NetApp的E570阵列支持基于光纤的NVMe，但由于E570并未采用NVMe驱动器，所以其数据访问速度可能相对较差。

E系列的全闪存E570于今年9月发布，发布会上表示，由于E570支持基于光纤的NVMe，从而将其延迟时间控制在了100 μs以内。

E570通过InfiniBand将RDMA应用于其24个闪存驱动器，进而使之能够在访问主机服务器时避免由于延迟而消耗的存储软件堆栈代码，并实现了在内存中的直接写入或读取数据。

以这种方式使用NVMe的部分原因在于使用SAS协议——主要指磁盘驱动器访问协议——访问闪存驱动器（SSD）不仅速度较慢而且会延长SSD的数据访问时间，故而其已不再是最优选项。

然而，在阵列中使用NVMe访问的磁盘驱动器在访问SAN时（诸如iSCSI或光纤通道），会因为网络协议而导致延迟。因此，基于光纤的NVMe产品组合应运而生——每个阵列由65000的队列长度与64000条命令组成。该产品组合可提供远程直接内存访问（RDMA），并且还可以绕过通路两端的协议堆栈。而E570即选择使用了Mellanox ConnectX InfiniBand适配器。

现有基于光纤的NVMe在存储写入访问方面的延迟控制在30 μs至（以Mangstor NX阵列写入）50 μs（E8写入），而读取延迟则为100或110 μs（E8或Mangstor阵列读取）。由于E570采用了配有SCSI访问堆栈的SAS固态硬盘，故而其能将延迟时间控制为100 μs已是相当不错。另外，E570还配备了一款NVMe至SAS的桥接器。

试想一下， E570如果选用了NVMe闪存驱动器，那么其延迟还将下降一个等级。而我们认为未来的E系列阵列能够实现这一点。

在柏林举行的NetApp Insight大会中，博科公司展台展示了NVMe-over-Fibre Channel访问一套NetApp阵列的具体情况。且其中仍没有包括端到端的NVMe访问计划。相反，阵列控制器通过光纤连接终止了NVMe，然后再将新传入的请求分派至指定的一个或多个驱动器。

另外，我们认为这代表NetApp期望贯彻实施端对端的NVMe以实现直接访问闪存驱动器，从而进一步降低访问延迟。

然而，就算这种端对端的NVMe访问形式得以实现，阵列控制器软件也无法明确阵列中驱动器的数据内容发生了何种变化。由此看来，端对端的NVMe访问形式将产生极为深远的影响。