三星电子今天宣布，已经在全球范围内第一家实现了10nm级别工艺DDR4 DRAM内存颗粒的量产，也是继2014年首个量产20nm DDR3内存颗粒后的又一壮举。三星没有披露新工艺的具体数字，只是模糊地称之为10nm级别或者1xnm，而根据韩国媒体此前报道，三星用的是18nm，继续领先SK海力士、美光等对手。

三星表示，新工艺克服了DRAM行业中的大量技术挑战，包括独有的单元设计技术、四重曝光技术(QPT)、超薄介质层沉积技术等等，而且依然使用了已有的氟化氩沉浸式光刻工艺，并未启用昂贵且不成熟的EUV极紫外光刻。

新的1xnm DDR4内存颗粒单颗容量8Gb(1GB)，频率高达3200MHz，相比于20nm工艺下的DDR4-2400性能可提升30％，同时同等频率下功耗降低10-20％，PC、主流服务器、大型企业网络、高性能计算系统中都有广阔的前景，单条容量最大可做到128GB。

今年晚些时候，三星还会使用新工艺生产新的移动用DRAM内存颗粒，面向智能手机和平板机领域。

随着新工艺的到来、产能的扩大，以及PC需求的下降、手机需求的增长减缓，内存价格将在今年出现大幅度下滑，下半年至少会降20-30％，最多可达40％。三星18nm加入战局，必然会进一步刺激价格走低。