责任编辑：editor04 | 2014-07-22 17:40:23 本文摘自：TechTarget中国
什么是自旋力矩存储（Spin-transfer torque memory）技术？它的设计是用来解决哪些当前闪存芯片不能解决的问题？
Marc Staimer：自旋力矩存储技术是利用“拥有自旋角动量的属性的电子或其他粒子”的一种技术。其中自旋角动量是两种量子力学角动量之一，另一种叫做轨道角动量。
自力矩存储技术利用穿过磁场的电流来改变电子自旋向上或向下。自旋力矩存储技术也称为STT-RAM内存技术。STT-RAM有潜力成为一个比flash更高密度、更少成本、更低功耗的非易失性存储选项。STT-RAM也不是一种像flash这样的破坏性技术，也没有flash的抗磨损寿命问题。
但是，就像很多发展中的非易失性存储技术，如相变内存（PCM）、跑道、忆阻器、MRAM、MeRAM和其他的，它还没有准备就绪。当前的STT-RAM需要过多的电流来调整旋转。一切都在快速发展着，但此时的它还不是一个商业上可用的技术。
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责任编辑：editor04 | 2014-07-22 17:40:23 本文摘自：TechTarget中国
什么是自旋力矩存储（Spin-transfer torque memory）技术？它的设计是用来解决哪些当前闪存芯片不能解决的问题？
Marc Staimer：自旋力矩存储技术是利用“拥有自旋角动量的属性的电子或其他粒子”的一种技术。其中自旋角动量是两种量子力学角动量之一，另一种叫做轨道角动量。
自力矩存储技术利用穿过磁场的电流来改变电子自旋向上或向下。自旋力矩存储技术也称为STT-RAM内存技术。STT-RAM有潜力成为一个比flash更高密度、更少成本、更低功耗的非易失性存储选项。STT-RAM也不是一种像flash这样的破坏性技术，也没有flash的抗磨损寿命问题。
但是，就像很多发展中的非易失性存储技术，如相变内存（PCM）、跑道、忆阻器、MRAM、MeRAM和其他的，它还没有准备就绪。当前的STT-RAM需要过多的电流来调整旋转。一切都在快速发展着，但此时的它还不是一个商业上可用的技术。
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