析师预估的 1.8 万亿韩元。整体来看2017 年第 1 季营收获利均创下历史新高,净利更较 2016 年同期暴增逾3倍。

SK 海力士表示,首季营收、营业利益与净利均创下历史新高。虽然,每一年的第 1 季通常被视为是全球芯片产业的淡季。但是,由于存储器产业从 2016 年下半年起持续看涨,再加上市场供不应求的情况,使第 1 季 SK 海力士能维持淡季不淡的好成绩。

SK 海力士进一步指出,第 1 季 DRAM 芯片出货虽较上一季减少 5%。但是,因为平均出货价格较上一季大涨 24%,特别是在个人电脑与服务器使用的存储器芯片价格上持续维持高档,使得价格的变化填补了出货量的减少情况。至于,在 NAND Flash 快闪存储器产品上,第 1 季的出货也较上一季减少 3%,但平均价格却上涨 5%。

目前,SK 海力士正计划扩大 20 纳米 DRAM 的产能,并开始在 2016 年下半年开始量产 1x 纳米的 DRAM 产品。而且,自 2016 年年底开始已经批量生产了首批 48 层的 3D NAND Flash 快闪存储器,而且预计在 2017 年下半年大规模生产的 72 层 3D NAND Flash 快闪存储器。至于,在竞标日本半导体大厂东芝 (TOSHIBA) 的计划上,SK 海力士将联贝恩资本打造国际级团队进行竞标。如果能成功吃下东芝半导体,则 SK 海力士将一跃成为全球第二大 NAND Flash快闪存储器供应商。

关键字:海力士SK营收

本文摘自:Technews科技新报

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存储器价格持续上扬,SK 海力士 2017 年首季营收获利均创新高

责任编辑:editor005 |来源:企业网D1Net  2017-04-25 14:47:55 本文摘自:Technews科技新报

韩国存储器大厂 SK 海力士 (SK Hynix) 于 25 日一早公布 2017 年第 1 季的财报。由于受惠全球存储器芯片需求畅旺,市场供不应求,存储器价格持续上扬的影响下,营收来到 6.28 万亿韩元,较 2016 年同期增加 72%,优于市场预期的 6 万亿韩元。营业利益也来到 2.46 万亿韩元,也较 2016 年同期大增 339.2%,优于分析师预估的 2.4 万亿韩元。

根据财报指出,SK 海力士 2017 年的第 1 季净利为 1.89 万亿韩元,相较 2016 年同期的 4,480 亿韩元大幅成长,也优于分析师预估的 1.8 万亿韩元。整体来看2017 年第 1 季营收获利均创下历史新高,净利更较 2016 年同期暴增逾3倍。

SK 海力士表示,首季营收、营业利益与净利均创下历史新高。虽然,每一年的第 1 季通常被视为是全球芯片产业的淡季。但是,由于存储器产业从 2016 年下半年起持续看涨,再加上市场供不应求的情况,使第 1 季 SK 海力士能维持淡季不淡的好成绩。

SK 海力士进一步指出,第 1 季 DRAM 芯片出货虽较上一季减少 5%。但是,因为平均出货价格较上一季大涨 24%,特别是在个人电脑与服务器使用的存储器芯片价格上持续维持高档,使得价格的变化填补了出货量的减少情况。至于,在 NAND Flash 快闪存储器产品上,第 1 季的出货也较上一季减少 3%,但平均价格却上涨 5%。

目前,SK 海力士正计划扩大 20 纳米 DRAM 的产能,并开始在 2016 年下半年开始量产 1x 纳米的 DRAM 产品。而且,自 2016 年年底开始已经批量生产了首批 48 层的 3D NAND Flash 快闪存储器,而且预计在 2017 年下半年大规模生产的 72 层 3D NAND Flash 快闪存储器。至于,在竞标日本半导体大厂东芝 (TOSHIBA) 的计划上,SK 海力士将联贝恩资本打造国际级团队进行竞标。如果能成功吃下东芝半导体,则 SK 海力士将一跃成为全球第二大 NAND Flash快闪存储器供应商。

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本文摘自:Technews科技新报

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