英研发新型存储设备 比闪存存取速度快百倍
英国研究人员最近报告说，他们研发出一种基于“电阻性记忆体”的新型存储设备。
电阻性记忆体的基础是忆阻材料，这种材料在外加电压时电阻会发生变化，随后即使取消外加电压，它也能“记住”这个电阻值。研究人员说，在此基础上开发出的存储设备能耗只有现有闪存的约千分之一，而其存取速度是闪存的一百倍以上。
以前开发出的这种存储设备只能在高度真空环境中运行。研究人员日前发现可用硅的氧化物制作一种新的忆阻材料，相应存储设备可在常规环境下运行，因此应用价值大大提高。
英研发新型存储设备
责任编辑：ylv | 2012-05-21 09:01:13 本文摘自：新华社
京公网安备 11010502049343号