当前位置:存储企业动态 → 正文

首个64层3D NAND闪存技术出现

责任编辑:editor005 |来源:企业网D1Net  2016-07-27 15:36:51 本文摘自:ZDNet至顶网

 

首个64层3D NAND闪存技术出现

256GB 3位元型芯片是目前行业最小芯片

西部数据公司今日宣布成功开发出下一代3D NAND闪存技术BiCS3,具有64层垂直存储功能。BiCS3由西部数据公司与制造商东芝公司联合开发,初步的闪存容量为256GB,且在单芯片上的容量最高可达0.5TB。目前,西部数据已经在其位于日本四日市的合资企业开始试产,预计今年晚些时候完成初产。公司计划在2017年上半年开始商业化量产。

西部数据存储技术执行副总裁Siva Sivaram先生表示:“在我们64位架构基础上发布下一代3D NAND技术,将增强我们在NAND闪存技术领域的领导地位。BiCS3采用了3位元型技术,并在高深宽比半导体处理上实现进展,能够以更优成本提供更高容量、出色性能,并具有更高的可靠性。这项技术与BiCS2一道,大幅扩宽了我们的3D NAND产品组合,提升了我们满足零售、移动和数据中心整体客户应用需求的能力。”

西部数据希望在2016年第四季度能够向零售市场批量交付BiCS3,本季度开始OEM取样检验。同时,公司将继续为零售和OEM客户交付上一代3D NAND技术BiCS2产品。
 

关键字:NAND闪存西部数据

本文摘自:ZDNet至顶网

x 首个64层3D NAND闪存技术出现 扫一扫
分享本文到朋友圈
当前位置:存储企业动态 → 正文

首个64层3D NAND闪存技术出现

责任编辑:editor005 |来源:企业网D1Net  2016-07-27 15:36:51 本文摘自:ZDNet至顶网

 

首个64层3D NAND闪存技术出现

256GB 3位元型芯片是目前行业最小芯片

西部数据公司今日宣布成功开发出下一代3D NAND闪存技术BiCS3,具有64层垂直存储功能。BiCS3由西部数据公司与制造商东芝公司联合开发,初步的闪存容量为256GB,且在单芯片上的容量最高可达0.5TB。目前,西部数据已经在其位于日本四日市的合资企业开始试产,预计今年晚些时候完成初产。公司计划在2017年上半年开始商业化量产。

西部数据存储技术执行副总裁Siva Sivaram先生表示:“在我们64位架构基础上发布下一代3D NAND技术,将增强我们在NAND闪存技术领域的领导地位。BiCS3采用了3位元型技术,并在高深宽比半导体处理上实现进展,能够以更优成本提供更高容量、出色性能,并具有更高的可靠性。这项技术与BiCS2一道,大幅扩宽了我们的3D NAND产品组合,提升了我们满足零售、移动和数据中心整体客户应用需求的能力。”

西部数据希望在2016年第四季度能够向零售市场批量交付BiCS3,本季度开始OEM取样检验。同时,公司将继续为零售和OEM客户交付上一代3D NAND技术BiCS2产品。
 

关键字:NAND闪存西部数据

本文摘自:ZDNet至顶网

电子周刊
回到顶部

关于我们联系我们版权声明隐私条款广告服务友情链接投稿中心招贤纳士

企业网版权所有 ©2010-2024 京ICP备09108050号-6 京公网安备 11010502049343号

^