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供货日俱吃紧价格水涨船高 今年的存储器市场发生了什么?

责任编辑:editor005 |来源:企业网D1Net  2016-12-16 15:06:49 本文摘自:OFweek电子工程网

今年的存储器市场异常火爆,特别是进入下半年以后,无论是DRAM,还是NAND Flash闪存,供货吃紧程度与日俱增,价格也是水涨船高。

来自TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange的调查显示,受惠于智能手机需求强劲,及供给端2D-NAND 转进3D-NAND 所导致的整体产出减少,今年第三季度NAND Flash开始涨价,使得NAND Flash原厂的季度营收增长19.6%,利益率也较上季大幅进步。

与此同时,今年第四季度主流容量PC-Client OEM SSD(固态硬盘)合约均价近一年来首度大涨,MLC-SSD涨幅达6~10%,TLC-SSD则上涨6~9%。由于非三星阵营的原厂仍处于3D-NAND Flash转换期,而且,龙头厂商持续以提升获利为主要策略,预计2017年第一季PC-Client OEM SSD 主流容量合约价仍将持续走高。

市场如此缺货,价格这么诱人,各大存储器厂家都在磨刀霍霍,准备大干一场。除了扩充产能之外,在工艺革新方面更是费劲心力,以求在竞争激烈,且钱景美好的2017年占据有利位置。

供货日俱吃紧价格水涨船高 今年的存储器市场发生了什么?

图片来源:DRAMeXchange

美光3D NAND产能超2D,64层堆栈蓄势待发

昨天,美光(Micron)传出消息,该公司的3D NAND闪存产能日前正式超过2D NAND闪存,第一代3D NAND闪存的成本也符合预期,堆栈层数达到64层的第二代3D NAND闪存也在路上了,今年底将大规模量产。

目前,市场上很多SSD都转向了3D NAND闪存,不论是性能还是容量,或者是写入寿命,3D NAND闪存都要比传统2D NAND闪存好得多,厂商也会借此降低成本,提高产量。以美光为例,他们的2D NAND闪存主力是16nm工艺的,MLC/TLC闪存的核心容量不过128Gb,而3D NAND技术的MLC闪存核心容量就有256Gb,TLC更是达到384Gb,大大高于2D NAND闪存。

在转向3D NAND方面,实力最强的三星跑得最快,东芝/闪迪、SK Hynix次之,Intel和美光公司算是比较慢的了,不过一旦3D NAND闪存开始量产,由于容量先天性的优势,产能超过2D NAND闪存是迟早的事。美光CFO Ernie Maddock在参加巴克莱银行全球技术、媒体及通讯大会上就确认,该公司的3D NAND闪存产能与2D NAND闪存已经来到拐点上,也就是说3D闪存的产能(以bit容量计)要超过2D NAND闪存了。

Ernie Maddock还提到他们第一代3D NAND闪存在降低成本上已经达到预期目标,此前美光在今年上半年的路线图上指出3D NAND闪存比2D NAND降低至少20%的成本,现在已经实现了20-25%的成本降低。

对美光来说,好事还不止这一件,他们的第二代3D NAND闪存也要量产了,早前美光公布消息称第二代3D NAND今年夏季在新加坡的Fab 10X工厂开始生产,相比目前的32层堆栈,第二代3D NAND闪存堆栈层数提升到64层,容量进一步提高,成本也会进一步降低30%。

据统计,美光2016会计年度第四季(6~8月)出货量增长13%,平均销售单价下滑1%,非易失性内存营收增长10%,达到10亿美元,在产品营收比重上,移动式NAND闪存微幅上升至18%、SSD则占13%,车用及其他类别占约19%。

据悉,美光3D-NAND Flash在客户端得到了不错评价,其用户级SSD也已开始量产出货,而企业级SSD的季度出货量更是大幅增长了45%。

希捷联手SK海力士抢滩SSD?

相对于HDD硬盘需求的疲软,NAND闪存及SSD固态硬盘的发展就成了存储市场的当红明星。不论是在移动设备、个人电脑、或是数据中心等市场上都在快速成长。

眼下,SSD硬盘取代HDD已经是大势所趋,NAND闪存涨价是不可能阻挡的。HDD玩儿家现在只剩下西数、希捷及东芝等少数厂商,东芝本身就是NAND大厂,而西数收购闪迪之后也一跃成为重量级SSD公司,希捷出路何在?以希捷的实力,收购余下的NAND公司有些困难,前些天,有爆料称希捷准备与SK 海力士组建合资公司进军服务器、云数据SSD市场。

同样受惠于智能手机的eMMC/eMCP需求,及其他品牌新机上市的备货需求带动,使得第三季度SK海力士NAND Flash出货量增长12%,平均销售单价更是增长7%,营收也大幅增加20.3%,至10.61亿美元。

据悉,SK海力士3D-NAND Flash的产能在今年底前将达每月2~3万片,第三代3D-NAND Flash明年第一季可开始放量出货,第四代3D-NAND Flash有机会在明年下半年开始少量生产。

希捷自身并非没有SSD业务,实际上希捷在SSD领域布局还挺早,很多人都知道希捷收购了知名SSD主控厂商SandForce,8月份的时候希捷还宣布了全球容量最大的60TB SSD硬盘,但是希捷缺少关键的NAND供应,这方面只能依靠其他公司,要想做大做强,NAND供应问题必须解决。

西数收购闪迪之后,全球剩下的NAND豪门还有三星、美光、SK Hynix、东芝、Intel等,这些公司的SSD业务要么不可能出售,能出售也会是天价,希捷在HDD市场营收、份额都并不如西数,是否如西数那样有魄力收购一家大型NAND供应商还是个问题。

有关希捷准备与SK Hynix成立一家合资公司的事宜,现在还没有官方证实,细节也无从得知,不过这两家抱团的话也并不意外,现在服务器、云数据领域的领头羊是三星和Intel,SK Hynix和希捷合作的话刚好可以互补。

三星下半年投资破纪录

2016下半年,三星为强化竞争力,资本支出毫无保留,估计预算超过17兆韩元,较2013年同期所创史上最高纪录14.72兆韩元,还要高出一大截(15.5%)。三星上半年已砸了8.8兆韩元,这使其全年投资额突破26兆韩元,而3D NAND闪存则是其下半年重点投资项目。

据三星执行董事 Lee Myung-jin 表示,3D NAND 芯片与 OLED 面板需求都呈现爆发性增长,因此也是今年投资重点。三星希望通过大规模扩充产能,在上述领域扩大领先优势。

由于第三季度中国智能手机品牌对于高容量eMMC/UFS的需求强劲,让三星成为最大赢家。三星在高容量的eMMC/UFS与eMCP市占率在行业领先,企业级SSD产品更是凭借出色的性价比,增长强劲。第三季度,三星NAND Flash出货量增长约20%,营收增长约20%。

第四季度,智能手机的需求将带动高容量eMMC/UFS与eMCP的需求攀升至年度高点,再加上三星在用户级、企业级SSD的市占率增加,预估三星的表现将较第三季更出色。

东芝力推15nm闪存

而作为闪存的发明者,同时也是存储器另一大厂,东芝电子现有第二半导体厂已全力生产3D-NAND Flash,第四季度产能达每月4万片,等到2017年64层堆栈的3D-NAND Flash顺利量产后,产能提升速度将更快,而其第六半导体厂房新建计划,将从明年二月开始动工。

不久前,东芝正式推出了新一代eMMC 5.1、UFS 2.1闪存,使用的是15nm 工艺,这使其成为现今全球尺寸最小的闪存芯片。

新的UFS芯片基于东芝的15nm MLC NAND工艺,其容量从32GB到128GB几种规格。顺序读写速度分别为850MB/s和180MB/s,较旧型号提高了约40%和16%,而随机读取和写入性能分别提高了约120%和80%。

eMMC 5.1闪存速度比不上UFS,不过eMMC闪存是中低端手机的首选。东芝的eMMC 5.1闪存也是15nm工艺,不过官方没确认是MLC还是TLC的,估计后者的可能性更大,毕竟成本更低。

安卓阵营的厂商地位还是不如苹果,东芝现在对外提供的容量最多128GB,也没用3D NAND技术,而iPhone 256GB版使用的是东芝48层堆栈的3D NAND闪存。

值得一提的是,东芝不仅使用自家的闪存,主控也是自己开发的,而其还在开发自己的M-PHY 3.0物理层及UniPro 1.6。

中国NAND闪存市场大有可为

目前,中国已经成为NAND闪存的最大市场,而SSD固态硬盘也是增长最快的市场。因此,也吸引了各厂商的竞相投入。包括三星在中国西安投资的NAND工厂已经投产,主要产品就是3D NAND闪存。而英特尔也把大连的封测工厂改造成NAND工厂,预计2016年底开始小量生产,主力产品很有可能就是3D XPoint闪存。

同时,NAND闪存也成为我国发展半导体产业的关键一环,因此,近几年国家集成电路产业基金选择了NAND闪存做为半导体产业的重点投资项目,也借以扶植本土厂商的成长。

目前,正在进行中的项目,主要有耗资超过240亿美元,由武汉新芯科技主导的国家级存储芯片基地,第一期工厂以生产NAND闪存为主,预计2018年正式投产3D NAND闪存。另外,在深圳、厦门、泉州以及合肥等地也在积极拓展存储芯片产业,地方政府的投资也是大手笔。

除了NAND闪存之外,中国厂商也在积极进军增长快速的SSD固态硬盘控制IC市场。目前,SSD固态硬盘的控制IC市场主要是由美系Marvell、SandForce,及中国台湾厂商慧荣(SMI)、智微(JMicron)等公司主导。但市场中也开始出现中国大陆公司的身影,如Marvell就跟深圳的江波龙公司达成了合作协议,其他如澜起微电子、中勍科技、国科微电子等公司也宣布了类似的计划或者产品,只不过目前还没有成气候。

关键字:NAND闪存海力士

本文摘自:OFweek电子工程网

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供货日俱吃紧价格水涨船高 今年的存储器市场发生了什么?

责任编辑:editor005 |来源:企业网D1Net  2016-12-16 15:06:49 本文摘自:OFweek电子工程网

今年的存储器市场异常火爆,特别是进入下半年以后,无论是DRAM,还是NAND Flash闪存,供货吃紧程度与日俱增,价格也是水涨船高。

来自TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange的调查显示,受惠于智能手机需求强劲,及供给端2D-NAND 转进3D-NAND 所导致的整体产出减少,今年第三季度NAND Flash开始涨价,使得NAND Flash原厂的季度营收增长19.6%,利益率也较上季大幅进步。

与此同时,今年第四季度主流容量PC-Client OEM SSD(固态硬盘)合约均价近一年来首度大涨,MLC-SSD涨幅达6~10%,TLC-SSD则上涨6~9%。由于非三星阵营的原厂仍处于3D-NAND Flash转换期,而且,龙头厂商持续以提升获利为主要策略,预计2017年第一季PC-Client OEM SSD 主流容量合约价仍将持续走高。

市场如此缺货,价格这么诱人,各大存储器厂家都在磨刀霍霍,准备大干一场。除了扩充产能之外,在工艺革新方面更是费劲心力,以求在竞争激烈,且钱景美好的2017年占据有利位置。

供货日俱吃紧价格水涨船高 今年的存储器市场发生了什么?

图片来源:DRAMeXchange

美光3D NAND产能超2D,64层堆栈蓄势待发

昨天,美光(Micron)传出消息,该公司的3D NAND闪存产能日前正式超过2D NAND闪存,第一代3D NAND闪存的成本也符合预期,堆栈层数达到64层的第二代3D NAND闪存也在路上了,今年底将大规模量产。

目前,市场上很多SSD都转向了3D NAND闪存,不论是性能还是容量,或者是写入寿命,3D NAND闪存都要比传统2D NAND闪存好得多,厂商也会借此降低成本,提高产量。以美光为例,他们的2D NAND闪存主力是16nm工艺的,MLC/TLC闪存的核心容量不过128Gb,而3D NAND技术的MLC闪存核心容量就有256Gb,TLC更是达到384Gb,大大高于2D NAND闪存。

在转向3D NAND方面,实力最强的三星跑得最快,东芝/闪迪、SK Hynix次之,Intel和美光公司算是比较慢的了,不过一旦3D NAND闪存开始量产,由于容量先天性的优势,产能超过2D NAND闪存是迟早的事。美光CFO Ernie Maddock在参加巴克莱银行全球技术、媒体及通讯大会上就确认,该公司的3D NAND闪存产能与2D NAND闪存已经来到拐点上,也就是说3D闪存的产能(以bit容量计)要超过2D NAND闪存了。

Ernie Maddock还提到他们第一代3D NAND闪存在降低成本上已经达到预期目标,此前美光在今年上半年的路线图上指出3D NAND闪存比2D NAND降低至少20%的成本,现在已经实现了20-25%的成本降低。

对美光来说,好事还不止这一件,他们的第二代3D NAND闪存也要量产了,早前美光公布消息称第二代3D NAND今年夏季在新加坡的Fab 10X工厂开始生产,相比目前的32层堆栈,第二代3D NAND闪存堆栈层数提升到64层,容量进一步提高,成本也会进一步降低30%。

据统计,美光2016会计年度第四季(6~8月)出货量增长13%,平均销售单价下滑1%,非易失性内存营收增长10%,达到10亿美元,在产品营收比重上,移动式NAND闪存微幅上升至18%、SSD则占13%,车用及其他类别占约19%。

据悉,美光3D-NAND Flash在客户端得到了不错评价,其用户级SSD也已开始量产出货,而企业级SSD的季度出货量更是大幅增长了45%。

希捷联手SK海力士抢滩SSD?

相对于HDD硬盘需求的疲软,NAND闪存及SSD固态硬盘的发展就成了存储市场的当红明星。不论是在移动设备、个人电脑、或是数据中心等市场上都在快速成长。

眼下,SSD硬盘取代HDD已经是大势所趋,NAND闪存涨价是不可能阻挡的。HDD玩儿家现在只剩下西数、希捷及东芝等少数厂商,东芝本身就是NAND大厂,而西数收购闪迪之后也一跃成为重量级SSD公司,希捷出路何在?以希捷的实力,收购余下的NAND公司有些困难,前些天,有爆料称希捷准备与SK 海力士组建合资公司进军服务器、云数据SSD市场。

同样受惠于智能手机的eMMC/eMCP需求,及其他品牌新机上市的备货需求带动,使得第三季度SK海力士NAND Flash出货量增长12%,平均销售单价更是增长7%,营收也大幅增加20.3%,至10.61亿美元。

据悉,SK海力士3D-NAND Flash的产能在今年底前将达每月2~3万片,第三代3D-NAND Flash明年第一季可开始放量出货,第四代3D-NAND Flash有机会在明年下半年开始少量生产。

希捷自身并非没有SSD业务,实际上希捷在SSD领域布局还挺早,很多人都知道希捷收购了知名SSD主控厂商SandForce,8月份的时候希捷还宣布了全球容量最大的60TB SSD硬盘,但是希捷缺少关键的NAND供应,这方面只能依靠其他公司,要想做大做强,NAND供应问题必须解决。

西数收购闪迪之后,全球剩下的NAND豪门还有三星、美光、SK Hynix、东芝、Intel等,这些公司的SSD业务要么不可能出售,能出售也会是天价,希捷在HDD市场营收、份额都并不如西数,是否如西数那样有魄力收购一家大型NAND供应商还是个问题。

有关希捷准备与SK Hynix成立一家合资公司的事宜,现在还没有官方证实,细节也无从得知,不过这两家抱团的话也并不意外,现在服务器、云数据领域的领头羊是三星和Intel,SK Hynix和希捷合作的话刚好可以互补。

三星下半年投资破纪录

2016下半年,三星为强化竞争力,资本支出毫无保留,估计预算超过17兆韩元,较2013年同期所创史上最高纪录14.72兆韩元,还要高出一大截(15.5%)。三星上半年已砸了8.8兆韩元,这使其全年投资额突破26兆韩元,而3D NAND闪存则是其下半年重点投资项目。

据三星执行董事 Lee Myung-jin 表示,3D NAND 芯片与 OLED 面板需求都呈现爆发性增长,因此也是今年投资重点。三星希望通过大规模扩充产能,在上述领域扩大领先优势。

由于第三季度中国智能手机品牌对于高容量eMMC/UFS的需求强劲,让三星成为最大赢家。三星在高容量的eMMC/UFS与eMCP市占率在行业领先,企业级SSD产品更是凭借出色的性价比,增长强劲。第三季度,三星NAND Flash出货量增长约20%,营收增长约20%。

第四季度,智能手机的需求将带动高容量eMMC/UFS与eMCP的需求攀升至年度高点,再加上三星在用户级、企业级SSD的市占率增加,预估三星的表现将较第三季更出色。

东芝力推15nm闪存

而作为闪存的发明者,同时也是存储器另一大厂,东芝电子现有第二半导体厂已全力生产3D-NAND Flash,第四季度产能达每月4万片,等到2017年64层堆栈的3D-NAND Flash顺利量产后,产能提升速度将更快,而其第六半导体厂房新建计划,将从明年二月开始动工。

不久前,东芝正式推出了新一代eMMC 5.1、UFS 2.1闪存,使用的是15nm 工艺,这使其成为现今全球尺寸最小的闪存芯片。

新的UFS芯片基于东芝的15nm MLC NAND工艺,其容量从32GB到128GB几种规格。顺序读写速度分别为850MB/s和180MB/s,较旧型号提高了约40%和16%,而随机读取和写入性能分别提高了约120%和80%。

eMMC 5.1闪存速度比不上UFS,不过eMMC闪存是中低端手机的首选。东芝的eMMC 5.1闪存也是15nm工艺,不过官方没确认是MLC还是TLC的,估计后者的可能性更大,毕竟成本更低。

安卓阵营的厂商地位还是不如苹果,东芝现在对外提供的容量最多128GB,也没用3D NAND技术,而iPhone 256GB版使用的是东芝48层堆栈的3D NAND闪存。

值得一提的是,东芝不仅使用自家的闪存,主控也是自己开发的,而其还在开发自己的M-PHY 3.0物理层及UniPro 1.6。

中国NAND闪存市场大有可为

目前,中国已经成为NAND闪存的最大市场,而SSD固态硬盘也是增长最快的市场。因此,也吸引了各厂商的竞相投入。包括三星在中国西安投资的NAND工厂已经投产,主要产品就是3D NAND闪存。而英特尔也把大连的封测工厂改造成NAND工厂,预计2016年底开始小量生产,主力产品很有可能就是3D XPoint闪存。

同时,NAND闪存也成为我国发展半导体产业的关键一环,因此,近几年国家集成电路产业基金选择了NAND闪存做为半导体产业的重点投资项目,也借以扶植本土厂商的成长。

目前,正在进行中的项目,主要有耗资超过240亿美元,由武汉新芯科技主导的国家级存储芯片基地,第一期工厂以生产NAND闪存为主,预计2018年正式投产3D NAND闪存。另外,在深圳、厦门、泉州以及合肥等地也在积极拓展存储芯片产业,地方政府的投资也是大手笔。

除了NAND闪存之外,中国厂商也在积极进军增长快速的SSD固态硬盘控制IC市场。目前,SSD固态硬盘的控制IC市场主要是由美系Marvell、SandForce,及中国台湾厂商慧荣(SMI)、智微(JMicron)等公司主导。但市场中也开始出现中国大陆公司的身影,如Marvell就跟深圳的江波龙公司达成了合作协议,其他如澜起微电子、中勍科技、国科微电子等公司也宣布了类似的计划或者产品,只不过目前还没有成气候。

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本文摘自:OFweek电子工程网

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