责任编辑：vivian | 2012-02-22 09:05:12 本文摘自：驱动之家
虽然目前固态硬盘的发展可谓大红大紫，很多原本不相关的厂商也都纷纷入场分一杯羹。不过，近日加利福尼亚圣地亚哥大学的研究者却得出这样一个结论，随着计算技术和工艺的进化，固态硬盘的前景并不光明，甚至可以说是凄惨短命的。他们发现固态硬盘锁采用的闪存在未来面临着“难以跨越的障碍”，而最突出的就是随着存储密度不断提升和制造成本的减少，闪存的性能会随之降低，从今天的25nm到未来2024的6.5nm，固态硬盘很可能就走到尽头。
研究人员一共测试了7家SSD供应商的45种不同类型NAND闪存芯片，这些芯片采用了72nm到25nm工艺制作，测试表明随着芯片尺寸的缩小，芯片的错误率和延迟会随之增加，TLC (三层存储单元)NAND的性能最差，之后是MLC(双层存储单元)NAND和SLC(单层存储单元)NAND。研究人员说，由于错误率和延迟的提升，基于MLC NAND的固态硬盘难以超过4TB，基于TLC NAND的固态硬盘难以突破16TB，而这或许就是未来固态硬盘的终点。
读写延迟和SSD使用NAND芯片存储密度和类型密切相关
扫一扫
责任编辑：vivian | 2012-02-22 09:05:12 本文摘自：驱动之家
虽然目前固态硬盘的发展可谓大红大紫，很多原本不相关的厂商也都纷纷入场分一杯羹。不过，近日加利福尼亚圣地亚哥大学的研究者却得出这样一个结论，随着计算技术和工艺的进化，固态硬盘的前景并不光明，甚至可以说是凄惨短命的。他们发现固态硬盘锁采用的闪存在未来面临着“难以跨越的障碍”，而最突出的就是随着存储密度不断提升和制造成本的减少，闪存的性能会随之降低，从今天的25nm到未来2024的6.5nm，固态硬盘很可能就走到尽头。
研究人员一共测试了7家SSD供应商的45种不同类型NAND闪存芯片，这些芯片采用了72nm到25nm工艺制作，测试表明随着芯片尺寸的缩小，芯片的错误率和延迟会随之增加，TLC (三层存储单元)NAND的性能最差，之后是MLC(双层存储单元)NAND和SLC(单层存储单元)NAND。研究人员说，由于错误率和延迟的提升，基于MLC NAND的固态硬盘难以超过4TB，基于TLC NAND的固态硬盘难以突破16TB，而这或许就是未来固态硬盘的终点。
读写延迟和SSD使用NAND芯片存储密度和类型密切相关
京公网安备 11010502049343号