慧荣科技全新主控解决方案为新生代SSD产品开发设计保驾护航

以相同的成本，却能达到倍增的容量，各家内存大厂对3D NAND创新技术的强力投入，预告了2017年将成为3D NAND固态硬盘（SSD）爆发成长的起点。加上Intel制定的Non-Volatile Memory Express（NVMe；非挥发性内存高速规格）超高传输接口的普及登场。容量更大、价格更低、寿命更长、速度更快，新世代SSD产品的卓越价格性能比，预期将大幅拉近与传统硬盘市场的规模差距，两种储存装置已逐渐接近黄金交叉点，高速大容量SSD将成为各式系统设备及消费者的优先选择。

3D NAND带动SSD市场爆炸性成长

根据研究机构Research and Markets公司，在九月底发表的调查报告指出：2016到2020年，PCIe SSD市场年均复合成长率（CAGR）将高达33.24%。市场大幅成长的关键原因之一，就是三星、美光、英特尔及东芝等大厂，对3D NAND投入总额高达180亿美元的生产研发经费。其中英特尔更计划在2015年，于中国市场投入5.5亿美元设立3D NAND厂房。主要大厂对3D NADN技术的持续加码，将能快速扩大预测期间的全球SSD市场规模。

再加上，英特尔领导制定的NVMe接口标准，得到各系统大厂的支持及导入，更让PCIe SSD产品呈现出全新的高速传输风貌。NVMe能透过高带宽、低延迟的PCIe总线传输信道，跨越SATA的6Gb/s及SAS的12Gb/s的传输带宽限制，大幅提升读写效能。NVMe PCIe SSD预估将成为主流，取代SATA/SAS SSD，同样将带动SSD市场需求。

主控技术是效能关键所在

面对3D NAND技术持续创新，以及NVMe接口标准的演进效能，SSD厂商需要更先进的控制芯片与韧体解决方案，才能开发设计出使用寿命、速度、稳定及可靠性更高的SSD产品。

全球领导IC设计公司慧荣科技（Silicon Motion Technology），日前就推出了两款专为3D TLC NAND及NVMe PCIe SSD技术设计的新一代控制芯片解决方案 － SM2258及SM2260。

6月份推出的SM2258，支持主流2D/3D TLC NAND及SATA接口；8月份发表的SM2260，则是遵循NVMe PCIe标准，支持3D MLC/TLC的SSD控制芯片。全面迎向爆发成长的3D NAND SSD市场，再加上慧荣最完整的韧体解决方案，可针对不同的NAND Flash进行量身订制，将能够协助SSD厂商，开发出最具竞争力的3D NAND SSD产品，领先推出市场抢得先机。

SM2258及SM2260提供慧荣独到Turn-Key式完整解决方案，包含完整的硬件及韧体技术，能够带来更大的容量、同类产品最佳效能、超低功耗、更长的使用寿命及卓越的数据稳定度。在展示中，SM2260的8通道设计，最高可支持2TB容量；搭配3D NAND的NVMe PCIe高速传输效能，读取及写入速率更分别可达到2370MB/1039MB惊人数字。

两款控制器都采用了慧荣兼具LDCP及RAID Data Recover功能的NANDXtend 三维解错修正技术。可大幅提高SSD的P/E Cycle达3倍以上，有效延长SSD使用寿命，并且提供更高效率的数据纠错与校准能力，带来最稳定的数据完整性。

先进纠错技术大幅提升SSD寿命及效能

新的3D堆栈与三层式储存（TLC）设计架构，让NAND Flash芯片容量密度激增、成本下滑。但也因此，SSD主控的纠错修正技术就显得更加重要，特别是在3D NAND更复杂的架构下，需要高效率的纠错修正技术，才可以确保SSD的稳定度，并且也能同时提升SSD寿命及效能。