Brien M. Posey是一位微软认证系统工程师，曾获微软Exchange Server、Windows Server 和Internet Information Server (IIS)的MVP奖。Brien担任一个全国连锁性医院的CIO，曾经在Fort Knox负责信息管理系。

我预计基于3-D NAND的存储阵列将会在2015年底或2016年初大量出现。事实上，市场上已经有了三星的一款产品，而其他内存制造商，例如英特尔，正在加速生产3-D NAND芯片。英特尔已经宣布，它计划在今年晚些时候推出3-D NAND闪存芯片。

如果你不熟悉3-D NAND，它是为提高容量和降低闪存每GB成本的一项重要技术。闪存驱动器的成本与闪存芯片尺寸直接相关。芯片的容量并不要紧，因为决定价格的是芯片的物理尺寸。在NAND芯片上增加存储单元的密度可以增大其存储容量，并降低每GB成本，因为只要芯片的物理尺寸不改变，制造成本基本保持相同。

近年来，芯片制造商们对增加NAND芯片容量的难度纷纷表示了忧虑。因为芯片模片上可供他们利用的空间已经微乎其微，于是，厂商们决定将晶体管在垂直方向上堆叠。例如，即将出厂的英特尔3-D NAND芯片，将会包括层叠的32层，容量大约是现有NAND芯片的两倍。

使用这种技术，英特尔宣称它能够创建容量1TB的NAND芯片。该公司预计，在未来两年内将能生产10 TB容量的闪存卡。这些估计目前还无法帮助我们预测什么时候基于3-D NAND的存储阵列能够上市。