最近一段时间来中国公司兴建存储芯片工厂的消息很多，除了国家队的清华紫光/长江存储斥资240亿美元在武汉、南京等地建厂之外，福建晋华投资集团在福建晋江投资370亿元建设存储工厂，日前合肥市投资494亿元的DRAM工厂开始运转了。中国大陆这边动辄投资上百亿乃至上千亿进入存储芯片市场，原有的市场玩家就有点担心了，昨天全球第三大DRAM公司台湾南亚科技就表示大陆投资DRAM工厂有可能破坏全球市场。

除了这三个大项目之外，其他地方政府也对存储芯片工厂蠢蠢欲动，陆续还会有新项目上马，这毕竟是国家的战略目标，上马存储芯片项目能够获得国家财政等支持，也是地方政府的政绩，所以国内投资存储芯片的冲动还会继续。

如此大手笔投入，对原有市场格局肯定会有影响，目前DRAM领域主要有三星、SK Hynix及美光三大厂商，而第四大厂商是台湾的南亚科技，此前还有华亚科，只是华亚科已经被美光全资收购了，因此南亚排到了第四，不过南亚Q1季度营收只有3.94亿美元，占DRAM市场份额只有2.8%，跟前面三家完全不能比。

来自日经新闻亚洲版的报道，南亚科技总裁Lee Pei-Ing本周五在媒体会议上警告中国大陆激进投资可能破坏全球市场，他表示“我们很担心大陆对存储芯片工厂的激进投资以及他们能否从关键的芯片厂商获得技术授权，这些情况会使目前健康的竞争状态转向残酷的竞争，有可能带来失控及破坏性效果。”

PS：从早前美国商务部长到台湾南亚科技，他们已经不止一次表达过类似的担心——中国大陆对存储芯片以及整个半导体领域的疯狂投资有可能破坏市场格局，导致产能过剩、扼杀创新，甚至会威胁美国国家安全。

对于他们的表态，我们也无需过度解读，市场领先的玩家当然不愿意看到别人超越他们，更怕打价格战，毕竟中国公司最擅长这个。对南亚来说，他们在DRAM市场上的份额太小了，而大陆投资的存储芯片公司规模超大，福建晋华的项目一期产能就是6万片晶圆/月，合肥的则是12.5万片/月，紫光在武汉的项目是20万片晶圆/月，2020年可达30万片/月，2030年完全建成时是100万片晶圆/月——光是合肥的项目就跟SK Hynix现在的DRAM产能差不多了，紫光的产能目标未来是奔着三星、东芝等公司去的。

可以想象，未来两年大陆的存储芯片项目开始量产时，首先遭殃的就是南亚这种规模较小的公司，所以他们担心大陆的投资很正常。考虑到大陆的DRAM及NAND技术水平短时间内不可能达到三星、美光等公司的水平，但是产能够大，价格战不可避免。