当前位置:存储企业动态 → 正文

TB固态盘/UFS 3.0来了 三星量产全球最快64层3D闪存

责任编辑:editor006 |来源:企业网D1Net  2017-06-15 15:41:53 本文摘自:快科技

三星今天在韩国宣布,开始大规模量产64层堆叠、256Gb(32GB)、3bit的V-NAND闪存芯片,是为第四代3D闪存。其实在今年1月,三星已经向关键的大客户出货采用64层 V-NAND介质的SSD产品,如今半年过去,产能扩充,消费级用户可以顺利用上了。新的闪存芯片将用于生产手机UFS存储、PC/服务器固态盘、外置存储卡等产品

三星强调,新一代64层V-NAND的带宽速率高达1Gbps,是目前业界最快,是上一代48层3bit的1.5倍。

Samsung_64-layer_256Gb_V-NAND_03_1TB_M.2_SSD__2.5_inch_SSD.jpg

另外,在功耗方面,电压从3.3V降低到2.8V,说明工艺改良了不少,漏电极大减少,从而使效能提升30%。

竞争对手方面,东芝的64层也已经少量出货,SK海力士计划在今年底量产更激进的72层产品。不过,三星强调,作为一哥和3D NAND的始创者,它们有信心继续保持领先,并在年底前将64层闪存的产能覆盖到月度总量的50%以上。

可以预见,以TB为单位的固态盘、以及128GB以上的UFS3.0手机闪存或将迅速普及开来。

关键字:固态盘量产

本文摘自:快科技

x TB固态盘/UFS 3.0来了 三星量产全球最快64层3D闪存 扫一扫
分享本文到朋友圈
当前位置:存储企业动态 → 正文

TB固态盘/UFS 3.0来了 三星量产全球最快64层3D闪存

责任编辑:editor006 |来源:企业网D1Net  2017-06-15 15:41:53 本文摘自:快科技

三星今天在韩国宣布,开始大规模量产64层堆叠、256Gb(32GB)、3bit的V-NAND闪存芯片,是为第四代3D闪存。其实在今年1月,三星已经向关键的大客户出货采用64层 V-NAND介质的SSD产品,如今半年过去,产能扩充,消费级用户可以顺利用上了。新的闪存芯片将用于生产手机UFS存储、PC/服务器固态盘、外置存储卡等产品

三星强调,新一代64层V-NAND的带宽速率高达1Gbps,是目前业界最快,是上一代48层3bit的1.5倍。

Samsung_64-layer_256Gb_V-NAND_03_1TB_M.2_SSD__2.5_inch_SSD.jpg

另外,在功耗方面,电压从3.3V降低到2.8V,说明工艺改良了不少,漏电极大减少,从而使效能提升30%。

竞争对手方面,东芝的64层也已经少量出货,SK海力士计划在今年底量产更激进的72层产品。不过,三星强调,作为一哥和3D NAND的始创者,它们有信心继续保持领先,并在年底前将64层闪存的产能覆盖到月度总量的50%以上。

可以预见,以TB为单位的固态盘、以及128GB以上的UFS3.0手机闪存或将迅速普及开来。

关键字:固态盘量产

本文摘自:快科技

电子周刊
回到顶部

关于我们联系我们版权声明隐私条款广告服务友情链接投稿中心招贤纳士

企业网版权所有 ©2010-2024 京ICP备09108050号-6 京公网安备 11010502049343号

^