责任编辑：editor005 | 2017-06-29 11:45:02 本文摘自：cnBeta.COM
东芝今日宣布其成功开发出了全球首款 4-bit 3D 闪存（QLC），有望带来更低的制造成本和更高的存储密度。闪存通过一串带有电荷的浮动门晶体管来存储数据（赋予“0”或“1”即 1-bit），这些存储块可以二维（平面型 NAND）或三维（3D NAND）堆叠的形式排列，然后用更多电荷值来对应存储更多位元的信息。比如四级（2-bit）闪存被称为 MLC、八级（3-bit）则为称为 TLC 。
QLC 进一步提升到了 16 级（4-bit），可将每格划分出 16 个单元，从而实现更大的存储容量。曾几何时，业界难以突破 TLC 所需区分的精确电荷。但最新的进展是，东芝已开发出了 64 层堆叠的 QLC 3D NAND 。
该方法将核心存储容量提升到了 768 gigabit，较 TLC 的 512 gigabit 有了显著提升。东芝表示，新 QLC 核心能够 16 片堆叠，从而实现 1.5TB 的存储容量。
据悉，东芝已于本月早些时候开始向制造商出货 3D QLC NAND 样片，以供其评估。至于其何时走向消费级市场，目前暂不得而知。
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责任编辑：editor005 | 2017-06-29 11:45:02 本文摘自：cnBeta.COM
东芝今日宣布其成功开发出了全球首款 4-bit 3D 闪存（QLC），有望带来更低的制造成本和更高的存储密度。闪存通过一串带有电荷的浮动门晶体管来存储数据（赋予“0”或“1”即 1-bit），这些存储块可以二维（平面型 NAND）或三维（3D NAND）堆叠的形式排列，然后用更多电荷值来对应存储更多位元的信息。比如四级（2-bit）闪存被称为 MLC、八级（3-bit）则为称为 TLC 。
QLC 进一步提升到了 16 级（4-bit），可将每格划分出 16 个单元，从而实现更大的存储容量。曾几何时，业界难以突破 TLC 所需区分的精确电荷。但最新的进展是，东芝已开发出了 64 层堆叠的 QLC 3D NAND 。
该方法将核心存储容量提升到了 768 gigabit，较 TLC 的 512 gigabit 有了显著提升。东芝表示，新 QLC 核心能够 16 片堆叠，从而实现 1.5TB 的存储容量。
据悉，东芝已于本月早些时候开始向制造商出货 3D QLC NAND 样片，以供其评估。至于其何时走向消费级市场，目前暂不得而知。
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